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基于有效占空比的ZVZCS全桥变换器建模与仿真 被引量:6
1
作者 解光军 刘海平 +1 位作者 徐慧芳 程心 《电子器件》 CAS 2011年第2期194-198,共5页
分析了零电压-零电流开关(ZVZCS)全桥脉宽调制(PWM)变换器的工作原理,引入变压器副边电压有效占空比的概念并考虑电路元件的寄生参数,在Buck变换器的PWM开关等效模型的基础上,建立了ZVZCS全桥软开关变换器的小信号等效模型,该方法通用... 分析了零电压-零电流开关(ZVZCS)全桥脉宽调制(PWM)变换器的工作原理,引入变压器副边电压有效占空比的概念并考虑电路元件的寄生参数,在Buck变换器的PWM开关等效模型的基础上,建立了ZVZCS全桥软开关变换器的小信号等效模型,该方法通用于任何可以计算出有效占空比的全桥变换器。通过对小信号传递函数的幅频和相频特性以及开环情况下的阶跃函数的仿真分析,证明了该方法具有物理意义明确、计算简单、精确度高等特点,也揭示了ZVZCS全桥软开关变换器相对于常规Buck变换器具有更高的稳定性。 展开更多
关键词 ZVZCS全桥变换器 有效占空比 寄生参数 信号等效模型
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ZVZCS移相全桥变换器建模与仿真分析 被引量:3
2
作者 卞新高 叶奇 +1 位作者 王乐义 徐佳炜 《电子设计工程》 2017年第11期137-141,共5页
系统地分析了零电压-零电流(Zero Voltage Zero Current Switching)移相全桥变换器的工作原理,提出了变换器实现软开关的条件,并在此基础上运用了变压器副边有效占空比的概念,确定主电路参数范围。结合Buck变换器的交流小信号等效模型,... 系统地分析了零电压-零电流(Zero Voltage Zero Current Switching)移相全桥变换器的工作原理,提出了变换器实现软开关的条件,并在此基础上运用了变压器副边有效占空比的概念,确定主电路参数范围。结合Buck变换器的交流小信号等效模型,建立了ZVZCS软开关全桥变换器的交流小信号等效模型。利用MATLAB对系统开环传递函数进行仿真,并进一步通过对系统的幅频、相频特性及阶跃响应进行分析,判断系统的开环及闭环稳定性。仿真结果表明系统在开环及闭环情况下均是稳定的,并且相对于常规的Buck变换器具有更高稳定性。 展开更多
关键词 移相全桥变换器 有效占空比 信号等效模型 仿真 稳定性
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用改进的遗传算法提取PIN光探测器模型参数 被引量:1
3
作者 梅文丽 黄永清 任晓敏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期428-430,共3页
光探测器是光电集成电路接收机的重要组成部分,成功提取光电探测器等效模型电路的参数将会对光电集成的研究起到重要作用。将改进的遗传算法用于PIN光探测器小信号等效电路模型参数的提取和优化中,实现PIN光探测器S21、S22参数的测量值... 光探测器是光电集成电路接收机的重要组成部分,成功提取光电探测器等效模型电路的参数将会对光电集成的研究起到重要作用。将改进的遗传算法用于PIN光探测器小信号等效电路模型参数的提取和优化中,实现PIN光探测器S21、S22参数的测量值与模拟值拟合。改进后的遗传算法自动优化了遗传、杂交和变异算子,节省了寻找最佳遗传、杂交和变异概率的时间,提高了参数提取的速度。 展开更多
关键词 改进的遗传算法 信号等效模型 参数提取 PIN光探测器
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电磁发射机DC/DC变换器的建模研究 被引量:1
4
作者 徐晓新 张一鸣 +1 位作者 王亮 高俊侠 《通信电源技术》 2015年第3期5-8,共4页
针对发射机开关功率损耗大的问题,将软开关技术应用于发射机系统中,提出考虑变压器漏感和导通损耗的建模思想,建立了应用于发射机的移相全桥ZVZCS变换器小信号等效模型,仿真验证了所建模型的精确性。根据所建模型,设计了电流内环、电压... 针对发射机开关功率损耗大的问题,将软开关技术应用于发射机系统中,提出考虑变压器漏感和导通损耗的建模思想,建立了应用于发射机的移相全桥ZVZCS变换器小信号等效模型,仿真验证了所建模型的精确性。根据所建模型,设计了电流内环、电压外环的双闭环控制系统,实验表明双闭环控制的有效性,同时也证明了所建模型的准确性。 展开更多
