TN142 2003032070在烧结氧化中Se气氛对真空微电子平板摄像管CdSe靶面性能的影响=Effect of Se source temperature on performancesof CdSe target in VME-FPC[刊,中]/吕永积(国家广电总局广播科学研究院光电研究所.北京(102206)),邵...TN142 2003032070在烧结氧化中Se气氛对真空微电子平板摄像管CdSe靶面性能的影响=Effect of Se source temperature on performancesof CdSe target in VME-FPC[刊,中]/吕永积(国家广电总局广播科学研究院光电研究所.北京(102206)),邵佑军…∥液晶与显示.—2002,17(3).—189-192CdSe是研制高灵敏真空微电子平板摄像管光导靶材材料,在CdSe靶材的结晶过程中Se气氛对形成完整的晶格结构起了至关重要的作用。展开更多
文摘TN142 2003032070在烧结氧化中Se气氛对真空微电子平板摄像管CdSe靶面性能的影响=Effect of Se source temperature on performancesof CdSe target in VME-FPC[刊,中]/吕永积(国家广电总局广播科学研究院光电研究所.北京(102206)),邵佑军…∥液晶与显示.—2002,17(3).—189-192CdSe是研制高灵敏真空微电子平板摄像管光导靶材材料,在CdSe靶材的结晶过程中Se气氛对形成完整的晶格结构起了至关重要的作用。
