期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
溶菌酶触发的芽孢杆菌芽孢萌发及其异质性研究 被引量：1
1
作者 王桂文 张鹏飞 +3 位作者 王晓春 陈欢君 Peter Setlow Li Yongqing 《广西科学》 CAS 2016年第2期102-110,共9页
【目的】了解溶菌酶触发芽孢杆菌孢子萌发的异质性及其机制,为认识芽孢(Spore)萌发机制和杀灭芽孢提供参考。【方法】应用拉曼光谱和微分干涉差(DIC)显微镜成像技术高通量分析大量单个Bacillus subtilis(Bs)和B.megaterium(Bm)芽孢经溶... 【目的】了解溶菌酶触发芽孢杆菌孢子萌发的异质性及其机制,为认识芽孢(Spore)萌发机制和杀灭芽孢提供参考。【方法】应用拉曼光谱和微分干涉差(DIC)显微镜成像技术高通量分析大量单个Bacillus subtilis(Bs)和B.megaterium(Bm)芽孢经溶菌酶触发的萌发动态。【结果】溶菌酶浓度和温度越高,芽孢萌发越快,孢内CaDPA开始快速释放时间(T_(lag))、快速释放所需时间(ΔT_(release))和芽孢皮层水解所需时间(ΔT_(lys))越短;低于20℃,Bs芽孢萌发的ΔT_(release)值是25℃时的4倍以上。SpoVA蛋白高表达菌株的ΔT_(release)值和普通菌株基本相同,而缺少皮层水解酶的菌株ΔT_(release)值高于普通菌株。95℃处理15min的孢子,其T_(lag)、ΔT_(release)和ΔT_(lys)值是对照的2倍以上。Bs芽孢萌发的异质性明显,不仅表现在芽孢间,也表现在菌株间。Bm芽孢对溶菌酶更敏感,芽孢间的异质性显著低于Bs。【结论】溶菌酶触发的芽孢萌发在物种、菌株和单细胞层面都存在显著的异质性;溶菌酶浓度和温度对芽孢萌发有重大影响;皮层水解酶也可能参与溶菌酶触发的芽孢萌发进程。 展开更多
关键词 拉曼光谱 微分干涉差成像 芽孢杆菌 芽孢萌发 溶菌酶 单细胞分析
下载PDF
单细胞分析研究二氧化氯对杀蚊细菌球形赖氨酸芽胞杆菌芽胞的影响
2
作者 李翠梅 王晓春 +2 位作者 张秀娟 刘军贤 王桂文 《中国生物防治学报》 CSCD 北大核心 2022年第3期565-572,共8页
球形赖氨酸芽胞杆菌Lysinibacillus sphaericus(Ls)是应用广泛的蚊虫生物防治制剂,在实际应用时可能会遇到不利的环境因子或杀菌剂。本研究通过单细胞分析方法监测ClO_(2)处理后的单个Ls芽胞及其萌发过程,探究ClO_(2)对Ls芽胞结构和成... 球形赖氨酸芽胞杆菌Lysinibacillus sphaericus(Ls)是应用广泛的蚊虫生物防治制剂,在实际应用时可能会遇到不利的环境因子或杀菌剂。本研究通过单细胞分析方法监测ClO_(2)处理后的单个Ls芽胞及其萌发过程,探究ClO_(2)对Ls芽胞结构和成分的影响及与芽胞萌发相关蛋白的影响,以及ClO_(2)的杀胞机制。经0.05%~0.3%ClO_(2)处理5 min后,36%~86%的芽胞不能形成单菌落。吡啶二羧酸钙(CaDPA)特征峰(1017 cm^(-1))强度随处理程度增大有所降低,而蛋白质α-螺旋峰(1652 cm^(-1))强度没有明显变化。ClO_(2)处理显著改变Ls芽胞的萌发动态,芽胞启动CaDPA快速释放的时间、完全释放的时间以及皮层水解完成的时间显著延长;而外源CaDPA仅能触发低浓度ClO_(2)(0.05%)处理的芽胞,且显著迟缓。表明ClO_(2)处理没有直接破坏芽胞内膜但严重损伤了与萌发相关蛋白的功能,特别是皮层水解酶容易失活。这可能就是被处理的芽胞可以启动芽胞萌发的最初步骤,而不能进一步发展为营养细胞的原因。 展开更多
关键词 球形赖氨酸芽胞杆菌 二氧化氯 拉曼光谱 微分干涉差成像 芽胞萌发 单细胞分析
下载PDF
熔石英元件抛光表面的亚表面损伤研究 被引量：6
3
作者 何祥 谢磊 +1 位作者 赵恒 马平 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期33-37,共5页
通过结合HF酸洗和微分干涉差显微成像对两组抛光元件的亚表面损伤进行直接观测和分析。结果显示微分干涉差显微成像相比于传统的明场成像具有更好的分辨率,可以更有效检测HF酸洗后暴露的各种浅塑性亚表面损伤。对两组抛光元件的亚表面... 通过结合HF酸洗和微分干涉差显微成像对两组抛光元件的亚表面损伤进行直接观测和分析。结果显示微分干涉差显微成像相比于传统的明场成像具有更好的分辨率,可以更有效检测HF酸洗后暴露的各种浅塑性亚表面损伤。对两组抛光元件的亚表面损伤的对比分析发现熔石英元件在抛光中会产生大量的亚表面损伤,这些亚表面损伤绝大多数是浅塑性的划痕和坑,仅有少量的脆性断裂损伤,较大的抛光颗粒会产生更多更严重的亚表面损伤,并且这些亚表面损伤被表面沉积层所掩盖,表面粗糙度不能反映亚表面损伤的严重程度。 展开更多
关键词 熔石英 化学机械抛光 亚表面损伤 微分干涉差显微成像 沉积层
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部