期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
晶格畸变分析及其在半导体量子点结构中的应用(英文)
1
作者 金能韫 《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第3期190-199,共10页
在适当的成像条件下可以直接从高分辨透射电子像(HRTEM)以接近原子级的分辨率进行晶格畸变分析。本综述介绍晶格畸变分析(LADIA)程序包及其在半导体自组装量子点(QD)系统中的应用。对多层InP小QD系统中畸变分布的分析表明:光致发光(PL)... 在适当的成像条件下可以直接从高分辨透射电子像(HRTEM)以接近原子级的分辨率进行晶格畸变分析。本综述介绍晶格畸变分析(LADIA)程序包及其在半导体自组装量子点(QD)系统中的应用。对多层InP小QD系统中畸变分布的分析表明:光致发光(PL)能量峰位的红移和QD中的应变弛豫直接相关。在慢速生长的InAs大QD系统中应变引起的元素互溶是PL峰位蓝移的主要因素。多层系统中QD的垂直叠合可解释为间隔层厚度低于临界值时生长前沿的横向张应变的作用。研究了生长以后不同条件快速退火对QD稳定性的影响,观测到垂直叠合的InP QD中出现各向异性的退火不稳定性。 展开更多
关键词 高分辨透射电子术(HRTEM) 定量高分辨透射电子术 应变像 半导体量子点 光致发光
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部