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一种W波段SiGe BiCMOS平衡式功率放大器 被引量:4
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作者 徐余龙 施雨 +3 位作者 李庄 陶小辉 曹锐 桑磊 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第1期63-67,共5页
基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种W波段平衡式功率放大器。采用了由两个单级放大器和两个3dB差分正交耦合器组成的全差分结构。采用变压器匹配网络,实现了良好的输入与输出匹配性能。利用三维电磁场仿真软件进行了电磁仿真。仿... 基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种W波段平衡式功率放大器。采用了由两个单级放大器和两个3dB差分正交耦合器组成的全差分结构。采用变压器匹配网络,实现了良好的输入与输出匹配性能。利用三维电磁场仿真软件进行了电磁仿真。仿真结果表明,在90~100GHz频段内,输入与输出的匹配良好,输入反射系数S11小于-17dB,输出反射系数S22小于-14dB。在94GHz频率处,小信号增益为6.1dB,输出1dB压缩点功率为10.2dBm。芯片尺寸为1.22mm×1.42mm。该功率放大器适用于通信、雷达、成像等领域。 展开更多
关键词 平衡功率放大 变压匹配网络 W波段 SIGE BICMOS 耦合
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