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高温下金属薄膜生长初期的模拟研究
被引量：
9
1
作者
吴锋民
施建青
吴自勤
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第8期1555-1559,共5页
采用实际的生长模型和物理参量 ,用MonteCarlo方法对高温下金属薄膜的生长过程进行了模拟研究 .综合考虑了原子沉积、扩散、成核、生长和扩散原子的再蒸发、原子沿岛周界扩散和岛的合并等众多过程后 ,模拟得到与实验结果相当一致的薄膜...
采用实际的生长模型和物理参量 ,用MonteCarlo方法对高温下金属薄膜的生长过程进行了模拟研究 .综合考虑了原子沉积、扩散、成核、生长和扩散原子的再蒸发、原子沿岛周界扩散和岛的合并等众多过程后 ,模拟得到与实验结果相当一致的薄膜生长形貌及其相应的定量结果 .通过动态统计薄膜生长过程中的岛数目及薄膜生长率 ,得到实验中不易直接获得的高温下薄膜生长的许多细节 ,如岛数目和薄膜生长率随表面温度。
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关键词
薄膜
成核
岛
密度
薄膜生长率
金属
蒙特卡罗模拟
原文传递
外延生长亚单层Si薄膜的动力学蒙特卡罗模拟
被引量：
1
2
作者
王全彪
杨瑞东
杨宇
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期128-131,共4页
建立了沿Si(100)方向外延生长亚单层Si薄膜的动力学蒙特卡罗模拟模型,对二维Si薄膜的生长过程及二维Si岛的形貌演变进行了研究。结果表明,在一定的入射率下存在一最佳成岛温度,该温度随入射率的增大而升高。以最佳成岛温度生长时,岛密...
建立了沿Si(100)方向外延生长亚单层Si薄膜的动力学蒙特卡罗模拟模型,对二维Si薄膜的生长过程及二维Si岛的形貌演变进行了研究。结果表明,在一定的入射率下存在一最佳成岛温度,该温度随入射率的增大而升高。以最佳成岛温度生长时,岛密度随覆盖度的增加呈现增加—饱和—减小的变化规律。在低温和高入射率下,岛密度随覆盖度单调增加,薄膜呈离散生长。而温度很高和入射率很低时,岛密度始终以很小的数值在小范围内振荡,薄膜呈紧致生长。
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关键词
Si薄膜生长
动力学蒙特卡罗
岛
密度
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职称材料
电沉积镍薄膜早期形核生长的计算机模拟
3
作者
黄跃宇
《南华大学学报（自然科学版）》
2015年第2期91-96,共6页
介绍了动力学蒙特卡罗方法模拟薄膜生长的基本理论,对电沉积镍薄膜早期形核生长进行了模拟,发现镍薄膜的亚单层生长可以分为四个阶段,随着基底温度的上升,岛的密度减少,岛的尺寸增大,岛的分形维数增大;随着沉积率的上升,岛的密度上升,...
介绍了动力学蒙特卡罗方法模拟薄膜生长的基本理论,对电沉积镍薄膜早期形核生长进行了模拟,发现镍薄膜的亚单层生长可以分为四个阶段,随着基底温度的上升,岛的密度减少,岛的尺寸增大,岛的分形维数增大;随着沉积率的上升,岛的密度上升,岛的尺寸减小,岛的分形维数减小;随着覆盖率的增加,岛的尺寸增大,分形维数不变.
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关键词
电沉积镍薄膜
动力学蒙特卡罗
岛
密度
岛
尺寸
分形维数
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职称材料
PTCDA/P-Si表面随温度变化的AFM研究
4
作者
张福甲
冯煜东
+1 位作者
李东仓
胥超
《功能材料与器件学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期225-228,共4页
利用AFM研究了在不同衬底温度及蒸发条件下制备的有机半导体材料PTCDA在P-Si(100)形成的薄膜讨论了其表面形貌及岛状晶核分布与生长温度之间的机理。
关键词
PTCDA/P—Si
AFM
表面形貌
岛
密度
衬底温度
原文传递
碳化硅邻晶面外延生长机制的动力学蒙特卡罗模拟
5
作者
石爱红
李源
艾文森
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020年第10期1787-1793,1799,共8页
用动力学蒙特卡罗方法研究了3C-SiC(111)邻晶面的外延生长机制。生长温度、沉积速率和平台宽度对邻晶面外延生长模式有着重要的影响。模拟结果显示:在温度较低的情况下,晶体表面离散的分布着数量众多的晶核,其生长模式为二维岛核生长模...
