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变分量子Monte Carlo的一个新算法 被引量：1
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作者 黄宏新 曹泽星 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第10期1636-1639,共4页
提出变分量子ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ（ＶＭＣ）计算的新算法极小化方差（ＭＶ）方法．它从局域能的内部结构出发，直接削减其波动以达到将ＶＭＣ的方差减到极小的目的．给出了局域能的分析表达式，导出ＶＭＣ的极小方差原理，并建立方差... 提出变分量子ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ（ＶＭＣ）计算的新算法极小化方差（ＭＶ）方法．它从局域能的内部结构出发，直接削减其波动以达到将ＶＭＣ的方差减到极小的目的．给出了局域能的分析表达式，导出ＶＭＣ的极小方差原理，并建立方差极小化的计算步骤．这一新算法被用到ＣＨ２的Ｘ３Ｂ１态和ａ１Ａ１态以及ＮＨ２的π－Ｘ２Ｂ１态和σ－Ａ２Ａ１态总能量的计算，得到ＣＨ２单－三重态的“劈裂”能ΔＥＳ－Ｔ＝（４８．５４２８±２．３６２９）ｋＪ／ｍｏｌ和ＮＨ２的σ－π“劈裂”能ΔＥσ－π＝（１４０．８８５５±４．４６３０）ｋＪ／ｍｏｌ．结果表明，在只增加１０％～１５％的计算量下，ＭＶ法比一般ＶＭＣ过程统计误差要小７２％～８７％． 展开更多
关键词 变分量子 局域能 方差极小化 能级裂分 VMC MV
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半导体物理
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《电子科技文摘》 2001年第3期15-16,共2页
Y2000-62422-48 0103656高剂量 SIMOX 硅片 SOI-BOX 界面局域能量陷阱态分析=Evidence of energetically-Localized trap-states at SOI-BOX interface in high-dose SIMOX wafers[会,英]/Ushiki,T.& Kotani,K.//1999 IEEE Internat... Y2000-62422-48 0103656高剂量 SIMOX 硅片 SOI-BOX 界面局域能量陷阱态分析=Evidence of energetically-Localized trap-states at SOI-BOX interface in high-dose SIMOX wafers[会,英]/Ushiki,T.& Kotani,K.//1999 IEEE InternationalSOI Conference Proceedings.—48～49(EC)Y2000-62422-52 0103657绝缘体上硅 MOS 展开更多
关键词 半导体物理 场效应晶体管 绝缘体上硅技术 高剂量 陷阱态 局域能 二极管 界面态 硅片 栅极
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