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Si组分对SiGe量子点形状演化的影响 被引量：5
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作者 邓宁 陈培毅 李志坚 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期3136-3140,共5页
研究了自组织生长SiGe岛 (量子点 )中Si组分对形状演化的影响 .采用UHV CVD方法生长了不同Si组分的SiGe岛 ,用AFM对其形状和尺寸分布进行了分析 ,实验结果表明SiGe岛从金字塔形向圆顶形转变的临界体积随Si组分的增大而增大 .通过对量子... 研究了自组织生长SiGe岛 (量子点 )中Si组分对形状演化的影响 .采用UHV CVD方法生长了不同Si组分的SiGe岛 ,用AFM对其形状和尺寸分布进行了分析 ,实验结果表明SiGe岛从金字塔形向圆顶形转变的临界体积随Si组分的增大而增大 .通过对量子点能量的应变能项进行修正 ,解释了量子点中Si组分对形状演化的影响 .在特定的工艺条件下得到了单模尺寸分布的金字塔和圆顶形量子点 .结果表明 ,通过调节SiGe岛中的Si组分 。 展开更多
关键词 量子器件 异质外延生长应变自组装 硅锗量子点 临界体积 硅组分
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