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一种实时自适应前沿消隐电路
被引量：
1
1
作者
杨健
罗萍
+2 位作者
冯冠儒
唐天缘
曹麒
《微电子学》
CAS
北大核心
2022年第5期727-733,共7页
基于正激变换器结构,设计了一种实时自适应前沿消隐电路。通过振荡时间消隐和振荡幅度消隐,对最优消隐时间进行追踪,实现实时自适应的前沿消隐,在保证消隐可靠性的基础上降低了系统体积与成本,并确保不限制电路高频化发展。设计的前沿...
基于正激变换器结构,设计了一种实时自适应前沿消隐电路。通过振荡时间消隐和振荡幅度消隐,对最优消隐时间进行追踪,实现实时自适应的前沿消隐,在保证消隐可靠性的基础上降低了系统体积与成本,并确保不限制电路高频化发展。设计的前沿消隐电路能获得消除尖峰振荡的输出电流信息,保证系统能对输出负载变化做出快速响应。基于0.18μm BCD工艺,对电路进行设计。仿真结果表明,该电路在没有其它额外限流功能条件下,启动过冲电压只有50 mV,负载切换时的下掉电压与过冲电压分别为519 mV和578 mV。
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关键词
前沿消隐
实时自适应
尖峰
振荡
正激变换器
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职称材料
从飞秒脉冲到阿秒脉冲
2
作者
A．B．KИM
M．Ю．PЯσИKИH
+1 位作者
A．M．CepГeeB
白光
《强激光技术进展》
2000年第2期1-8,共8页
关键词
飞秒脉冲
阿秒脉冲
非线性响应
尖峰
振荡
激光脉冲
偏振控制
磁分量
下载PDF
职称材料
提升桥式电路中SiC MOSFET关断性能和栅极电压稳定性的有源驱动电路研究
被引量：
4
3
作者
李虹
邱志东
+2 位作者
杜海涛
邵天骢
王作兴
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2022年第21期7922-7933,共12页
碳化硅金属氧化物半导体场效应管(silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor,SiC MOSFET)以其低开关损耗、高工作频率、高开关速度等优点越来越广泛地应用于各类电力电子变换器。然而,电路中寄生电感的存在...
碳化硅金属氧化物半导体场效应管(silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor,SiC MOSFET)以其低开关损耗、高工作频率、高开关速度等优点越来越广泛地应用于各类电力电子变换器。然而,电路中寄生电感的存在、过高的开关频率和速度,会使得SiC MOSFET在关断瞬态产生漏极电压尖峰和振荡,严重情况下可造成雪崩击穿;并且加剧栅极电压的串扰(crosstalk)现象。上述问题不仅对半导体器件的安全运行构成威胁,而且会恶化电力电子变换器的高频电磁干扰问题。为此,文中首先分析SiC MOSFET关断过程瞬态电压尖峰和振荡以及串扰的形成机理,并在此基础上提出一种基于dv/dt检测的提升SiC MOSFET关断性能和栅极电压稳定性的有源驱动电路。该驱动电路通过检测关断过程中漏极电压上升的斜率,在漏极电流下降阶段抬升栅极电压,从而抑制漏极电压尖峰和振荡;在串扰发生阶段构造低阻抗回路来有效抑制栅极的串扰尖峰。实验结果表明,所提有源驱动电路不仅能够有效抑制SiC MOSFET关断过程漏极电压的尖峰和高频振荡,而且能够有效抑制栅极串扰的正负向电压尖峰。因此,所提出的有源驱动电路可以有效抑制电力电子变换器的高频电磁干扰,提升其电磁兼容性能。
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关键词
碳化硅金属氧化物半导体场效应管
电压
尖峰
和
振荡
串扰
有源驱动
电磁干扰
下载PDF
职称材料
题名
一种实时自适应前沿消隐电路
被引量：
1
1
作者
杨健
罗萍
冯冠儒
唐天缘
曹麒
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2022年第5期727-733,共7页
基金
广东省基础与应用基础研究基金资助项目(2021A1515011309)。
文摘
