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电子元器件的微剂量效应研究进展
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作者 闫逸华 范如玉 +4 位作者 郭晓强 林东生 郭红霞 张凤祁 陈伟 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第9期698-703,共6页
高能重离子在其径迹周围局域空间所沉积的微剂量,足以引起器件特性的永久性退化,导致存储器状态无法改变或器件功能异常等现象。本文综述了此领域的国内外研究进展,基于局域总剂量与强库仑斥力两种失效机制,结合几种典型电子元器件的结... 高能重离子在其径迹周围局域空间所沉积的微剂量,足以引起器件特性的永久性退化,导致存储器状态无法改变或器件功能异常等现象。本文综述了此领域的国内外研究进展,基于局域总剂量与强库仑斥力两种失效机制,结合几种典型电子元器件的结构特征,介绍了微剂量效应的失效表征,并讨论了其主要影响因素和发展趋势。 展开更多
关键词 微剂量效应 局域总剂量 重离子辐照 固定位
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Flash ROM的X微束辐照试验研究及失效机理分析
2
作者 闫逸华 陈伟 +7 位作者 郭红霞 范如玉 邓玉良 郭晓强 丁李利 林东生 张科营 张凤祁 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期37-43,共7页
Flash ROM芯片的存储阵列和外围电路均具有较高的辐射易损性,辐射损伤模式多样。为对其辐射敏感电路进行定位和分析,本文采用X射线微束开展局部辐照试验研究。分别研究了存储阵列,译码电路以及电荷泵等不同电路模块所引起的失效表征,利... Flash ROM芯片的存储阵列和外围电路均具有较高的辐射易损性,辐射损伤模式多样。为对其辐射敏感电路进行定位和分析,本文采用X射线微束开展局部辐照试验研究。分别研究了存储阵列,译码电路以及电荷泵等不同电路模块所引起的失效表征,利用错误位的逻辑地址映射图,总结错误分布规律,结合相应电路结构对其失效机理进行分析。辐照存储阵列会导致规则分布的0→1翻转错误,而译码电路出错会导致1→0的错误,电荷泵电路退化则会导致器件擦除和写入功能的失效。微束辐照结果可以有效补充全芯片总剂量效应考核的不足,为器件的抗辐射加固提供有益的参考。 展开更多
关键词 X射线微束 FLASH ROM 局域总剂量 错误位图映射
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