关键词 电磁发射机 移相全桥变换器 信号等效模型 闭环控制
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逆变站稳定性影响分析及控制参数优化整定
5
作者 廖文辉 曾鑫鑫 谢星宇 《电力学报》 2017年第6期447-453,共7页
VSC-HVDC(Voltage Source Converter-High Voltage Direct Current)系统的稳定性分析方法是评价系统能否安全稳定运行的关键技术。柔性直流输电系统逆变站的控制参数对系统的控制器设计和稳定性分析都具有重要作用。通过建立VSC-HVDC单... VSC-HVDC(Voltage Source Converter-High Voltage Direct Current)系统的稳定性分析方法是评价系统能否安全稳定运行的关键技术。柔性直流输电系统逆变站的控制参数对系统的控制器设计和稳定性分析都具有重要作用。通过建立VSC-HVDC单端系统小信号等效模型,分析逆变站的控制参数对系统小干扰稳定性的影响。利用PSCAD/EMTDC搭建VSC系统的仿真模型进行仿真验证,仿真结果验证了小信号模型的正确性,并根据逆变站稳定性分析提出了一套参数整定方法。 展开更多
关键词 柔性直流输电 信号等效模型 稳定性分析 参数整定
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HBT小信号等效电路参数提取及其仿真软件的研制
6
作者 胡晓萍 钟叶龙 郑梁 《电子器件》 CAS 2009年第3期547-549,553,共4页
介绍了一种异质结双极型晶体管(HBT)的小信号等效模型参数提取方法及其仿真软件的研制。通过一系列公式推导并确定外部参数和内部参数。介绍多偏置点优化算法,并通过实验证明该方法的优越性。最后介绍软件界面设计。所提出的优化参数提... 介绍了一种异质结双极型晶体管(HBT)的小信号等效模型参数提取方法及其仿真软件的研制。通过一系列公式推导并确定外部参数和内部参数。介绍多偏置点优化算法,并通过实验证明该方法的优越性。最后介绍软件界面设计。所提出的优化参数提取法不依赖于初始值,具有唯一收敛性、精确性和快速性的特点。 展开更多
关键词 异质结双极型晶体管 参数提取 信号等效模型 仿真软件
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一种新的HBT小信号模型参数优化提取法
7
作者 胡晓萍 胡建萍 +1 位作者 郑梁 钟叶龙 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期567-571,共5页
阐述了一种新的异质结双极型晶体管(HBT)的小信号模型参数提取方法——综合多偏置点优化参数提取法.对HBT小信号模型进行推导并确定外部参数和内部参数的计算公式;介绍了多偏置点优化算法,并在GaInP/GaAsHBT器件上进行了鲁棒性和精确性... 阐述了一种新的异质结双极型晶体管(HBT)的小信号模型参数提取方法——综合多偏置点优化参数提取法.对HBT小信号模型进行推导并确定外部参数和内部参数的计算公式;介绍了多偏置点优化算法,并在GaInP/GaAsHBT器件上进行了鲁棒性和精确性测试.实验采用了一系列随机初始值,结果表明提取的参数值具有唯一收敛性和精确性,仿真结果与测量数据的相对误差小于1%. 展开更多
关键词 异质结双极型晶体管 参数提取 信号等效模型
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基于占空比前馈控制的反激式微型逆变器并网谐波交互抑制策略 被引量:6
8
作者 冯夏云 汪飞 +2 位作者 吴春华 张笠君 罗建 《电机与控制学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第11期76-83,共8页
由于反激式逆变器的直流母线工作于伪直流母线状态,导致其输出阻抗外特性受电网电压瞬时值影响,存在谐振频带,易引发严重的谐波交互问题。从输出阻抗外特性出发,提出采用占空比前馈控制提升反激式微型逆变器的谐波交互抑制性能。通过小... 由于反激式逆变器的直流母线工作于伪直流母线状态,导致其输出阻抗外特性受电网电压瞬时值影响,存在谐振频带,易引发严重的谐波交互问题。从输出阻抗外特性出发,提出采用占空比前馈控制提升反激式微型逆变器的谐波交互抑制性能。通过小信号建模,分析并揭示了占空比前馈控制实质为一种兼具电网电压前馈及输入电压前馈的控制策略。该方法不仅可以减小电网电压瞬时值对输出阻抗外特性的影响,使得其集群并网系统在不同电网电压瞬时值时亦具有较窄的谐振频带,还可以提升逆变器输出阻抗幅值。从改善谐振多发性及谐振剧烈程度两方面阐述了其提升反激式微型逆变器集群并网系统谐波交互抑制性能。最后,结合仿真和实验,验证了所提出控制方法的有效性。 展开更多