基于正激变换器结构,设计了一种实时自适应前沿消隐电路。通过振荡时间消隐和振荡幅度消隐,对最优消隐时间进行追踪,实现实时自适应的前沿消隐,在保证消隐可靠性的基础上降低了系统体积与成本,并确保不限制电路高频化发展。设计的前沿消隐电路能获得消除尖峰振荡的输出电流信息,保证系统能对输出负载变化做出快速响应。基于0.18μm BCD工艺,对电路进行设计。仿真结果表明,该电路在没有其它额外限流功能条件下,启动过冲电压只有50 mV,负载切换时的下掉电压与过冲电压分别为519 mV和578 mV。
关键词
前沿消隐
实时自适应
尖峰
振荡
正激变换器
Keywords
leading edge blanking
real-time adaptive
spike oscillation
forward converter
分类号
TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN624
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职称材料
题名
从飞秒脉冲到阿秒脉冲
2
作者
A．B．KИM
M．Ю．PЯσИKИH
A．M．CepГeeB
白光
机构
俄罗斯科学院应用物理研究所
不详
出处
《强激光技术进展》
2000年第2期1-8,共8页
关键词
飞秒脉冲
阿秒脉冲
非线性响应
尖峰
振荡
激光脉冲
偏振控制
磁分量
分类号
TN241 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
提升桥式电路中SiC MOSFET关断性能和栅极电压稳定性的有源驱动电路研究
被引量：
4
3
作者
李虹
邱志东
杜海涛
邵天骢
王作兴
机构
北京交通大学电气工程学院
出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2022年第21期7922-7933,共12页
基金
国家自然科学基金优秀青年基金项目(51822701)
国家自然科学基金委员会–国家电网公司智能电网联合基金(U1866211)
台达电力电子科教发展计划2021年重点项目(DREK2021004)。
文摘
碳化硅金属氧化物半导体场效应管(silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor,SiC MOSFET)以其低开关损耗、高工作频率、高开关速度等优点越来越广泛地应用于各类电力电子变换器。然而,电路中寄生电感的存在、过高的开关频率和速度,会使得SiC MOSFET在关断瞬态产生漏极电压尖峰和振荡,严重情况下可造成雪崩击穿;并且加剧栅极电压的串扰(crosstalk)现象。上述问题不仅对半导体器件的安全运行构成威胁,而且会恶化电力电子变换器的高频电磁干扰问题。为此,文中首先分析SiC MOSFET关断过程瞬态电压尖峰和振荡以及串扰的形成机理,并在此基础上提出一种基于dv/dt检测的提升SiC MOSFET关断性能和栅极电压稳定性的有源驱动电路。该驱动电路通过检测关断过程中漏极电压上升的斜率,在漏极电流下降阶段抬升栅极电压,从而抑制漏极电压尖峰和振荡;在串扰发生阶段构造低阻抗回路来有效抑制栅极的串扰尖峰。实验结果表明,所提有源驱动电路不仅能够有效抑制SiC MOSFET关断过程漏极电压的尖峰和高频振荡,而且能够有效抑制栅极串扰的正负向电压尖峰。因此,所提出的有源驱动电路可以有效抑制电力电子变换器的高频电磁干扰,提升其电磁兼容性能。
关键词
碳化硅金属氧化物半导体场效应管
电压
尖峰
和
振荡
串扰
有源驱动
电磁干扰
Keywords
silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor(SiC MOSFET)
voltage spike and oscillation
crosstalk
active gate driver
EMI
分类号
TM46 [电气工程—电器]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种实时自适应前沿消隐电路
杨健
罗萍
冯冠儒
唐天缘
曹麒
《微电子学》
CAS
北大核心
2022
1
下载PDF
职称材料
2
从飞秒脉冲到阿秒脉冲
A．B．KИM
M．Ю．PЯσИKИH
A．M．CepГeeB
白光
《强激光技术进展》
2000
0
下载PDF
职称材料
3
提升桥式电路中SiC MOSFET关断性能和栅极电压稳定性的有源驱动电路研究
李虹
邱志东
杜海涛
邵天骢
王作兴
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2022
4
下载PDF
职称材料
已选择
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