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压接型IGBT芯片的参数分散性对其并联时开通均流的影响
被引量：
2
1
作者
曹子楷
崔翔
+2 位作者
李学宝
范迦羽
詹雍凡
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2023年第20期8025-8037,共13页
压接型绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)的多芯片并联技术已成为大功率器件设计的核心之一,而并联压接型IGBT芯片的开通均流问题因续流二极管反向恢复的存在需被重点关注。为研究压接型IGBT芯片的参数分散性...
压接型绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)的多芯片并联技术已成为大功率器件设计的核心之一,而并联压接型IGBT芯片的开通均流问题因续流二极管反向恢复的存在需被重点关注。为研究压接型IGBT芯片的参数分散性对其并联时开通均流的影响,文中首先根据IGBT单芯片的开通机理和波形揭示芯片参数对IGBT开通各个阶段内集电极电流变化的影响规律;其次,通过统计直方图获得IGBT芯片阈值电压和饱和管压降等参数的正态分布特性,提出多芯片并联开通过程中集电极电流分布的统计分析方法,掌握并联IGBT芯片的参数分散性对其开通过程中电流分布的定量影响规律,推导开通过程中芯片电流的计算公式;最后,在并联双芯片的双脉冲实验中验证所得结论的有效性,提出调节阈值电压与跨导的比例以及控制饱和管压降的极差等筛选策略。本文的研究成果可以为并联压接型IGBT芯片的参数筛选提供理论指导和数据支撑。
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关键词
压接型IGBT
开通
均
流
芯片参数
筛选策略
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职称材料
题名
压接型IGBT芯片的参数分散性对其并联时开通均流的影响
被引量：
2
1
作者
曹子楷
崔翔
李学宝
范迦羽
詹雍凡
机构
新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学)
出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2023年第20期8025-8037,共13页
基金
国家自然科学基金委员会–国家电网公司智能电网联合基金(U1766219)。
文摘
压接型绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)的多芯片并联技术已成为大功率器件设计的核心之一,而并联压接型IGBT芯片的开通均流问题因续流二极管反向恢复的存在需被重点关注。为研究压接型IGBT芯片的参数分散性对其并联时开通均流的影响,文中首先根据IGBT单芯片的开通机理和波形揭示芯片参数对IGBT开通各个阶段内集电极电流变化的影响规律;其次,通过统计直方图获得IGBT芯片阈值电压和饱和管压降等参数的正态分布特性,提出多芯片并联开通过程中集电极电流分布的统计分析方法,掌握并联IGBT芯片的参数分散性对其开通过程中电流分布的定量影响规律,推导开通过程中芯片电流的计算公式;最后,在并联双芯片的双脉冲实验中验证所得结论的有效性,提出调节阈值电压与跨导的比例以及控制饱和管压降的极差等筛选策略。本文的研究成果可以为并联压接型IGBT芯片的参数筛选提供理论指导和数据支撑。
关键词
压接型IGBT
开通
均
流
芯片参数
筛选策略
Keywords
press-pack insulated gate bipolar transistor(IGBT)
current sharing during turn-on process
chip parameter
screening strategy
分类号
TM726.3 [电气工程—电力系统及自动化]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
压接型IGBT芯片的参数分散性对其并联时开通均流的影响
曹子楷
崔翔
李学宝
范迦羽
詹雍凡
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2023
2
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职称材料
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