关键词 反激式微型逆变器 占空比前馈控制 信号诺顿等效模型 谐振多发性 谐波交互抑制
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太赫兹平面肖特基二极管参数模型 被引量:6
9
作者 赵向阳 王俊龙 +4 位作者 邢东 杨大宝 张立森 梁士雄 冯志红 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2016年第12期151-156,共6页
根据太赫兹平面肖特基二极管物理结构,在理想二极管SPICE参数模型的基础上建立了二极管小信号等效电路模型。依据该二极管等效电路模型设计了基于共面波导(CPW)去嵌方法的二极管S参数在片测试结构,并对其在0.1~50 GHz、75~110 GHz频... 根据太赫兹平面肖特基二极管物理结构,在理想二极管SPICE参数模型的基础上建立了二极管小信号等效电路模型。依据该二极管等效电路模型设计了基于共面波导(CPW)去嵌方法的二极管S参数在片测试结构,并对其在0.1~50 GHz、75~110 GHz频率范围内进行了高频小信号测试,利用测试结果提取了高频下二极管电路模型中各部分电容、电阻以及电感参数。将相应的高频下电容与电阻参数分别与低频经验公式电容值和直流I-V测试提取的电阻值进行了对比,并利用仿真手段对高频参数模型进行了验证。完整的参数模型以及测试手段相较于理想二极管SPICE模型和传统的参数提取方法可以更为准确地表征器件在高频下的工作状态。该建模思路可用于太赫兹频段非线性电路的优化设计。 展开更多
关键词 太赫兹 肖特基二极管 信号等效电路模型 在片测试结构
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单载流子传输光敏晶体管小信号等效电路模型的建立与分析 被引量:1
10
作者 孙丹 谢红云 +3 位作者 刘芮 刘硕 吴佳辉 张万荣 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期49-55,共7页
建立了单载流子传输双异质结光敏晶体管的小信号等效电路模型.分析了单载流子传输双异质结光敏晶体管光生电流的产生机制,并将其作为基极电流的一部分,引入到小信号等效电路中.分析了单载流子传输双异质结光敏晶体管中单载流子传输的输... 建立了单载流子传输双异质结光敏晶体管的小信号等效电路模型.分析了单载流子传输双异质结光敏晶体管光生电流的产生机制,并将其作为基极电流的一部分,引入到小信号等效电路中.分析了单载流子传输双异质结光敏晶体管中单载流子传输的输运方式对光跨导、发射结电阻、发射结结电容和集电结结电容的影响.基于所建模型,研究了InP基单载流子传输双异质结光敏晶体管的光特征频率和光电流增益受光窗口面积和入射光功率的影响.结果表明,在同样入射光功率下,存在一个最佳的光窗口面积使得光特征频率获得最大值,最佳光窗口面积随入射光功率的增加在一定面积范围内发生偏移.在固定光窗口面积(8×8μm2)条件下,随着输入光功率的增加,光特征频率先增大后减小,在280μW时达到最高值150GHz,光短路电流增益也随着光功率的增加而逐渐增加,在入射光功率750μW时达到饱和,饱和增益为82dB. 展开更多
关键词 信号等效电路模型 单载流子传输 光敏晶体管 光特征频率 光短路电流增益
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一种pHEMT小信号等效电路模型提取方法 被引量:1
11
作者 曹杰杰 李斌 《中国科学院上海天文台年刊》 2012年第1期66-73,共8页
赝高电子迁移率晶体管(pHEMT)目前广泛应用于低噪声放大器的设计,其小信号等效电路模型对于计算机电子设计自动化(EDA)设计尤为重要。本文介绍了一种pHEMT小信号等效电路模型的参数提取方法,并采用该方法对一款稳懋公司0.15μm工艺pHEM... 赝高电子迁移率晶体管(pHEMT)目前广泛应用于低噪声放大器的设计,其小信号等效电路模型对于计算机电子设计自动化(EDA)设计尤为重要。本文介绍了一种pHEMT小信号等效电路模型的参数提取方法,并采用该方法对一款稳懋公司0.15μm工艺pHEMT进行仿真参数提取,结果与稳懋pHEMT模型手册中小信号模型对比,吻合良好,进而希望该模型应用于低温pHEMT小信号模型参数提取。 展开更多
