在不同衬底温度(298、373和473 K)下,采用磁控溅射法在玻璃衬底上成功制备了Co 56 Ta 35 B 9非晶合金薄膜。利用纳米压痕技术研究了非晶合金薄膜的蠕变行为。结果表明:薄膜的模量和硬度随衬底温度的升高而升高。随着衬底温度的升高,薄...在不同衬底温度(298、373和473 K)下,采用磁控溅射法在玻璃衬底上成功制备了Co 56 Ta 35 B 9非晶合金薄膜。利用纳米压痕技术研究了非晶合金薄膜的蠕变行为。结果表明:薄膜的模量和硬度随衬底温度的升高而升高。随着衬底温度的升高,薄膜在蠕变过程中的应变速率敏感指数降低,蠕变抗力增大,剪切转变区体积缩小,塑性降低。采用纳米压痕保载阶段的数据拟合延迟谱,发现衬底温度越高,对应的延迟谱的峰强越低,说明原子排列均匀,从而解释了其模量和硬度提高的原因。展开更多
文摘在不同衬底温度(298、373和473 K)下,采用磁控溅射法在玻璃衬底上成功制备了Co 56 Ta 35 B 9非晶合金薄膜。利用纳米压痕技术研究了非晶合金薄膜的蠕变行为。结果表明:薄膜的模量和硬度随衬底温度的升高而升高。随着衬底温度的升高,薄膜在蠕变过程中的应变速率敏感指数降低,蠕变抗力增大,剪切转变区体积缩小,塑性降低。采用纳米压痕保载阶段的数据拟合延迟谱,发现衬底温度越高,对应的延迟谱的峰强越低,说明原子排列均匀,从而解释了其模量和硬度提高的原因。
