期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
IGCT器件的光刻技术
1
作者
戴小平
熊红云
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期470-473,共4页
主要介绍了集成门极换流晶闸管(IGCT)的光刻技术。IGCT器件的光刻次数多,精度要求高,如何保证光刻质量是关键。根据IGCT光刻的特点,从光刻机的性能、光刻胶的选用以及刻蚀工艺改进着手,进行了大量的研究工作,较好地保证了IGCT的光刻质量...
主要介绍了集成门极换流晶闸管(IGCT)的光刻技术。IGCT器件的光刻次数多,精度要求高,如何保证光刻质量是关键。根据IGCT光刻的特点,从光刻机的性能、光刻胶的选用以及刻蚀工艺改进着手,进行了大量的研究工作,较好地保证了IGCT的光刻质量,使芯片梳条废条率低于万分之二,促成了IGCT器件的研制成功。
展开更多
关键词
集成门极换流晶闸管器件
光刻
废
条
率
下载PDF
职称材料
题名
IGCT器件的光刻技术
1
作者
戴小平
熊红云
机构
中南大学信息科学与工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期470-473,共4页
文摘
主要介绍了集成门极换流晶闸管(IGCT)的光刻技术。IGCT器件的光刻次数多,精度要求高,如何保证光刻质量是关键。根据IGCT光刻的特点,从光刻机的性能、光刻胶的选用以及刻蚀工艺改进着手,进行了大量的研究工作,较好地保证了IGCT的光刻质量,使芯片梳条废条率低于万分之二,促成了IGCT器件的研制成功。
关键词
集成门极换流晶闸管器件
光刻
废
条
率
Keywords
IGCT device
photolithograph
ratio of bad cathode segments
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
TN305.7
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
IGCT器件的光刻技术
戴小平
熊红云
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部