关键词 信号等效电路模型 pHEMT建模 参数提取 S参数
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基于噪声矩阵变换的SiGe HBT射频等效噪声建模 被引量:1
12
作者 曾洪波 王军 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第4期250-253,263,共5页
由于小信号等效电路模型参数的精确提取是高频噪声建模的基础,利用噪声矩阵的变换,给出了硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)小信号等效噪声电路的建模过程,从器件测量的四个噪声参数中提取了电流散粒噪声,验证了小信号等效噪声电路的有... 由于小信号等效电路模型参数的精确提取是高频噪声建模的基础,利用噪声矩阵的变换,给出了硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)小信号等效噪声电路的建模过程,从器件测量的四个噪声参数中提取了电流散粒噪声,验证了小信号等效噪声电路的有效性. 展开更多
关键词 硅锗异质结双极型晶体管 信号等效电路模型 噪声建模 噪声矩阵变换
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功率GaAs MESFET小信号模型参数的提取(英文)
13
作者 吴龙胜 刘佑宝 《计算物理》 CSCD 北大核心 2002年第2期127-131,共5页
采用非本征元件的参数作为本征元件参数函数的自变量的方法 ,求解MESFET小信号等效电路模型 ,并采用相对误差来构建目标函数 .以FET在零偏置状态的非本征元件值作为初值 ,通过优化求得了热FET状态的本征元件值 ,S参数的计算值与实验值... 采用非本征元件的参数作为本征元件参数函数的自变量的方法 ,求解MESFET小信号等效电路模型 ,并采用相对误差来构建目标函数 .以FET在零偏置状态的非本征元件值作为初值 ,通过优化求得了热FET状态的本征元件值 ,S参数的计算值与实验值吻合得很好 ,S1 1 的相对误差为 0 0 9% ,S1 2 为 1 1% ,S2 1 为 0 0 8% ,S2 2 为 2 2 6 % .该方法收敛快 ,精度高并且效率高 。 展开更多
关键词 CAD 功率GaAsMESFET信号模型 砷化镓 信号等效电路模型 FET本征元件 目标函数 参数提取 微波器件 模拟软件
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应用遗传算法提取GaAs场效应管小信号模型参数
14
作者 喻筱静 王家礼 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第12期35-37,44,共4页
利用阻抗矩阵法求出GaAs场效应管的小信号等效电路S参数,并提出应用遗传算法提取等效电路模型参数。该法具有收敛快速、精确度高的特点,使各个模型参数均能得到较为精确快速的提取。
关键词 信号等效电路模型 参数提取 遗传算法
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高速光接收组件同轴结构封装关键技术研究
15
作者 黄长统 柴广跃 +1 位作者 彭文达 郑启飞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期383-387,共5页
在接入网中,低成本、小尺寸的同轴结构封装10 Gb/s光接收组件起着非常重要的作用。在微波频段,封装器件引入的寄生参数已经成为制约其高频特性的主要因素之一。基于传输线理论,建立了包含芯片、金丝、管座的小信号等效电路模型。等效电... 在接入网中,低成本、小尺寸的同轴结构封装10 Gb/s光接收组件起着非常重要的作用。在微波频段,封装器件引入的寄生参数已经成为制约其高频特性的主要因素之一。基于传输线理论,建立了包含芯片、金丝、管座的小信号等效电路模型。等效电路元件与实际封装器件有对应的关系。组件高频特性随元件参数值变化而变化。仿真结果表明金丝对其高频特性影响很严重。为了减小金丝电感,提出一种优化方案。并结合实际工艺条件,制作了样品,实验结果表明该样品的传输速率达到10 Gb/s,满足10 Gb/s光网络传输的要求。 展开更多
关键词 同轴结构封装 10Gb s光接收组件 寄生参数 信号等效电路模型 高频特性
