期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
高比容少层MXene Ti_(3)C_(2)的制备及其超级电容性能 被引量：1
1
作者 王益浩 吴琼 +2 位作者 李鹏飞 杨占鑫 张洪涛 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第3期183-190,共8页
采用微波辅助选择性刻蚀技术制备了原子层间距为1.28 nm的少层Ti_(3)C_(2),其质量比电容为377.64 F/g,比多层Ti_(3)C_(2)提高了154.27%。对两种Ti_(3)C_(2)电化学储能过程的动力学分析结果表明,少层Ti_(3)C_(2)的电荷存储主要是表面电... 采用微波辅助选择性刻蚀技术制备了原子层间距为1.28 nm的少层Ti_(3)C_(2),其质量比电容为377.64 F/g,比多层Ti_(3)C_(2)提高了154.27%。对两种Ti_(3)C_(2)电化学储能过程的动力学分析结果表明,少层Ti_(3)C_(2)的电荷存储主要是表面电容的贡献,其贡献率为76.28%。 展开更多
关键词 无机非金属材料 少层ti_(3)c_(2) 微波辅助刻蚀 比容量
原文传递
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部