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铜化学机械平坦化过抛过程中平坦化效率的计算方法
被引量：
4
1
作者
高娇娇
刘玉岭
+2 位作者
王辰伟
王胜利
崔晋
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第8期791-795,共5页
为了确保整个晶圆片上残余铜的去除,精抛后的过抛步骤至关重要,然而在铜过抛过程中会产生铜碟形坑和介质蚀坑等问题,去除残余铜的同时控制铜碟形坑和介质蚀坑是铜化学机械平坦化(CMP)研究的最重要的课题之一。为了解决这一问题,提出了...
为了确保整个晶圆片上残余铜的去除,精抛后的过抛步骤至关重要,然而在铜过抛过程中会产生铜碟形坑和介质蚀坑等问题,去除残余铜的同时控制铜碟形坑和介质蚀坑是铜化学机械平坦化(CMP)研究的最重要的课题之一。为了解决这一问题,提出了一种铜过抛化学机械平坦化过程中基于氧化反应的平坦化效率计算方法。实验显示该方法计算结果与实验数据一致。采用碱性铜精抛液对铜光片进行抛光,获得的数据显示,增加过氧化氢浓度可以获得较低的铜去除率以及几乎为零的阻挡层去除速率。布线片CMP的结果表明,增加过氧化氢浓度可以获得较小的碟形坑。对含有不同浓度过氧化氢的抛光液进行电化学实验研究,研究结果表明在铜表面有钝化层形成。综上所述,该计算方法是计算过抛过程平坦化效率的适当方法。
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关键词
平坦
化
效率
碱性铜精抛液
过抛
过氧
化
氢
碟形坑
钝
化
层
原文传递
碱性抛光液中纳米SiO_2磨料在Cu CMP中的作用
被引量：
4
2
作者
郑伟艳
刘玉岭
+4 位作者
王辰伟
王萌
戎向向
王海霞
田巧伟
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2013年第1期52-56,共5页
GLSI多层铜互连线的平坦化中,抛光液中的SiO2磨料对铜的平坦化效率具有重要的作用。研究了碱性纳米SiO2质量分数对300 mm铜去除速率和300 mm铜布线平坦化作用的影响。结果表明,随着磨料质量分数的增大,铜的去除速率增大,晶圆的均匀性变...
GLSI多层铜互连线的平坦化中,抛光液中的SiO2磨料对铜的平坦化效率具有重要的作用。研究了碱性纳米SiO2质量分数对300 mm铜去除速率和300 mm铜布线平坦化作用的影响。结果表明,随着磨料质量分数的增大,铜的去除速率增大,晶圆的均匀性变好,但磨料质量分数过高时,铜的去除速率略有降低,可能由于纳米SiO2表面硅羟基吸附在金属铜表面,导致质量传递作用变弱,引起速率降低。通过对图形片平坦化实验研究表明,随着磨料质量分数的增大,平坦化能力增强,这是因为磨料的质量分数增大使得高低速率差增大,能够有效消除高低差,实现平坦化。
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关键词
化
学机械抛光(CMP)
铜布线
磨料浓度
去除速率
平坦
化
效率
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职称材料
题名
铜化学机械平坦化过抛过程中平坦化效率的计算方法
被引量：
4
1
作者
高娇娇
刘玉岭
王辰伟
王胜利
崔晋
机构
河北工业大学电子信息工程学院
河北大学静电研究所
出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第8期791-795,共5页
基金
河北省自然科学基金项目(E2014202147)
河北省青年自然科学基金项目(F2015202267)资助
文摘
为了确保整个晶圆片上残余铜的去除,精抛后的过抛步骤至关重要,然而在铜过抛过程中会产生铜碟形坑和介质蚀坑等问题,去除残余铜的同时控制铜碟形坑和介质蚀坑是铜化学机械平坦化(CMP)研究的最重要的课题之一。为了解决这一问题,提出了一种铜过抛化学机械平坦化过程中基于氧化反应的平坦化效率计算方法。实验显示该方法计算结果与实验数据一致。采用碱性铜精抛液对铜光片进行抛光,获得的数据显示,增加过氧化氢浓度可以获得较低的铜去除率以及几乎为零的阻挡层去除速率。布线片CMP的结果表明,增加过氧化氢浓度可以获得较小的碟形坑。对含有不同浓度过氧化氢的抛光液进行电化学实验研究,研究结果表明在铜表面有钝化层形成。综上所述,该计算方法是计算过抛过程平坦化效率的适当方法。
关键词
平坦
化
效率
碱性铜精抛液
过抛
过氧
化
氢
碟形坑
钝
化
层
Keywords
planarization efficiency
alkaline copper clearing slurry
over-polish
hydrogen peroxide
dishing
passivation layer
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
碱性抛光液中纳米SiO_2磨料在Cu CMP中的作用
被引量：
4
2
作者
郑伟艳
刘玉岭
王辰伟
王萌
戎向向
王海霞
田巧伟
机构
河北工业大学微电子研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2013年第1期52-56,共5页
基金
国家中长期科技发展规划02国家科技重大专项(2009ZX02308)
文摘
GLSI多层铜互连线的平坦化中,抛光液中的SiO2磨料对铜的平坦化效率具有重要的作用。研究了碱性纳米SiO2质量分数对300 mm铜去除速率和300 mm铜布线平坦化作用的影响。结果表明,随着磨料质量分数的增大,铜的去除速率增大,晶圆的均匀性变好,但磨料质量分数过高时,铜的去除速率略有降低,可能由于纳米SiO2表面硅羟基吸附在金属铜表面,导致质量传递作用变弱,引起速率降低。通过对图形片平坦化实验研究表明,随着磨料质量分数的增大,平坦化能力增强,这是因为磨料的质量分数增大使得高低速率差增大,能够有效消除高低差,实现平坦化。
关键词
化
学机械抛光(CMP)
铜布线
磨料浓度
去除速率
平坦
化
效率
Keywords
chemical mechanical polishing（CMP）
copper interconnection
abrasive concentration
remove rate
planarization efficiency
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
铜化学机械平坦化过抛过程中平坦化效率的计算方法
高娇娇
刘玉岭
王辰伟
王胜利
崔晋
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
4
原文传递
2
碱性抛光液中纳米SiO_2磨料在Cu CMP中的作用
郑伟艳
刘玉岭
王辰伟
王萌
戎向向
王海霞
田巧伟
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2013
4
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