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用改进算法提取GaN HEMT小信号等效电路模型
16
作者 朱磊 尤焕成 金香菊 《微纳电子技术》 CAS 2007年第3期120-124,共5页
基于GaNHEMT小信号等效电路模型参数的提取,针对扰动机制、退火方式、记忆功能、回火机制等关键点,提出了一种改进的模拟退火算法。用Matlab仿真工具实验证明,在5~15GHz之间基于S参数测试数据,选取16个频率参考点,利用改进算法返回等... 基于GaNHEMT小信号等效电路模型参数的提取,针对扰动机制、退火方式、记忆功能、回火机制等关键点,提出了一种改进的模拟退火算法。用Matlab仿真工具实验证明,在5~15GHz之间基于S参数测试数据,选取16个频率参考点,利用改进算法返回等效电路的13个参数,与测试数据有良好的一致性,是一种快速的全局优化算法。 展开更多
关键词 GAN HEMT 信号等效电路模型 模拟退火算法 参数提取 MATLAB
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Small-Signal Equivalent Circuit Modeling of a Photodetector Chip 被引量:1
17
作者 苗昂 李轶群 +4 位作者 吴强 崔海林 黄永清 黄辉 任晓敏 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1878-1882,共5页
A small-signal equivalent circuit model and the ted. The equivalent lumped circuit, which takes the main extraction techniques for photodetector chips are presen- factors that limit a photodetector's RF performance i... A small-signal equivalent circuit model and the ted. The equivalent lumped circuit, which takes the main extraction techniques for photodetector chips are presen- factors that limit a photodetector's RF performance into consideration,is first determined based on the device's physical structure. The photodetector's S parameters are then on-wafer measured, and the measured raw data are processed with further calibration. A genetic algorithm is used to fit the measured data, thereby allowing us to calculate each parameter value of the model. Experimental resuits show that the modeled parameters are well matched to the measurements in a frequency range from 130MHz to 20GHz, and the proposed method is proved feasible. This model can give an exact description of the photodetector chip's high frequency performance,which enables an effective circuit-level prediction for photodetector and optoelectronic integrated circuits. 展开更多
关键词 small-signal equivalent circuit model of photodetector parameter extraction high frequency meas-urement genetic algorithm
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