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GaN HFET研究的最新进展
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作者 薛舫时 《微纳电子技术》 CAS 2004年第9期1-13,共13页
综述了GaNHFET研究中材料生长和工艺研究的新进展,介绍了器件向高频、大功率方向发展的现状及其应用前景,总结了优化器件性能和商品化问题中的二维场结构和电子态、纳米金属介质层、应变能带工程及介质势垒等重要课题。
关键词 GAN HFET 二维场结构和电子态 纳米金属介质层 应变能带工程 介质势垒
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