本文从不均匀度的定义出发,在假设热中子通量完全均匀的前提下,运用半导体理论,推导出 NTD 硅电阻率径向不均匀度Δρ_t、掺杂比 f 与原始单晶硅电阻率径向不均匀度Δρ三者之间的函数关系;并且以 f 和Δρ为自变量、Δρ_t 为参变量,...本文从不均匀度的定义出发,在假设热中子通量完全均匀的前提下,运用半导体理论,推导出 NTD 硅电阻率径向不均匀度Δρ_t、掺杂比 f 与原始单晶硅电阻率径向不均匀度Δρ三者之间的函数关系;并且以 f 和Δρ为自变量、Δρ_t 为参变量,绘制了等Δρ_t 曲线族,分析了它们的物理意义,举例说明了该曲线族的使用方法。展开更多
文摘本文从不均匀度的定义出发,在假设热中子通量完全均匀的前提下,运用半导体理论,推导出 NTD 硅电阻率径向不均匀度Δρ_t、掺杂比 f 与原始单晶硅电阻率径向不均匀度Δρ三者之间的函数关系;并且以 f 和Δρ为自变量、Δρ_t 为参变量,绘制了等Δρ_t 曲线族,分析了它们的物理意义,举例说明了该曲线族的使用方法。
