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电极对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电性能的影响
被引量：
6
1
作者
杨静
沈明荣
方亮
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期234-237,共4页
通过研究在不同气氛(氮气和氧气),Ca-Cu3Ti4O12(CCTO)陶瓷样品在一定温度下进行后处理后,不同功函数电极对其介电性质的影响,进而研究CCTO陶瓷的巨介电常数的起源问题。我们在空气中制备了CaCu3Ti4O12陶瓷,发现样品表面电阻率很大,样品...
通过研究在不同气氛(氮气和氧气),Ca-Cu3Ti4O12(CCTO)陶瓷样品在一定温度下进行后处理后,不同功函数电极对其介电性质的影响,进而研究CCTO陶瓷的巨介电常数的起源问题。我们在空气中制备了CaCu3Ti4O12陶瓷,发现样品表面电阻率很大,样品表面呈现绝缘态,此时不同功函数电极以及不同电极制备方法对其介电性质几乎没有影响,说明CC-TO的巨介电常数是由孪晶界或半导体晶粒与绝缘晶界所产生的内部阻挡电容(IBLC)所引起。但当样品在高温氮气中后处理后,样品表面电阻率明显下降,以较大功函数的金属作为电极的样品,其介电常数有了明显的提高,而以功函数小的金属作为电极的样品,其介电常数变化不大。从而进一步说明当CCTO样品表面处于半导态,表面电极效应也是CCTO巨介电常数来源之一。
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关键词
CACU3TI4O12
巨
介
电
性质
功函数
肖特基势垒
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职称材料
NaCu_3Ti_3NbO_(12)和NaCu_3Ti_3SbO_(12)陶瓷的巨介电性质及NaCu_3Ti_3SbO_(12)陶瓷的低介电损耗特性
2
作者
郝文涛
徐攀攀
+2 位作者
张家良
曹恩思
彭华
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第1期62-66,共5页
利用传统的固相反应工艺制备了NaCu3Ti3NbO12和NaCu3Ti3SbO12陶瓷,对它们的介电性质和晶格结构进行了研究。结果显示,两种陶瓷都存在低频介电常数高于7×103的巨介电行为;在室温或者更低温度下,两种陶瓷的介电频谱(40 Hz^110 MHz)...
利用传统的固相反应工艺制备了NaCu3Ti3NbO12和NaCu3Ti3SbO12陶瓷,对它们的介电性质和晶格结构进行了研究。结果显示,两种陶瓷都存在低频介电常数高于7×103的巨介电行为;在室温或者更低温度下,两种陶瓷的介电频谱(40 Hz^110 MHz)的实部只出现一个介电弛豫,而更高温度下的介电频谱的实部则会有两个介电弛豫;XRD结果显示两种陶瓷中都含有少量的CuO第二相。这些实验结果能用CCTO陶瓷中的内阻挡层电容效应解释。NaCu3Ti3SbO12陶瓷的室温介电损耗在40 Hz到7 kHz的宽频率范围内低于0.05,并且其1 kHz的介电损耗在-50~80℃的宽温度范围内低于0.05,这对于实际应用有重要意义。
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关键词
NaCu3Ti3NbO12
NaCu3Ti3SbO12
巨
介
电
性质
内阻挡层
电
容效应
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职称材料
题名
电极对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电性能的影响
被引量：
6
1
作者
杨静
沈明荣
方亮
机构
苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料江苏省重点实验室
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期234-237,共4页
基金
国家自然科学青年基金资助项目(10204016)
文摘
通过研究在不同气氛(氮气和氧气),Ca-Cu3Ti4O12(CCTO)陶瓷样品在一定温度下进行后处理后,不同功函数电极对其介电性质的影响,进而研究CCTO陶瓷的巨介电常数的起源问题。我们在空气中制备了CaCu3Ti4O12陶瓷,发现样品表面电阻率很大,样品表面呈现绝缘态,此时不同功函数电极以及不同电极制备方法对其介电性质几乎没有影响,说明CC-TO的巨介电常数是由孪晶界或半导体晶粒与绝缘晶界所产生的内部阻挡电容(IBLC)所引起。但当样品在高温氮气中后处理后,样品表面电阻率明显下降,以较大功函数的金属作为电极的样品,其介电常数有了明显的提高,而以功函数小的金属作为电极的样品,其介电常数变化不大。从而进一步说明当CCTO样品表面处于半导态,表面电极效应也是CCTO巨介电常数来源之一。
关键词
CACU3TI4O12
巨
介
电
性质
功函数
肖特基势垒
Keywords
CaCu3Ti4O12
giant dielectric constant
work function
Schottky barrier
分类号
O482.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
NaCu_3Ti_3NbO_(12)和NaCu_3Ti_3SbO_(12)陶瓷的巨介电性质及NaCu_3Ti_3SbO_(12)陶瓷的低介电损耗特性
2
作者
郝文涛
徐攀攀
张家良
曹恩思
彭华
机构
太原理工大学新型传感器与智能控制教育部重点实验室
太原理工大学物理与光电工程学院
山东大学物理学院
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第1期62-66,共5页
文摘
利用传统的固相反应工艺制备了NaCu3Ti3NbO12和NaCu3Ti3SbO12陶瓷,对它们的介电性质和晶格结构进行了研究。结果显示,两种陶瓷都存在低频介电常数高于7×103的巨介电行为;在室温或者更低温度下,两种陶瓷的介电频谱(40 Hz^110 MHz)的实部只出现一个介电弛豫,而更高温度下的介电频谱的实部则会有两个介电弛豫;XRD结果显示两种陶瓷中都含有少量的CuO第二相。这些实验结果能用CCTO陶瓷中的内阻挡层电容效应解释。NaCu3Ti3SbO12陶瓷的室温介电损耗在40 Hz到7 kHz的宽频率范围内低于0.05,并且其1 kHz的介电损耗在-50~80℃的宽温度范围内低于0.05,这对于实际应用有重要意义。
关键词
NaCu3Ti3NbO12
NaCu3Ti3SbO12
巨
介
电
性质
内阻挡层
电
容效应
Keywords
NaCu3Ti3NbO12
NaCu3Ti3SbO12
giant dielectric-permittivity phenomena
internal barrier layer capacitance effect
分类号
TM283 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电极对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电性能的影响
杨静
沈明荣
方亮
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
6
下载PDF
职称材料
2
NaCu_3Ti_3NbO_(12)和NaCu_3Ti_3SbO_(12)陶瓷的巨介电性质及NaCu_3Ti_3SbO_(12)陶瓷的低介电损耗特性
郝文涛
徐攀攀
张家良
曹恩思
彭华
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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