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Ta_2O_5掺杂Bi_2O_3–ZnO–Nb_2O_5陶瓷的晶体结构、结晶化学及介电性能 被引量：3
1
作者 彭小松 丁士华 +3 位作者 宋天秀 张倩 蒋旭峰 刘旭 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期716-722,共7页
采用固相反应法制备Bi1.5ZnNb1.5–xTaxO7陶瓷,研究了不同掺杂量Ta2O5对Bi2O3–ZnO–Nb2O5陶瓷相结构、晶体化学特性和介电性能的影响。结果表明:当x≤0.1时,样品均保持单一的立方焦绿石结构(α–BZN)。通过对样品结晶化学计算发现,随着... 采用固相反应法制备Bi1.5ZnNb1.5–xTaxO7陶瓷,研究了不同掺杂量Ta2O5对Bi2O3–ZnO–Nb2O5陶瓷相结构、晶体化学特性和介电性能的影响。结果表明:当x≤0.1时,样品均保持单一的立方焦绿石结构(α–BZN)。通过对样品结晶化学计算发现,随着Ta2O5掺杂量的增加,晶格常数a逐渐减小,结晶化学参数键价和AV(O')[A4]增大,AV(O)[A2B2]减小,48f(O)坐标ξ增加。在组成样品晶体结构的多面体中,由6个48f(O)组成的八面体结构(BO6)逐渐变得扭曲,而6个48f(O)和2个8b(O')组成的六面体结构逐渐变得规则,向正立方体结构变化。室温下样品的介电常数和损耗随Ta2O5掺杂量的增加而减小,弛豫度逐渐减小。 展开更多
关键词 介电性能 立方焦绿石结构 键价和 弛豫度
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有限元法分析不同形状量子点的应变能及弛豫度变化 被引量：2
2
作者 王天琪 俞重远 +1 位作者 刘玉敏 芦鹏飞 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期5618-5623,共6页
利用有限元方法研究了不同形状量子点的应变能量分布和弛豫度随着高宽比变化的规律.分析了量子点间距和量子点形状对量子点应变弛豫的影响,定量地讨论了量子点的弛豫度与量子点形状之间的关系.计算结果表明,在不考虑表面能的情况下,当... 利用有限元方法研究了不同形状量子点的应变能量分布和弛豫度随着高宽比变化的规律.分析了量子点间距和量子点形状对量子点应变弛豫的影响,定量地讨论了量子点的弛豫度与量子点形状之间的关系.计算结果表明,在不考虑表面能的情况下,当量子点高宽比增加时,弛豫度上升,并且发现平顶金字塔形量子点最先达到稳定;岛间距增大时,量子点内应变能下降,其中立方体形量子点应变能下降最快.研究表明,量子点的弛豫度可以成为控制量子点成岛形状的重要依据. 展开更多
关键词 量子点 弛豫度
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氧化SiGe/Si多量子阱制备Si基SiGe弛豫衬底 被引量：1
3
作者 方春玉 蔡坤煌 《光谱实验室》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1516-1518,共3页
SiGe弛豫衬底是制备高性能Si基SiGe光电子器件的基础平台。本文通过1050℃不同时间氧化SiGe/SiMQW材料,分析氧化过程中Ge组分、弛豫度的变化趋势,制备位错密度低、表面平整、弛豫度超过60%的Si基Si0.75Ge0.25缓冲层。
关键词 氧化 锗硅弛豫缓冲层 组分 弛豫度
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几种含钆MRI对照试剂的弛豫度与pH值关系研究 被引量：1
4
作者 谢狄霖 陈忠 GORE John 《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期48-50,共3页
测量了几种临床上常见的含钆磁共振成像对照试剂 ,包括马根维显 (Magnevist) ,普络显思(Prohance) ,欧乃影 (Omniscan)和三氯化钆 (GdCl3)的弛豫度随环境 pH值变化的曲线 ,讨论了它们的变化规律。
关键词 核磁共振 对照试剂 弛豫度 PH值
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大鼠器官中MRI增强试剂弛豫度的测量
5
