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垂直腔面发射激光器制作新工艺
被引量：
10
1
作者
郝永芹
刘文莉
+3 位作者
钟景昌
张永明
冯源
赵英杰
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期443-446,共4页
采用一种新工艺制作了垂直腔面发射激光器（VCSEL），即用开环分布孔取代以往的环形沟道作为氧化物限制技术的注入窗口。因开环分布孔间形成多个桥，为电注入提供了天然的桥状通道，解决了电极过沟断线问题。这种新结构器件的输出功率...
采用一种新工艺制作了垂直腔面发射激光器（VCSEL），即用开环分布孔取代以往的环形沟道作为氧化物限制技术的注入窗口。因开环分布孔间形成多个桥，为电注入提供了天然的桥状通道，解决了电极过沟断线问题。这种新结构器件的输出功率约为以往结构器件的1．34倍。在20℃～80℃范围内，对器件的输出功率、阈值电流及波长漂移性进行了研究。60℃时最大输出光功率可达到6mW。激射波长随温度升高呈线性变化，且向长波方向移动，速率为0．06nm／℃。由实验结果计算出器件的热阻为1．96℃／mw。
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关键词
激光技术
垂直腔面发射激光器
开环
分布
孔
氧化物限制技术
量子阱
半导体激光器
原文传递
题名
垂直腔面发射激光器制作新工艺
被引量：
10
1
作者
郝永芹
刘文莉
钟景昌
张永明
冯源
赵英杰
机构
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
沈阳化工学院材料科学与工程学院
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期443-446,共4页
基金
国家自然科学基金(60306004)资助项目
文摘
采用一种新工艺制作了垂直腔面发射激光器（VCSEL），即用开环分布孔取代以往的环形沟道作为氧化物限制技术的注入窗口。因开环分布孔间形成多个桥，为电注入提供了天然的桥状通道，解决了电极过沟断线问题。这种新结构器件的输出功率约为以往结构器件的1．34倍。在20℃～80℃范围内，对器件的输出功率、阈值电流及波长漂移性进行了研究。60℃时最大输出光功率可达到6mW。激射波长随温度升高呈线性变化，且向长波方向移动，速率为0．06nm／℃。由实验结果计算出器件的热阻为1．96℃／mw。
关键词
激光技术
垂直腔面发射激光器
开环
分布
孔
氧化物限制技术
量子阱
半导体激光器
Keywords
laser technique
vertical-cavity surface emitting laser
open annulus distributed holes
oxide-confined process
quantum well
semiconductor laser
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
垂直腔面发射激光器制作新工艺
郝永芹
刘文莉
钟景昌
张永明
冯源
赵英杰
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
10
原文传递
已选择
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参考文献
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