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Al单晶的结合能和晶格常数的第一性原理计算研究 被引量：2
1
作者 汪志刚 陈杰 文玉华 《乐山师范学院学报》 2008年第5期30-31,共2页
基于密度泛函理论框架下平面波赝势法的VASP软件包可以根据任意给定的一个晶胞棱边长度在原胞内求解Kohn-Sham方程,并算出相应的结合能,当结合能为最小值时,整个原胞的结构最为稳定,此时原胞的长度即为晶格常数。我们采用此方法计算了A... 基于密度泛函理论框架下平面波赝势法的VASP软件包可以根据任意给定的一个晶胞棱边长度在原胞内求解Kohn-Sham方程,并算出相应的结合能,当结合能为最小值时,整个原胞的结构最为稳定,此时原胞的长度即为晶格常数。我们采用此方法计算了Al单晶的结合能和晶格常数,计算的结果与实验吻合得很好。 展开更多
关键词 结合能 晶格常数 第一性原理计算 平面波赝势法
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过渡金属氮化物的结合能第一原理计算 被引量：1
2
作者 刘学杰 张亮 《金属世界》 2009年第C00期11-14,共4页
本文采用第一原理平面波赝势法计算出过渡金属氮化物的晶格常数,在此基础上计算该类物质晶格原胞的总能量,以及分别计算各单原子能量,进而利用结合能公式计算出该类晶体结合能。计算结果与试验值符合的很好,从而验证了通过第一原理计算... 本文采用第一原理平面波赝势法计算出过渡金属氮化物的晶格常数,在此基础上计算该类物质晶格原胞的总能量,以及分别计算各单原子能量,进而利用结合能公式计算出该类晶体结合能。计算结果与试验值符合的很好,从而验证了通过第一原理计算可以准确的获得材料的很多特征参数。 展开更多
关键词 第一性原理计算 平面波赝势法 晶格常数 结合能
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N/Zr共掺杂锐钛矿型TiO_2光催化协同作用机制的第一性原理研究 被引量：10
3
作者 熊斯雨 王乐 +1 位作者 董前民 梁培 《中国科学：物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2012年第1期6-14,共9页
采用平面波超软赝势法计算了N,Zr单掺杂和共掺杂锐钛矿型TiO2的电子结构和光学性质.根据能量最低原理比较了不同替位掺杂构型的最稳定结构,而后分析单、共掺杂构型中各自的能带结构,通过计算态密度及分波态密度分析了其光学性质改善机制... 采用平面波超软赝势法计算了N,Zr单掺杂和共掺杂锐钛矿型TiO2的电子结构和光学性质.根据能量最低原理比较了不同替位掺杂构型的最稳定结构,而后分析单、共掺杂构型中各自的能带结构,通过计算态密度及分波态密度分析了其光学性质改善机制.此外通过分析体系的电荷密度图得出N与Zr有团簇成键的趋势.对不同掺杂体系的光学性质进行了对比分析,发现共掺杂方法可以有效增强TiO2材料对可见光的吸收以促进其更好的利用太阳能.本文的理论计算和分析将有助于理解共掺杂方法提高TiO2光催化效应的协同作用机制. 展开更多
关键词 平面波超软赝势法 光催化协同作用 共掺杂方法 TIO2
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压力作用下透明导电氧化物2H-CuGaO2的结构和性能 被引量：1
4
作者 刘启祥 刘文婷 +2 位作者 鲁一荻 史奔 马艳恒 《工业技术创新》 2019年第3期86-90,共5页
铜铁矿材料(CuMO2)性能优良,是具有本征p型半导体特性的透明导电氧化物,且有2H和3R两种结构。为研究2H-CuGaO2的结构和性能,基于密度泛函理论(DFT)框架下的平面波超软赝势法,计算了压力作用下2H-CuGaO2的晶体结构、弹性性质和电子结构... 铜铁矿材料(CuMO2)性能优良,是具有本征p型半导体特性的透明导电氧化物,且有2H和3R两种结构。为研究2H-CuGaO2的结构和性能,基于密度泛函理论(DFT)框架下的平面波超软赝势法,计算了压力作用下2H-CuGaO2的晶体结构、弹性性质和电子结构。研究发现:1)压力增加能够导致2H-CuGaO2晶胞的收缩;2)在0~30GPa压力范围内,2H-CuGaO2是延展性材料;3)当压力为20.83GPa时,2H-CuGaO2变得不稳定;4)2H-CuGaO2是间接跃迁带隙半导体,价带主要由Cu的3d态及O的2p态电子构成,导带主要由Cu的3p态及O的2p态电子构成,且当压力增加时,带隙值线性增大。本研究对相关材料的使用有参考作用。 展开更多
关键词 透明导电氧化物 2H-CuGaO2 压力 弹性常数 平面波超软赝势法
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Ni_3V_2O_8电子结构及光学性质的理论研究
5
作者 周传仓 张飞鹏 +1 位作者 路清梅 张忻 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期42-46,共5页
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法在广义梯度近似下计算了Ni_3V_2O_8的能带结构、电子态密度及其光学性质。计算结果表明,Ni_3V_2O_8存在宽度为1.0eV的间接带隙,其费米能级附近电子有弱迁移性;费米能级附近主要为Ni d... 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法在广义梯度近似下计算了Ni_3V_2O_8的能带结构、电子态密度及其光学性质。计算结果表明,Ni_3V_2O_8存在宽度为1.0eV的间接带隙,其费米能级附近电子有弱迁移性;费米能级附近主要为Ni d、Vd和Op轨道形成的能带,且轨道之间有较强的杂化作用。当入射光能量为2.16eV时,电子将从价带顶的Nid轨道跃迁至导带底的Op轨道;当入射光能量为3.14eV时,电子则从价带中的Vd轨道跃迁至导带中的Op轨道。Ni_3V_2O_8的吸收光谱在7.26eV处出现最强吸收峰,光学带隙为3.47eV。 展开更多
关键词 Ni3V2O8 电子结构 光学性质 密度泛函理论 平面波超软赝势法 广义梯度近似
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α-Al_2O_3基片(0001)表面及其对ZnO吸附位置研究 被引量：2
6
作者 杨春 李言荣 +3 位作者 陶佰万 刘兴钊 张鹰 刘永华 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期5-10,共6页
建立了一种 2× 2α Al2 O3 (0 0 0 1)基片表面吸附ZnO模型 ,在周期边界条件下的k空间中 ,采用基于密度泛函理论的局域密度近似平面波超软赝势法 ,对α Al2 O3 (0 0 0 1)基片表面结构及其ZnO分子在表面最初吸附生长位置进行了计算... 建立了一种 2× 2α Al2 O3 (0 0 0 1)基片表面吸附ZnO模型 ,在周期边界条件下的k空间中 ,采用基于密度泛函理论的局域密度近似平面波超软赝势法 ,对α Al2 O3 (0 0 0 1)基片表面结构及其ZnO分子在表面最初吸附生长位置进行了计算研究。由于较大的表面弛豫 ,使得氧原子全部暴露于基片最外表面 ,明显地表现出O原子电子表面态 ;驰豫后的表面能对ZnO分子产生较强的化学吸附 ,表面电子结构将发生明显的变化 ,其表面最优吸附生长点的方位正好偏离α Al2 O3 (0 0 0 1)表面氧六角对称 30° ;并计算了这些吸附生长点处Zn与表面O的结合能。 展开更多
关键词 α-A12O3基片 氧化锌薄膜 局域密度近似平面波超软赝势法 吸附生长 半导体
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