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单层MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金的合成及MoS_(2(1-x))Se_(2x)(x=0.25)场效应晶体管的光电特性 被引量：3
1
作者 张佩茹 刘欢 +1 位作者 胡加兴 邓立儿 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第16期177-185,共9页
二硫化钼的合金化/掺杂是探索二维材料在微电子器件中潜在应用的一种新途径。使用化学气相沉积法,并利用氯化钠辅助生长,通过调节硫粉和硒粉的质量比,在SiO_(2)/Si衬底上获得了6种不同组分的单层MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金,光致发光峰位置... 二硫化钼的合金化/掺杂是探索二维材料在微电子器件中潜在应用的一种新途径。使用化学气相沉积法,并利用氯化钠辅助生长,通过调节硫粉和硒粉的质量比,在SiO_(2)/Si衬底上获得了6种不同组分的单层MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金,光致发光峰位置在678(~1.83 eV)~813 nm(~1.53 eV)范围内变化。连续生长的大面积单层MoS2(1-x)Se_(2x)(x=0.25)合金的横向尺寸可达到200μm。为了研究MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金的光电特性,使用了大面积生长的单层MoS_(2(1-x))Se_(2x)(x=0.25)合金制备了场效应晶体管。光电测试结果表明,520 nm激光照射下的单层MoS_(2(1-x))Se_(2x)(x=0.25)场效应晶体管响应度达到了940 mA·W^(-1),检测率为5.32×10^(10)cm·Hz^(1/2)·W^(-1),快速响应时间为8 ms。 展开更多
关键词 材料 硫硒化钼 化学气相沉积 过渡金属硫族化合物 带隙可调 场效应晶体管
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带隙可调光子晶体的研究进展 被引量：2
2
作者 周之燕 王秀峰 +1 位作者 师杰 江红涛 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期65-69,共5页
介绍了近几年带隙可调光子晶体的研究进展。带隙调节的机制主要有改变晶体材料的平均折射率和改变晶体的结构参数两种。综述了通过电场调制、磁场调制、压力调制、光照调制、温度调制和复合调制等实现带隙实时可调的研究进展,提出了目... 介绍了近几年带隙可调光子晶体的研究进展。带隙调节的机制主要有改变晶体材料的平均折射率和改变晶体的结构参数两种。综述了通过电场调制、磁场调制、压力调制、光照调制、温度调制和复合调制等实现带隙实时可调的研究进展,提出了目前存在的问题及研究方向。 展开更多
关键词 光子带隙 可调光子晶体 光子晶体 带隙可调
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基于材料相变的声子晶体带隙可调结构设计与性能分析 被引量：2
3
作者 刘书田 毛竹新 《计算力学学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第4期549-555,共7页
提出一种基于材料相变的穿孔型带隙可调声子晶体结构。其结构形式为含缝隙的形状记忆合金和环氧树脂的组合体,通过温度变化诱发相变引起的形状记忆合金材料性质的变化,实现声子晶体的带隙变化;通过合理布置缝隙与形状记忆合金相变材料... 提出一种基于材料相变的穿孔型带隙可调声子晶体结构。其结构形式为含缝隙的形状记忆合金和环氧树脂的组合体,通过温度变化诱发相变引起的形状记忆合金材料性质的变化,实现声子晶体的带隙变化;通过合理布置缝隙与形状记忆合金相变材料的位置,实现声子晶体带隙性质的可调设计。基于有限元方法,建立了可调声子晶体的分析模型,分析了形状记忆合金的填充分数以及相变等对带隙性能的影响规律。分析结果表明,通过合理设计微结构形式,材料相变可实现带隙位置和宽度的调节,同时可实现特定频段内带隙的有无。 展开更多
关键词 声子晶体 带隙可调 形状记忆合金 超材料/结构 有限元法
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带隙可调铌酸钾基铁电薄膜制备与物性研究
4
作者 胡澳月 丁宇 +1 位作者 祖丽胡马尔·图尔荪 李传青 《上海师范大学学报（自然科学版）》 2022年第4期401-406,共6页
以钡镍元素共掺形成的铌酸钾-铌镍酸钡薄膜(1-x)KNbO_(3)-xBaNi_(0.5)Nb_(0.5)O_(3-δ)(KNxBNNO)为主要研究对象,围绕其材料发展趋势:高质量铌酸钾-铌镍酸钡薄膜材料的关键制备技术、铌酸钾-铌镍酸钡薄膜的微结构、元素化合价和拉曼声... 以钡镍元素共掺形成的铌酸钾-铌镍酸钡薄膜(1-x)KNbO_(3)-xBaNi_(0.5)Nb_(0.5)O_(3-δ)(KNxBNNO)为主要研究对象,围绕其材料发展趋势:高质量铌酸钾-铌镍酸钡薄膜材料的关键制备技术、铌酸钾-铌镍酸钡薄膜的微结构、元素化合价和拉曼声子模式等内容进行了研究. 展开更多
关键词 带隙可调KN-xBNNO铁电薄膜 化学溶液沉积 结构与物性 光学吸收性能
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