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测试温度对nc-Si∶H膜光致发光特性的影响 被引量：2
1
作者 彭英才 刘明 +3 位作者 何宇亮 江兴流 李国华 韩和相 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期56-59,共4页
利用常规等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）工艺制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜，并对其光致发光（ＰＬ）特性从１０～２５０Ｋ温度范围内进行了变温测量．实验结果指出，随着测试温度升高，ＰＬ峰值能量发生了５４ｍｅＶ的红移，ＰＬ强度在... 利用常规等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）工艺制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜，并对其光致发光（ＰＬ）特性从１０～２５０Ｋ温度范围内进行了变温测量．实验结果指出，随着测试温度升高，ＰＬ峰值能量发生了５４ｍｅＶ的红移，ＰＬ强度在Ｔ＞８０Ｋ后呈指数下降趋势．ＰＬ峰值能量的红移起因于带隙的收缩，而ＰＬ强度的减弱则是由于非辐射复合起了主导作用． 展开更多
关键词 光致发光 带隙收缩 单晶硅 氢化 薄膜 测试温度
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GaAs半导体激光器线宽展宽因子的理论计算 被引量：2
2
作者 张帆 李林 +5 位作者 王勇 邹永刚 李占国 马晓辉 隋庆学 刘国军 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期521-525,共5页
本文利用简单模型综合考虑了带间跃迁、自由载流子吸收和带隙收缩对半导体激光器线宽展宽因子的影响,给出了半导体激光器线宽展宽因子的一种较为简便的计算方法.首先从理论上推导出线宽展宽因子的计算公式,分析并计算了GaAs半导体激光... 本文利用简单模型综合考虑了带间跃迁、自由载流子吸收和带隙收缩对半导体激光器线宽展宽因子的影响,给出了半导体激光器线宽展宽因子的一种较为简便的计算方法.首先从理论上推导出线宽展宽因子的计算公式,分析并计算了GaAs半导体激光器的增益特性,并使用MATLAB软件中的Mupad工具包求解费米积分的数值解.然后根据得到的增益拟合曲线峰值的变化计算了带间跃迁对线宽展宽因子的影响.最后,分别讨论和计算了自由载流子吸收和带隙收缩对线宽展宽因子的影响.结果表明,带间跃迁和带隙收缩对线宽展宽因子的影响较大(α因子值分别为22.562,-6.853),而自由载流子吸收对线宽展宽因子的影响较小(只有-0.605). 展开更多
关键词 半导体激光器 线宽展宽因子 增益 自由载流子吸收 带隙收缩
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n型透明导电薄膜CdIn_2O_4电学性质的研究和大面积制备的最佳条件 被引量：2
3
作者 伞海生 陈冲 +2 位作者 何毓阳 王君 冯博学 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期1736-1741,共6页
在Ar +O2 气氛中 ,采用射频反应溅射Cd In靶制备CdIn2 O4 薄膜 .制得的薄膜经x射线衍射 (XRD)检测为CdIn2 O4 和CdO相组成的多晶 .从理论上分析了热处理前后氧空位、掺杂点缺陷和富氧电子陷阱在影响膜的载流子浓度和电子散射中所起的重... 在Ar +O2 气氛中 ,采用射频反应溅射Cd In靶制备CdIn2 O4 薄膜 .制得的薄膜经x射线衍射 (XRD)检测为CdIn2 O4 和CdO相组成的多晶 .从理论上分析了热处理前后氧空位、掺杂点缺陷和富氧电子陷阱在影响膜的载流子浓度和电子散射中所起的重要作用 .同时 ,对样品进行Hall效应、Seebeck效应测试并得出不同载流子浓度下的迁移率、有效质量、弛豫时间以及它们之间的相互关系 ,特别强调了弛豫时间的重要性 .为了提高导电膜的透射率 ,还分析了Burstein Moss漂移和带隙收缩对光带隙的影响 ,并在薄膜制备时选择了合适的衬底温度Ts≈ 2 80℃ .实验表明 ,在氧分压为 8%左右时制备的薄膜质量较好 ,热处理后的指标大约为迁移率 μH =31× 10 - 4m2 V·s ,电阻率 ρ =1 89× 10 - 5Ω·m . 展开更多
关键词 透明导电薄膜 射频反应溅射 CdIn2O4 电学性质 导电机制 带隙收缩
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1.55μm-MQW-SLD连续工作状态下的性能
4
作者 韦文生 张春熹 +2 位作者 冯丽爽 周克足 王天民 《红外》 CAS 2004年第2期10-16,共7页
全面地测试并分析了峰值波长约为1.55μm的InGaAsP/InP多量子阱型超辐射激光二极管(MQW-SLD)模块的输出光功率、光谱和消光比随注入电流及温度变化的关系。结果表明:在连续工作状态下,此SLD模块显示了软阈值特性,其性能随着注入电流和... 全面地测试并分析了峰值波长约为1.55μm的InGaAsP/InP多量子阱型超辐射激光二极管(MQW-SLD)模块的输出光功率、光谱和消光比随注入电流及温度变化的关系。结果表明:在连续工作状态下,此SLD模块显示了软阈值特性,其性能随着注入电流和温度的变化而变化。 展开更多
关键词 超辐射激光二极管 光谱 输出功率 消光比 注入电流 量子阱 发光二极管 带隙收缩
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GaAs,GaAlAs的光荧光研究
5
作者 徐仲英 庄蔚华 张敬明 《发光学报》 EI CAS 1979年第Z1期129-136,共8页
发光光谱是研究半导体材料的发光效率,复合机构的一种有效手段,并且它对材料中引起发光复合的杂质和缺陷比较灵敏,对于提高发光器件和激光器的性能联系比较密切。GaAs的萤光光谱曾由许多作者研究过。
关键词 GaAs GaAlAs 费米能级 掺杂浓度 载流子浓度 载流子密度 带隙收缩 光谱半宽 价带 能带结构 重掺杂 导带 空带 跃迁 异质结构 发射峰
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重掺B对应变SiGe材料能带结构的影响 被引量：4
6
作者 姚飞 薛春来 +1 位作者 成步文 王启明 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期6654-6659,共6页
硅锗异质结双极晶体管(SiGeHBT)一般以重掺硼(B)的应变SiGe层作为基区.精确表征SiGe材料能带结构对SiGeHBT的设计具有重要的意义.在应变SiGe材料中,B的重掺杂一方面会因为重掺杂效应使带隙收缩,另一方面,B的引入还会部分补偿Ge引起的应... 硅锗异质结双极晶体管(SiGeHBT)一般以重掺硼(B)的应变SiGe层作为基区.精确表征SiGe材料能带结构对SiGeHBT的设计具有重要的意义.在应变SiGe材料中,B的重掺杂一方面会因为重掺杂效应使带隙收缩,另一方面,B的引入还会部分补偿Ge引起的应变,从而改变应变引起的带隙变化.在重掺B的应变SiGe能带结构研究中,采用半经验方法,考虑了B的应变补偿作用对能带的影响,对Jain-Roulston模型进行修正,并分析了重掺杂引起的带隙收缩在导带和价带的分布. 展开更多
关键词 SIGE材料 应变 带隙收缩(BGN) Jain-Roulston模型
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