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快速光热退火制备硅基锗薄膜的机理研究
1
作者
王从杰
陈诺夫
+5 位作者
魏立帅
陶泉丽
贺凯
张航
白一鸣
陈吉堃
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期4179-4183,共5页
采用磁控溅射技术首先在单晶硅衬底上溅射石墨缓冲层,然后在石墨层上溅射沉积Ge薄膜。采用快速光热退火和常规热退火对Ge薄膜后续处理。通过X射线衍射及Raman光谱测试,研究不同退火条件下薄膜的晶化情况,揭示了光子在薄膜晶化中的作用...
采用磁控溅射技术首先在单晶硅衬底上溅射石墨缓冲层,然后在石墨层上溅射沉积Ge薄膜。采用快速光热退火和常规热退火对Ge薄膜后续处理。通过X射线衍射及Raman光谱测试,研究不同退火条件下薄膜的晶化情况,揭示了光子在薄膜晶化中的作用。研究表明,光量子效应对锗薄膜晶化既有晶化作用,也有退晶化作用。
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关键词
硅基锗薄膜
常规
热
退火
快速光
热
退火
光量子效应
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职称材料
退火对铝诱导结晶锗薄膜的影响及其机理
2
作者
贺凯
陈诺夫
+2 位作者
魏立帅
王从杰
陈吉堃
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第15期2571-2575,共5页
为实现在Si衬底上制备GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池,本工作尝试利用磁控溅射和常规退火技术,采用铝诱导结晶(AIC)法在(100)晶面单晶硅衬底上制备Ge薄膜,利用金相显微镜(Metallographic microscopy)、X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman...
为实现在Si衬底上制备GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池,本工作尝试利用磁控溅射和常规退火技术,采用铝诱导结晶(AIC)法在(100)晶面单晶硅衬底上制备Ge薄膜,利用金相显微镜(Metallographic microscopy)、X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)对其进行表征。分析了铝诱导过程中退火时间和退火温度对Ge薄膜结晶性的影响,发现退火温度越低、时间越长,制备的薄膜质量越好,确定了Ge薄膜晶化的最低退火温度为250℃,并在该温度下成功制备出了晶粒尺寸超过100nm、Ge(111)晶面择优取向度达到99%以上的Ge薄膜。
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关键词
磁控溅射
常规
热
退火
铝诱导结晶
锗薄膜
多结太阳电池
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职称材料
题名
快速光热退火制备硅基锗薄膜的机理研究
1
作者
王从杰
陈诺夫
魏立帅
陶泉丽
贺凯
张航
白一鸣
陈吉堃
机构
华北电力大学可再生能源学院
北京科技大学材料学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期4179-4183,共5页
基金
北京市自然科学基金资助项目(2151004)
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(2016MS50)
文摘
采用磁控溅射技术首先在单晶硅衬底上溅射石墨缓冲层,然后在石墨层上溅射沉积Ge薄膜。采用快速光热退火和常规热退火对Ge薄膜后续处理。通过X射线衍射及Raman光谱测试,研究不同退火条件下薄膜的晶化情况,揭示了光子在薄膜晶化中的作用。研究表明,光量子效应对锗薄膜晶化既有晶化作用,也有退晶化作用。
关键词
硅基锗薄膜
常规
热
退火
快速光
热
退火
光量子效应
Keywords
silicon-based germanium film
conventional thermal annealing
rapid thermal annealing
photon quantum effect
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
退火对铝诱导结晶锗薄膜的影响及其机理
2
作者
贺凯
陈诺夫
魏立帅
王从杰
陈吉堃
机构
华北电力大学可再生能源学院
北京科技大学材料科学与工程学院
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第15期2571-2575,共5页
基金
中央高校基本科研业务费专项资金(2016MS50)
北京市自然科学基金(2151004)
文摘
为实现在Si衬底上制备GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池,本工作尝试利用磁控溅射和常规退火技术,采用铝诱导结晶(AIC)法在(100)晶面单晶硅衬底上制备Ge薄膜,利用金相显微镜(Metallographic microscopy)、X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)对其进行表征。分析了铝诱导过程中退火时间和退火温度对Ge薄膜结晶性的影响,发现退火温度越低、时间越长,制备的薄膜质量越好,确定了Ge薄膜晶化的最低退火温度为250℃,并在该温度下成功制备出了晶粒尺寸超过100nm、Ge(111)晶面择优取向度达到99%以上的Ge薄膜。
关键词
磁控溅射
常规
热
退火
铝诱导结晶
锗薄膜
多结太阳电池
Keywords
magnetron sputtering
conventional thermal annealing
aluminum-induced crystallization
germanium thin film
multi-junction solar cell
分类号
TM914.42 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
快速光热退火制备硅基锗薄膜的机理研究
王从杰
陈诺夫
魏立帅
陶泉丽
贺凯
张航
白一鸣
陈吉堃
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
0
下载PDF
职称材料
2
退火对铝诱导结晶锗薄膜的影响及其机理
贺凯
陈诺夫
魏立帅
王从杰
陈吉堃
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
0
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职称材料
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