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Si/SiO2和Si／SiNx／SiO2超晶格的能带结构
被引量：
3
1
作者
魏屹
董成军
徐明
《中国科学（G辑）》
CSCD
北大核心
2010年第1期55-59,共5页
利用Kronig-Penney模型从理论上计算了Si/SiO2和Si/SiNx/SiO2多层膜结构中量子阱的能带结构,进一步分析了各亚层薄膜厚度对能带结构和有效质量的影响.结果发现,适当减少亚层的厚度都能使得纳米Si薄膜的带隙发生明显宽化.在Si/SiO2超晶格...
利用Kronig-Penney模型从理论上计算了Si/SiO2和Si/SiNx/SiO2多层膜结构中量子阱的能带结构,进一步分析了各亚层薄膜厚度对能带结构和有效质量的影响.结果发现,适当减少亚层的厚度都能使得纳米Si薄膜的带隙发生明显宽化.在Si/SiO2超晶格中,Si量子阱层带隙能量随着Si层厚度的变化符合EPL(eV)=1.6+0.7/d2关系,与我们的计算结果十分吻合.在Si/SiNx/SiO2超晶格系统中,可以通过控制各亚层厚度,尤其是Si和SiNx层厚度,均能够有效地控制发光.
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关键词
K—P模型
超晶格
能带结构
Si层厚度
带隙
宽
化
量子限制效应
原文传递
Mg掺杂的ZnO薄膜的带隙宽化
2
作者
胡永金
吴云沛
+2 位作者
刘国营
史秋月
罗时军
《湖北汽车工业学院学报》
2013年第1期56-59,共4页
用溶胶-凝胶法分别在硅片和玻璃衬底上生长出了纯的和Mg掺杂的ZnO薄膜。通过对Mg掺杂的ZnO薄膜进行元素成分分析,证明Mg元素成功地掺入到ZnO晶格中。通过透射光谱,得到了其带隙能量,且大小随着掺杂浓度的增加而线性增大。在同样掺杂浓度...
用溶胶-凝胶法分别在硅片和玻璃衬底上生长出了纯的和Mg掺杂的ZnO薄膜。通过对Mg掺杂的ZnO薄膜进行元素成分分析,证明Mg元素成功地掺入到ZnO晶格中。通过透射光谱,得到了其带隙能量,且大小随着掺杂浓度的增加而线性增大。在同样掺杂浓度下,从光致发光光谱得到的带隙能量略大于通过透射光谱计算的结果,但是两者的增长率非常接近。
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关键词
Mg掺杂的ZnO薄膜
溶胶-凝胶法
掺杂浓度
带隙
宽
化
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职称材料
题名
Si/SiO2和Si／SiNx／SiO2超晶格的能带结构
被引量：
3
1
作者
魏屹
董成军
徐明
机构
四川范大学物理与电子工程学院
中国科学院国际材料物理中心
出处
《中国科学（G辑）》
CSCD
北大核心
2010年第1期55-59,共5页
基金
教育部留学回国人员科研启动项目(批准号:教外司留[2007]1108)
四川省青年科技基金(编号:08ZQ026-025)资助项目
文摘
利用Kronig-Penney模型从理论上计算了Si/SiO2和Si/SiNx/SiO2多层膜结构中量子阱的能带结构,进一步分析了各亚层薄膜厚度对能带结构和有效质量的影响.结果发现,适当减少亚层的厚度都能使得纳米Si薄膜的带隙发生明显宽化.在Si/SiO2超晶格中,Si量子阱层带隙能量随着Si层厚度的变化符合EPL(eV)=1.6+0.7/d2关系,与我们的计算结果十分吻合.在Si/SiNx/SiO2超晶格系统中,可以通过控制各亚层厚度,尤其是Si和SiNx层厚度,均能够有效地控制发光.
关键词
K—P模型
超晶格
能带结构
Si层厚度
带隙
宽
化
量子限制效应
Keywords
kronig-penney model, superlattices, energy band structure, thickness of Si layer, bandgap widening, quantumconfinement effect
分类号
O484.43 [理学—固体物理]
O471.5 [理学—物理]
原文传递
题名
Mg掺杂的ZnO薄膜的带隙宽化
2
作者
胡永金
吴云沛
刘国营
史秋月
罗时军
机构
湖北汽车工业学院理学系
湖北汽车工业学院材料工程系
出处
《湖北汽车工业学院学报》
2013年第1期56-59,共4页
基金
国家自然科学基金(10974048)
湖北省优秀中青年科技创新团队资助项目(T200805)
湖北省教育厅科研项目(B20122301)
文摘
用溶胶-凝胶法分别在硅片和玻璃衬底上生长出了纯的和Mg掺杂的ZnO薄膜。通过对Mg掺杂的ZnO薄膜进行元素成分分析,证明Mg元素成功地掺入到ZnO晶格中。通过透射光谱,得到了其带隙能量,且大小随着掺杂浓度的增加而线性增大。在同样掺杂浓度下,从光致发光光谱得到的带隙能量略大于通过透射光谱计算的结果,但是两者的增长率非常接近。
关键词
Mg掺杂的ZnO薄膜
溶胶-凝胶法
掺杂浓度
带隙
宽
化
Keywords
Mg-doped ZnO thin film
sol-gel method
dopant concentration
band gap widening
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Si/SiO2和Si／SiNx／SiO2超晶格的能带结构
魏屹
董成军
徐明
《中国科学（G辑）》
CSCD
北大核心
2010
3
原文传递
2
Mg掺杂的ZnO薄膜的带隙宽化
胡永金
吴云沛
刘国营
史秋月
罗时军
《湖北汽车工业学院学报》
2013
0
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职称材料
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