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抗PID多晶硅电池的磷扩散工艺改进
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作者 黄爽鑫 肖慧萍 +1 位作者 曹家庆 李文博 《江西化工》 2022年第1期1-5,共5页
电池组件在高电势差的影响下易发生电势诱导衰减(PID)。开发一种三次通源磷扩散工艺,可在较低方阻(70Ω~75Ω)下获得高效率。可通过调节温度、时间、扩散气体的流量等来获得预期的电池方阻。三次通源扩散工艺的最佳工艺参数为:扩散中心... 电池组件在高电势差的影响下易发生电势诱导衰减(PID)。开发一种三次通源磷扩散工艺,可在较低方阻(70Ω~75Ω)下获得高效率。可通过调节温度、时间、扩散气体的流量等来获得预期的电池方阻。三次通源扩散工艺的最佳工艺参数为:扩散中心温度为830℃、氧气流量为1700 sccm、扩散氮的流量为2300 sccm、通源时间和再分布时间分别为250 s和700 s。该法制备的电池所形成的组件在(85℃+85%RH+负1000V+96H)条件下峰值功率衰减了0.62%,满足峰值功率变化小于5%的抗PID要求。 展开更多
关键词 电势诱导衰减 三次通源磷扩散 方块电阻 峰值功率衰减
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