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层栅激光多普勒测振系统研究
1
作者
王宝成
卢杰持
王锰钢
《光电工程》
CAS
CSCD
1990年第1期49-54,共6页
应用单周期层栅和基于旋转场辨别速度方向的激光多普勒测振系统是近年来研制出的一种新型测速手段。本文在阐述测量原理的基础上,重点介绍了本系统的光学、光电转换、频压转换以及微机信号处理等各组成部分,综述理论与实验研究成果。
关键词
激光
多谱勒
测速仪
层
栅
振动测量
下载PDF
职称材料
复合型栅氧化层薄膜双栅MOSFET研究
2
作者
王栋
周爱榕
高珊
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期10-15,51,共7页
通过对硅膜中最低电位点电位的修正,得到复合型栅氧化层薄膜双栅MOSFET亚阈值电流模型以及阈值电压模型。利用MEDICI软件,针对薄膜双栅MOSFET,对四种复合型栅氧化层结构DIDG MOSFET(Dual insulator double gate MOSFET)进行了仿真。通...
通过对硅膜中最低电位点电位的修正,得到复合型栅氧化层薄膜双栅MOSFET亚阈值电流模型以及阈值电压模型。利用MEDICI软件,针对薄膜双栅MOSFET,对四种复合型栅氧化层结构DIDG MOSFET(Dual insulator double gate MOSFET)进行了仿真。通过仿真可知:在复合型结构中,随着介电常数差值的增大,薄膜双栅器件的短沟道效应和热载流子效应得到更有效的抑制,同时击穿特性也得到改善。此外在亚阈值区中,亚阈值斜率也可以通过栅氧化层设计进行优化,复合型结构器件的亚阈值斜率更小,性能更优越。
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关键词
复合型
栅
氧化
层
复合型
栅
氧化
层
薄膜双
栅
金属氧化物半导体场效应晶体管
介电常数
阈值电压
电流模型
亚阈值斜率
短沟道效应
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职称材料
题名
层栅激光多普勒测振系统研究
1
作者
王宝成
卢杰持
王锰钢
机构
大连理工大学机械系
东方电脑技术开发有限公司大连分公司
出处
《光电工程》
CAS
CSCD
1990年第1期49-54,共6页
基金
中国科学院科学基金
文摘
应用单周期层栅和基于旋转场辨别速度方向的激光多普勒测振系统是近年来研制出的一种新型测速手段。本文在阐述测量原理的基础上,重点介绍了本系统的光学、光电转换、频压转换以及微机信号处理等各组成部分,综述理论与实验研究成果。
关键词
激光
多谱勒
测速仪
层
栅
振动测量
Keywords
Laser Doppler velocimetry, Doppler velocimeters, Vibration measurement
Laminar gratings
分类号
TH824 [机械工程—仪器科学与技术]
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职称材料
题名
复合型栅氧化层薄膜双栅MOSFET研究
2
作者
王栋
周爱榕
高珊
机构
安徽大学电子信息工程学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期10-15,51,共7页
基金
国家核高基重大专项(2010ZX01030-001-001-004)
文摘
通过对硅膜中最低电位点电位的修正,得到复合型栅氧化层薄膜双栅MOSFET亚阈值电流模型以及阈值电压模型。利用MEDICI软件,针对薄膜双栅MOSFET,对四种复合型栅氧化层结构DIDG MOSFET(Dual insulator double gate MOSFET)进行了仿真。通过仿真可知:在复合型结构中,随着介电常数差值的增大,薄膜双栅器件的短沟道效应和热载流子效应得到更有效的抑制,同时击穿特性也得到改善。此外在亚阈值区中,亚阈值斜率也可以通过栅氧化层设计进行优化,复合型结构器件的亚阈值斜率更小,性能更优越。
关键词
复合型
栅
氧化
层
复合型
栅
氧化
层
薄膜双
栅
金属氧化物半导体场效应晶体管
介电常数
阈值电压
电流模型
亚阈值斜率
短沟道效应
Keywords
double insulator layers
dual insulator double gate（DIDG）MOSFET
dielectric constant
threshold voltage
current model
subthreshold slope
short channel effect
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
层栅激光多普勒测振系统研究
王宝成
卢杰持
王锰钢
《光电工程》
CAS
CSCD
1990
0
下载PDF
职称材料
2
复合型栅氧化层薄膜双栅MOSFET研究
王栋
周爱榕
高珊
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2015
0
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职称材料
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