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ZnO基薄膜晶体管的研究
被引量：
8
1
作者
程松华
曾祥斌
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期515-520,共6页
ZnO是一种宽带隙的光电半导体材料,能应用于很多领域,如可用在压敏变阻器、声表面波器件、气敏元件、紫外光探测等。ZnO也可以作为有源层应用于薄膜晶体管(TFT)中。ZnO基薄膜晶体管具有以下突出优势:对于可见光部分平均具有80%以上的透...
ZnO是一种宽带隙的光电半导体材料,能应用于很多领域,如可用在压敏变阻器、声表面波器件、气敏元件、紫外光探测等。ZnO也可以作为有源层应用于薄膜晶体管(TFT)中。ZnO基薄膜晶体管具有以下突出优势:对于可见光部分平均具有80%以上的透射率,迁移率可以高达36cm2/V·s,开/关电流比大于106,可在较低温度(甚至室温)下制备。基于这些优点,ZnOTFT具有取代有源矩阵液晶显示器中常规a-SiTFT的趋势。同时对ZnOTFT的研究也推动了透明电子学的发展。本文阐述了ZnOTFT优越的电学性能,指出了其目前尚存在的不足,并对其发展前景进行了展望。
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关键词
ZNO
TFT
迁移率
开
/
关
电流
比
有源矩阵液晶显示器
开
口率
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职称材料
题名
ZnO基薄膜晶体管的研究
被引量：
8
1
作者
程松华
曾祥斌
机构
华中科技大学电子科学与技术系
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期515-520,共6页
文摘
ZnO是一种宽带隙的光电半导体材料,能应用于很多领域,如可用在压敏变阻器、声表面波器件、气敏元件、紫外光探测等。ZnO也可以作为有源层应用于薄膜晶体管(TFT)中。ZnO基薄膜晶体管具有以下突出优势:对于可见光部分平均具有80%以上的透射率,迁移率可以高达36cm2/V·s,开/关电流比大于106,可在较低温度(甚至室温)下制备。基于这些优点,ZnOTFT具有取代有源矩阵液晶显示器中常规a-SiTFT的趋势。同时对ZnOTFT的研究也推动了透明电子学的发展。本文阐述了ZnOTFT优越的电学性能,指出了其目前尚存在的不足,并对其发展前景进行了展望。
关键词
ZNO
TFT
迁移率
开
/
关
电流
比
有源矩阵液晶显示器
开
口率
Keywords
ZnO TFT
mobility
current on/off ratio
active-matrix liquid crystal display
aperture ratio
分类号
TN141 [电子电信—物理电子学]
TN386.2
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ZnO基薄膜晶体管的研究
程松华
曾祥斌
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2006
8
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