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非晶丝GMI效应频率谱和锁相环电路磁场传感器
被引量：
1
1
作者
周立
贺红
+1 位作者
章复中
章雷
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2009年第8期9-10,51,共3页
采用HP4191A型阻抗分析仪和专门为测量非晶丝GMI效应而设计的专用装置，研究了测量电流频率钴-铁-硅-硼（Co-Fe-Si-B）非晶丝GMI效应的影响。对于经冷拔、真空退火和张应力退火制成的非晶丝，当测量频率由1MHz、5MHz、10MHz、20MHz、30...
采用HP4191A型阻抗分析仪和专门为测量非晶丝GMI效应而设计的专用装置，研究了测量电流频率钴-铁-硅-硼（Co-Fe-Si-B）非晶丝GMI效应的影响。对于经冷拔、真空退火和张应力退火制成的非晶丝，当测量频率由1MHz、5MHz、10MHz、20MHz、30MHz、40MHz…，改变到400MHz时，GMI比值、[（Z-Z0）／Z0]、对外加磁场（Hex）的关系曲线都呈现正GMI效应的特征，其峰值和曲线的最大斜率先是不断增加，直到极大值，然后下降，极大值约为60-100MHz。据此，设计了测量电流频率可变的压控振荡器电路GMI磁场传感器，在75MHz下，传感器的磁场测量灵敏度达到0.4mV／nT。
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关键词
巨
磁阻
抗
效应
谱
钴-铁-硅-硼非晶丝
测量电流频率
GMI磁场传感器
压控振荡器
下载PDF
职称材料
题名
非晶丝GMI效应频率谱和锁相环电路磁场传感器
被引量：
1
1
作者
周立
贺红
章复中
章雷
机构
北京联合大学
北京电子职业科技学院
北京麦科尼科技有限公司
出处
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2009年第8期9-10,51,共3页
文摘
采用HP4191A型阻抗分析仪和专门为测量非晶丝GMI效应而设计的专用装置，研究了测量电流频率钴-铁-硅-硼（Co-Fe-Si-B）非晶丝GMI效应的影响。对于经冷拔、真空退火和张应力退火制成的非晶丝，当测量频率由1MHz、5MHz、10MHz、20MHz、30MHz、40MHz…，改变到400MHz时，GMI比值、[（Z-Z0）／Z0]、对外加磁场（Hex）的关系曲线都呈现正GMI效应的特征，其峰值和曲线的最大斜率先是不断增加，直到极大值，然后下降，极大值约为60-100MHz。据此，设计了测量电流频率可变的压控振荡器电路GMI磁场传感器，在75MHz下，传感器的磁场测量灵敏度达到0.4mV／nT。
关键词
巨
磁阻
抗
效应
谱
钴-铁-硅-硼非晶丝
测量电流频率
GMI磁场传感器
压控振荡器
Keywords
GMI effect spectra
Co - Fe - Si - B amorphous wire
measuring current frequency
GMI magnetic sensor
voltage controlled oscillator
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
非晶丝GMI效应频率谱和锁相环电路磁场传感器
周立
贺红
章复中
章雷
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2009
1
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职称材料
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参考文献
引证文献
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