提出一种适用于无源超高频射频识别(UHF RFID)标签芯片的时钟产生电路。电路使用N型金属-氧化物-半导体(NMOS)栅极电压取代了复杂的比较器电路作为比较电平,精简了电路结构,降低了电路功耗,减小了版图面积;使用二极管方式连接的NMOS管...提出一种适用于无源超高频射频识别(UHF RFID)标签芯片的时钟产生电路。电路使用N型金属-氧化物-半导体(NMOS)栅极电压取代了复杂的比较器电路作为比较电平,精简了电路结构,降低了电路功耗,减小了版图面积;使用二极管方式连接的NMOS管作温度及工艺补偿感应管,利用其栅压变化控制充放电电流,使其在不同工艺角下,当温度在较大范围内变化时,均能实现输出频率稳定。采用中芯国际0.18μm工艺进行仿真验证,结果表明:当电源电压为1 V,基准电流为130 n A时,电路功耗仅为447 n W;在工艺角由ss变化到ff的过程中,输出频率偏差不超过2.43%,;温度在-40~90℃范围变化时,输出频率偏差小于0.99%,适合无源射频识别标签芯片使用。展开更多
文摘提出一种适用于无源超高频射频识别(UHF RFID)标签芯片的时钟产生电路。电路使用N型金属-氧化物-半导体(NMOS)栅极电压取代了复杂的比较器电路作为比较电平,精简了电路结构,降低了电路功耗,减小了版图面积;使用二极管方式连接的NMOS管作温度及工艺补偿感应管,利用其栅压变化控制充放电电流,使其在不同工艺角下,当温度在较大范围内变化时,均能实现输出频率稳定。采用中芯国际0.18μm工艺进行仿真验证,结果表明:当电源电压为1 V,基准电流为130 n A时,电路功耗仅为447 n W;在工艺角由ss变化到ff的过程中,输出频率偏差不超过2.43%,;温度在-40~90℃范围变化时,输出频率偏差小于0.99%,适合无源射频识别标签芯片使用。