作者 谢狄霖 KENNAN Richard +1 位作者 陈忠 GORE John 《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期22-24,共3页
测量了钆螯合物的磁共振成像(MRI)对比度增强试剂钆双胺(omniscan)在大鼠不同组织,包括肝、脾、肾、心脏、肌肉和血液中的核磁共振(NMR)弛豫度,以及在不同的大分子介质环境,如小牛血清白蛋白(BSA)和甲基纤维素(MC)溶液中的弛豫度。实验... 测量了钆螯合物的磁共振成像(MRI)对比度增强试剂钆双胺(omniscan)在大鼠不同组织,包括肝、脾、肾、心脏、肌肉和血液中的核磁共振(NMR)弛豫度,以及在不同的大分子介质环境,如小牛血清白蛋白(BSA)和甲基纤维素(MC)溶液中的弛豫度。实验数据表明:增强试剂钆双胺在小鼠的不同组织中的弛豫度互不相同,在大分子介质溶液中弛豫度随介质大分子浓度的增大而提高。 展开更多
关键词 磁共振成像 弛豫度 增强试剂
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基于超微小ZnFe_2O_4纳米颗粒的新型T_1造影剂的制备及应用研究
6
作者 韩佳媚 梁国海 《激光生物学报》 CAS 2018年第4期313-319,共7页
非Gd型T_1造影剂的开发是近年来MRI造影剂的重要研究方向。本工作通过高温热分解法制备了粒径为(3. 02±0. 62) nm的掺杂Zn的氧化铁纳米颗粒(ZnFe_2O_4),其r1弛豫度为2. 5 L/(mmol·s),r2/r1比值为2. 2。合成方法简便、经济,容... 非Gd型T_1造影剂的开发是近年来MRI造影剂的重要研究方向。本工作通过高温热分解法制备了粒径为(3. 02±0. 62) nm的掺杂Zn的氧化铁纳米颗粒(ZnFe_2O_4),其r1弛豫度为2. 5 L/(mmol·s),r2/r1比值为2. 2。合成方法简便、经济,容易实现大量制备。以生物相容性的PO-PEG分子对颗粒进行修饰,使颗粒相转移至水溶液中,可保持长期稳定分散。最后,以ZnFe_2O_4为造影剂,对小鼠肿瘤部位进行MR成像,获得～11%的信号增强。本研究工作显示ZnFe_2O_4@PO-PEG具备作为高安全性非钆型T_1造影剂并应用于实际MR造影成像的良好潜力。 展开更多
关键词 MRI T1造影剂 ZnFe2O4纳米颗粒 弛豫度
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AlGaN势垒层应变弛豫度对高Al含量Al_xGa_(1-x)N/GaN HEMT性能的影响 被引量：1
7
作者 杨燕 郝跃 +2 位作者 张进城 王冲 冯倩 《中国科学（E辑）》 CSCD 北大核心 2006年第9期925-932,共8页
采用数值算法自洽求解Poisson和Schrdinger方程,计算了AlGaN势垒层的应变弛豫度对高Al含量AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)中的导带结构、电子浓度以及二维电子气(2DEG)薄层电荷密度的影响.利用所获得的精确薄层电荷密度与栅电压... 采用数值算法自洽求解Poisson和Schrdinger方程,计算了AlGaN势垒层的应变弛豫度对高Al含量AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)中的导带结构、电子浓度以及二维电子气(2DEG)薄层电荷密度的影响.利用所获得的精确薄层电荷密度与栅电压的关系,采用非线性电荷控制模型解析求解了应变弛豫度对AlxGa1-xN/GaNHEMT直流输出特性的影响.计算表明,应变弛豫度为0时所获得的Al0.50Ga0.50N/GaNHEMT的最大二维电子气薄层电荷密度为2.42×1013cm-2,最大漏电流为2482.8mA/mm;应变弛豫度为1时所获得的最大二维电子气薄层电荷密度为1.49×1013cm-2,最大漏电流为1149.7mA/mm.模拟结果同已有的测试数据相比,符合较好.对模拟结果的分析表明,对高Al含量的AlGaN/GaNHEMT进行理论研究时需要考虑应变弛豫度的影响,减小AlGaN势垒层的应变弛豫度可显著提高器件的性能. 展开更多
关键词 ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 应变弛豫度
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