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基底温度复合控制对化学气相沉积纳米金刚石薄膜的影响
1
作者
张湘辉
汪灵
+2 位作者
龙剑平
邓苗
冯珊
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第21期3018-3022,共5页
采用自主研制的具有基底温度开-闭环复合自动控制系统的直流弧光放电PCVD设备,当开环流量不同时,在硬质合金基体表面分别进行了纳米金刚石薄膜制备研究。并采用SEM、XRD、激光Raman光谱仪对所制备薄膜的形貌、物相和品质进行了分析。研...
采用自主研制的具有基底温度开-闭环复合自动控制系统的直流弧光放电PCVD设备,当开环流量不同时,在硬质合金基体表面分别进行了纳米金刚石薄膜制备研究。并采用SEM、XRD、激光Raman光谱仪对所制备薄膜的形貌、物相和品质进行了分析。研究结果表明,当开环流量从10→5→15→20mL/min变化时,所制备纳米金刚石薄膜的表面粗糙度及石墨成分会随之增加,金刚石晶粒转变为以(110)面生长为主,且尺寸增大;并加剧了硬质合金基体中Co相粘结剂向基体表面的扩散。温控中基底温度的波动(稳定性)是影响纳米金刚石薄膜生长性能的主要原因。
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关键词
直流弧光放电等离子体化学气相沉积法
纳米金刚石薄膜
基底温度
开
-
闭环
复合控制
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职称材料
基底温度控制方式对直流弧光放电PCVD金刚石膜的影响
被引量：
2
2
作者
张湘辉
汪灵
龙剑平
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第6期1554-1560,共7页
如何精确、高效地实现对基底温度的测控,并获得优化的温度参数,对于CVD金刚石制备技术至关重要。本文采用自主研制的具有新型基底温度自动控制系统的直流弧光放电PCVD设备,分别进行了基底温度开环、闭环及开闭环复合控制下的金刚石薄膜...
如何精确、高效地实现对基底温度的测控,并获得优化的温度参数,对于CVD金刚石制备技术至关重要。本文采用自主研制的具有新型基底温度自动控制系统的直流弧光放电PCVD设备,分别进行了基底温度开环、闭环及开闭环复合控制下的金刚石薄膜制备研究,并采用SEM,激光Raman光谱仪对所制备薄膜的形貌品质进行了分析。研究结果表明:基底温控方式的不同会明显影响CVD金刚石膜的晶体、生长特征及品质,尤其造成了薄膜生长中二次形核密度以及非金刚石成分的显著变化;在保证系统稳定运行的前提下,当其它沉积参数恒定时,受控下的基底温度控制精度及控制品质的实时变化是影响CVD金刚石膜生长性能的主要因素,其中控制精度介于±5℃～±15℃间变化,而控制品质受控制方式的影响较大;相对于控制精度而言,控制品质的变化对常规金刚石薄膜生长性能的影响更为明显。对于此系统,只有采用开-闭环复合控制,且开环流量维持在其单独工作流量的20%时,才能保证基底温度控制精度、控制品质及所制备的CVD金刚石薄膜的质量最佳。
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关键词
直流弧光放电PCVD法
金刚石薄膜
基底温度
开
环、
闭环
及
开
闭环
复合控制
方式
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职称材料
题名
基底温度复合控制对化学气相沉积纳米金刚石薄膜的影响
1
作者
张湘辉
汪灵
龙剑平
邓苗
冯珊
机构
成都理工大学材料与化学化工学院
成都理工大学金刚石薄膜实验室
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第21期3018-3022,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(50974025
40572030)
+4 种基金
国家公益性行业科学专项经费资助项目(201011005-5)
四川省科技厅重点科技攻关资助项目(05GG021-001)
四川省教育厅自然科学资助项目(2003A142
07ZB009)
成都理工大学研究基金资助项目(2005GY02)
文摘
采用自主研制的具有基底温度开-闭环复合自动控制系统的直流弧光放电PCVD设备,当开环流量不同时,在硬质合金基体表面分别进行了纳米金刚石薄膜制备研究。并采用SEM、XRD、激光Raman光谱仪对所制备薄膜的形貌、物相和品质进行了分析。研究结果表明,当开环流量从10→5→15→20mL/min变化时,所制备纳米金刚石薄膜的表面粗糙度及石墨成分会随之增加,金刚石晶粒转变为以(110)面生长为主,且尺寸增大;并加剧了硬质合金基体中Co相粘结剂向基体表面的扩散。温控中基底温度的波动(稳定性)是影响纳米金刚石薄膜生长性能的主要原因。
关键词
直流弧光放电等离子体化学气相沉积法
纳米金刚石薄膜
基底温度
开
-
闭环
复合控制
Keywords
DC arc discharge plasma chemical vapor deposition
nanocrystalline diamond films
substrate temperature
opened and closed loop composite control method
分类号
TG174.442 [金属学及工艺—金属表面处理]
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职称材料
题名
基底温度控制方式对直流弧光放电PCVD金刚石膜的影响
被引量：
2
2
作者
张湘辉
汪灵
龙剑平
机构
成都理工大学材料与化学化工学院
成都理工大学金刚石薄膜实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第6期1554-1560,共7页
基金
国家自然科学基金项目(50974025
40572030)
+4 种基金
国家公益性行业科学专项经费课题(201011005-5)
四川省科技厅重点科技攻关项目(05GG021-001)
四川省教育厅自然科学项目(2003A142
07ZB009)
成都理工大学研究基金项目(2005GY02)
文摘
如何精确、高效地实现对基底温度的测控,并获得优化的温度参数,对于CVD金刚石制备技术至关重要。本文采用自主研制的具有新型基底温度自动控制系统的直流弧光放电PCVD设备,分别进行了基底温度开环、闭环及开闭环复合控制下的金刚石薄膜制备研究,并采用SEM,激光Raman光谱仪对所制备薄膜的形貌品质进行了分析。研究结果表明:基底温控方式的不同会明显影响CVD金刚石膜的晶体、生长特征及品质,尤其造成了薄膜生长中二次形核密度以及非金刚石成分的显著变化;在保证系统稳定运行的前提下,当其它沉积参数恒定时,受控下的基底温度控制精度及控制品质的实时变化是影响CVD金刚石膜生长性能的主要因素,其中控制精度介于±5℃～±15℃间变化,而控制品质受控制方式的影响较大;相对于控制精度而言,控制品质的变化对常规金刚石薄膜生长性能的影响更为明显。对于此系统,只有采用开-闭环复合控制,且开环流量维持在其单独工作流量的20%时,才能保证基底温度控制精度、控制品质及所制备的CVD金刚石薄膜的质量最佳。
关键词
直流弧光放电PCVD法
金刚石薄膜
基底温度
开
环、
闭环
及
开
闭环
复合控制
方式
Keywords
DC arc discharge plasma chemical vapor deposition method
diamond films
substrate temperature
opened-loop
closed-loop
opened and closed-loop compound control method
分类号
O782.7 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基底温度复合控制对化学气相沉积纳米金刚石薄膜的影响
张湘辉
汪灵
龙剑平
邓苗
冯珊
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
下载PDF
职称材料
2
基底温度控制方式对直流弧光放电PCVD金刚石膜的影响
张湘辉
汪灵
龙剑平
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
2
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职称材料
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