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强CHIP性质和广义限制域逼近的特征 被引量:2
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作者 方东辉 李冲 杨文善 《数学学报(中文版)》 SCIE CSCD 北大核心 2004年第6期1115-1122,共8页
本文研究了广义限制域的最佳逼近问题,在允许有有限个节点的情况下,引入次强内点条件的概念,并将优化理论中的强CHIP性质等概念应用到本文所研究的问题中,刻画了次强内点、强CHIP性质和最佳逼近的特征之间的关系.作为推论,我们得到了广... 本文研究了广义限制域的最佳逼近问题,在允许有有限个节点的情况下,引入次强内点条件的概念,并将优化理论中的强CHIP性质等概念应用到本文所研究的问题中,刻画了次强内点、强CHIP性质和最佳逼近的特征之间的关系.作为推论,我们得到了广义限制最佳逼近的Kolmogorov型和“零属于凸包”型等特征定理. 展开更多
关键词 强CHIP 最佳逼近 次强内点条件 广义限制
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