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硅量子点的形状及其弯曲表面效应
被引量：
3
1
作者
黄伟其
周年杰
+6 位作者
尹君
苗信建
黄忠梅
陈汉琼
苏琴
刘世荣
秦朝建
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第8期174-179,共6页
硅量子点的弯曲表面引起系统的对称性破缺,致使某些表面键合在能带的带隙中形成局域电子态.计算结果表明:硅量子点的表面曲率不同形成的表面键合结合能和电子态分布明显不同.例如,Si—O—Si桥键在曲率较大的表面键合能够在带隙中形成局...
硅量子点的弯曲表面引起系统的对称性破缺,致使某些表面键合在能带的带隙中形成局域电子态.计算结果表明:硅量子点的表面曲率不同形成的表面键合结合能和电子态分布明显不同.例如,Si—O—Si桥键在曲率较大的表面键合能够在带隙中形成局域能级,而在硅量子点曲率较小的近平台表面上键合不会形成任何局域态,但此时的键合结合能较低.用弯曲表面效应(CS)可以解释较小硅量子点的光致荧光光谱的红移现象.CS效应揭示了纳米物理中又一奇妙的特性.实验证实,CS效应在带隙中形成的局域能级可以激活硅量子点发光.
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关键词
硅量子点
弯曲表面
效应
表面
键合
局域能级
原文传递
纳米硅上的弯曲表面效应及其特征发光
被引量：
2
2
作者
黄伟其
黄忠梅
+4 位作者
苗信建
尹君
周年杰
刘世荣
秦朝建
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期123-130,共8页
纳米硅结构使能带的带隙展宽,并形成准直接能带带隙结构.弯曲表面上的某些键合可以在带隙中产生局域电子态,计算表明:纳米硅弯曲表面上的Si-N,Si=O和Si-O-Si键合能够分别在带隙中2.02 eV,1.78 eV和2.03 eV附近形成局域态子带,对应了实...
纳米硅结构使能带的带隙展宽,并形成准直接能带带隙结构.弯曲表面上的某些键合可以在带隙中产生局域电子态,计算表明:纳米硅弯曲表面上的Si-N,Si=O和Si-O-Si键合能够分别在带隙中2.02 eV,1.78 eV和2.03 eV附近形成局域态子带,对应了实验光致荧光谱(PL)中605 nm处的LN线、693 nm处的LO1线和604 nm处的LO2线特征发光.特别是,Si-Yb键合在纳米硅弯曲表面上可以将发光波长调控到光通信窗口,在1310 nm到1600 nm范围形成LYb线特征发光.
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关键词
纳米硅结构
弯曲表面
效应
局域态
特征线
原文传递
题名
硅量子点的形状及其弯曲表面效应
被引量：
3
1
作者
黄伟其
周年杰
尹君
苗信建
黄忠梅
陈汉琼
苏琴
刘世荣
秦朝建
机构
贵州大学纳米光子物理研究所
中国科学院地球化学研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第8期174-179,共6页
基金
国家自然科学基金批准号资助的课题~~
文摘
硅量子点的弯曲表面引起系统的对称性破缺,致使某些表面键合在能带的带隙中形成局域电子态.计算结果表明:硅量子点的表面曲率不同形成的表面键合结合能和电子态分布明显不同.例如,Si—O—Si桥键在曲率较大的表面键合能够在带隙中形成局域能级,而在硅量子点曲率较小的近平台表面上键合不会形成任何局域态,但此时的键合结合能较低.用弯曲表面效应(CS)可以解释较小硅量子点的光致荧光光谱的红移现象.CS效应揭示了纳米物理中又一奇妙的特性.实验证实,CS效应在带隙中形成的局域能级可以激活硅量子点发光.
关键词
硅量子点
弯曲表面
效应
表面
键合
局域能级
Keywords
Si quantum dots, curved surface effect, surface bonds, localized levels
分类号
O471.1 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
纳米硅上的弯曲表面效应及其特征发光
被引量：
2
2
作者
黄伟其
黄忠梅
苗信建
尹君
周年杰
刘世荣
秦朝建
机构
贵州大学
中国科学院地球化学矿床化学研究所国家重点实验室
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期123-130,共8页
基金
国家自然科学基金(批准号:No.11264007)资助的课题~~
文摘
纳米硅结构使能带的带隙展宽,并形成准直接能带带隙结构.弯曲表面上的某些键合可以在带隙中产生局域电子态,计算表明:纳米硅弯曲表面上的Si-N,Si=O和Si-O-Si键合能够分别在带隙中2.02 eV,1.78 eV和2.03 eV附近形成局域态子带,对应了实验光致荧光谱(PL)中605 nm处的LN线、693 nm处的LO1线和604 nm处的LO2线特征发光.特别是,Si-Yb键合在纳米硅弯曲表面上可以将发光波长调控到光通信窗口,在1310 nm到1600 nm范围形成LYb线特征发光.
关键词
纳米硅结构
弯曲表面
效应
局域态
特征线
Keywords
nanostructures, curved surface effect, localized states, characteristic emission
分类号
TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程]
O482.31 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅量子点的形状及其弯曲表面效应
黄伟其
周年杰
尹君
苗信建
黄忠梅
陈汉琼
苏琴
刘世荣
秦朝建
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
3
原文传递
2
纳米硅上的弯曲表面效应及其特征发光
黄伟其
黄忠梅
苗信建
尹君
周年杰
刘世荣
秦朝建
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
2
原文传递
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