用动力学蒙特卡罗方法研究了3C-SiC(111)邻晶面的外延生长机制。生长温度、沉积速率和平台宽度对邻晶面外延生长模式有着重要的影响。模拟结果显示:在温度较低的情况下,晶体表面离散的分布着数量众多的晶核,其生长模式为二维岛核生长模式。当生长温度升高时,岛核主要分布于台阶边缘,晶体生长方式则转变为台阶推进与岛核成长共生的生长模式。其次,在沉积速率较低时,晶体主要生长方式为台阶推进模式,随着沉积速率增加,晶体生长模式则转变为二维岛核生长模式。最后,岛核密度随平台宽度的增加而增加,在较低温度下,平台宽度对岛核密度的影响更加明显。
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关键词
碳化硅
动力学蒙特卡罗法
外延生长
晶体生长
岛
核
密度
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职称材料
题名
高温下金属薄膜生长初期的模拟研究
被引量：
9
1
作者
吴锋民
施建青
吴自勤
机构
浙江工业大学科学研究中心
浙江工业大学应用物理系
中国科学技术大学天文与应用物理系
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第8期1555-1559,共5页
基金
浙江省自然科学基金 (编号 :1980 34)
浙江工业大学科学研究中心资助的课题&&
文摘
采用实际的生长模型和物理参量 ,用MonteCarlo方法对高温下金属薄膜的生长过程进行了模拟研究 .综合考虑了原子沉积、扩散、成核、生长和扩散原子的再蒸发、原子沿岛周界扩散和岛的合并等众多过程后 ,模拟得到与实验结果相当一致的薄膜生长形貌及其相应的定量结果 .通过动态统计薄膜生长过程中的岛数目及薄膜生长率 ,得到实验中不易直接获得的高温下薄膜生长的许多细节 ,如岛数目和薄膜生长率随表面温度。
关键词
薄膜
成核
岛
密度
薄膜生长率
金属
蒙特卡罗模拟
Keywords
thin film
Monte Carlo simulation
nucleation
island density
growth rate of thin film
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
原文传递
题名
外延生长亚单层Si薄膜的动力学蒙特卡罗模拟
被引量：
1
2
作者
王全彪
杨瑞东
杨宇
机构
云南大学材料科学与工程系
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期128-131,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60567001)
云南省教育厅资助项目(04Y659A)
文摘
建立了沿Si(100)方向外延生长亚单层Si薄膜的动力学蒙特卡罗模拟模型,对二维Si薄膜的生长过程及二维Si岛的形貌演变进行了研究。结果表明,在一定的入射率下存在一最佳成岛温度,该温度随入射率的增大而升高。以最佳成岛温度生长时,岛密度随覆盖度的增加呈现增加—饱和—减小的变化规律。在低温和高入射率下,岛密度随覆盖度单调增加,薄膜呈离散生长。而温度很高和入射率很低时,岛密度始终以很小的数值在小范围内振荡,薄膜呈紧致生长。
关键词
Si薄膜生长
动力学蒙特卡罗
岛
密度
Keywords
Si film growth, Kinetic Monte Carlo, island density
分类号
O242.2 [理学—计算数学]
下载PDF
职称材料
题名
电沉积镍薄膜早期形核生长的计算机模拟
3
作者
黄跃宇
机构
南华大学数理学院
出处
《南华大学学报（自然科学版）》
2015年第2期91-96,共6页
基金
衡阳科技局基金资助项目(2012KJ23)
南华大学博士基金资助项目(2011XQD25)
文摘
介绍了动力学蒙特卡罗方法模拟薄膜生长的基本理论,对电沉积镍薄膜早期形核生长进行了模拟,发现镍薄膜的亚单层生长可以分为四个阶段,随着基底温度的上升,岛的密度减少,岛的尺寸增大,岛的分形维数增大;随着沉积率的上升,岛的密度上升,岛的尺寸减小,岛的分形维数减小;随着覆盖率的增加,岛的尺寸增大,分形维数不变.
关键词
电沉积镍薄膜
动力学蒙特卡罗
岛
密度
岛
尺寸
分形维数
Keywords
electrodeposited Ni thin film
the kinetic Monte Carlo
island density
island size
fractal dimension
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
PTCDA/P-Si表面随温度变化的AFM研究
4
作者
张福甲
冯煜东
李东仓
胥超
机构
兰州大学物理科学与技术学院
出处
《功能材料与器件学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期225-228,共4页
基金
国家自然科学基金(No.60276026)
甘肃省自然科学基金资助项目(No.3ZS041-A25-001)
文摘
利用AFM研究了在不同衬底温度及蒸发条件下制备的有机半导体材料PTCDA在P-Si(100)形成的薄膜讨论了其表面形貌及岛状晶核分布与生长温度之间的机理。
关键词
PTCDA/P—Si
AFM
表面形貌
岛
密度
衬底温度
Keywords
PTCDA/P - Si
AMF
surface morphology
island density
substrate temperture
分类号
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
碳化硅邻晶面外延生长机制的动力学蒙特卡罗模拟
5
作者
石爱红
李源
艾文森
机构
青海民族大学化学化工学院
青海民族大学能源与动力工程系
西安交通大学能源与动力工程学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020年第10期1787-1793,1799,共8页
基金
青海省自然科学基金(2018-ZJ-946Q)。
文摘
用动力学蒙特卡罗方法研究了3C-SiC(111)邻晶面的外延生长机制。生长温度、沉积速率和平台宽度对邻晶面外延生长模式有着重要的影响。模拟结果显示:在温度较低的情况下,晶体表面离散的分布着数量众多的晶核,其生长模式为二维岛核生长模式。当生长温度升高时,岛核主要分布于台阶边缘,晶体生长方式则转变为台阶推进与岛核成长共生的生长模式。其次,在沉积速率较低时,晶体主要生长方式为台阶推进模式,随着沉积速率增加,晶体生长模式则转变为二维岛核生长模式。最后,岛核密度随平台宽度的增加而增加,在较低温度下,平台宽度对岛核密度的影响更加明显。
关键词
碳化硅
动力学蒙特卡罗法
外延生长
晶体生长
岛
核
密度
Keywords
silicon carbide
Kinetic Monte Carlo model
epitaxial growth
crystal growth
island density
分类号
O782 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高温下金属薄膜生长初期的模拟研究
吴锋民
施建青
吴自勤
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
9
原文传递
2
外延生长亚单层Si薄膜的动力学蒙特卡罗模拟
王全彪
杨瑞东
杨宇
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
下载PDF
职称材料
3
电沉积镍薄膜早期形核生长的计算机模拟
黄跃宇
《南华大学学报（自然科学版）》
2015
0
下载PDF
职称材料
4
PTCDA/P-Si表面随温度变化的AFM研究
张福甲
冯煜东
李东仓
胥超
《功能材料与器件学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
0
原文传递
5
碳化硅邻晶面外延生长机制的动力学蒙特卡罗模拟
石爱红
李源
艾文森
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020
0
下载PDF
职称材料
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