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基于Innovus的局部高密度布局规避方法
1
作者
李应利
王淑芬
《电子与封装》
2024年第1期40-44,共5页
标准单元布局是数字集成电路后端设计的重要环节之一,标准单元密度过高影响着工具的布线和时序的优化。采用UMC 28 nm工艺,基于Innovus的两种方法,解决由于局部高密度标准单元导致保持时间违例无法通过工具自动化修复的问题,在实现时序...
标准单元布局是数字集成电路后端设计的重要环节之一,标准单元密度过高影响着工具的布线和时序的优化。采用UMC 28 nm工艺,基于Innovus的两种方法,解决由于局部高密度标准单元导致保持时间违例无法通过工具自动化修复的问题,在实现时序优化的同时降低了动态IR Drop。结果表明,在PreCTS阶段设置setPlaceMode-place_global_max_density value对于后续时序优化效果更好,且动态IR Drop降低8.85%。
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关键词
数字后端设计
Innovus
局部
高密度
标准单元
时序优化
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职称材料
题名
基于Innovus的局部高密度布局规避方法
1
作者
李应利
王淑芬
机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出处
《电子与封装》
2024年第1期40-44,共5页
文摘
标准单元布局是数字集成电路后端设计的重要环节之一,标准单元密度过高影响着工具的布线和时序的优化。采用UMC 28 nm工艺,基于Innovus的两种方法,解决由于局部高密度标准单元导致保持时间违例无法通过工具自动化修复的问题,在实现时序优化的同时降低了动态IR Drop。结果表明,在PreCTS阶段设置setPlaceMode-place_global_max_density value对于后续时序优化效果更好,且动态IR Drop降低8.85%。
关键词
数字后端设计
Innovus
局部
高密度
标准单元
时序优化
Keywords
digital backend design
Innovus
local high-density standard cells
timing optimization
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
基于Innovus的局部高密度布局规避方法
李应利
王淑芬
《电子与封装》
2024
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