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10kW DAM中波广播发射机改频技术分析 被引量:1
1
作者 王彤 《长江信息通信》 2023年第4期235-237,共3页
广播技术的快速发展促进了发射机的变革,DAM发射机的性能更高,维护起来更加便捷,因此在市场上得到了广泛的应用。近年来,市场上出现了很多大功率且覆盖范围较广的中波调幅广播,提升了中波广播的品质。文章深入分析了10kW DAM中波广播发... 广播技术的快速发展促进了发射机的变革,DAM发射机的性能更高,维护起来更加便捷,因此在市场上得到了广泛的应用。近年来,市场上出现了很多大功率且覆盖范围较广的中波调幅广播,提升了中波广播的品质。文章深入分析了10kW DAM中波广播发射机的原理及其改频实践,希望对我国的中波广播发射机技术的创新有积极的意义。 展开更多
关键词 中波广播发射机 前置驱动板 射频电压
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基于TMS320F2812 FAIMS仪用RF电源控制系统 被引量:2
2
作者 杨吉 唐飞 +2 位作者 王晓浩 吝涛 丁力 《自动化与仪表》 北大核心 2010年第9期13-16,共4页
文中提出一个FAIMS仪用高场非对称方波RF电源系统设计方案,系统由信号发生器、高速开关、高压直流电源、高通滤波、补偿电压自动扫描及采集、和计算机控制六部分组成。以TMS320F2812为信号发生及控制核心,驱动高速开关通过逆变产生方波R... 文中提出一个FAIMS仪用高场非对称方波RF电源系统设计方案,系统由信号发生器、高速开关、高压直流电源、高通滤波、补偿电压自动扫描及采集、和计算机控制六部分组成。以TMS320F2812为信号发生及控制核心,驱动高速开关通过逆变产生方波RF信号同时控制DAC转换实现补偿电压自动扫描。该电源系统可以输出频率≤2MHz,电压幅值≤2kV,功率≤300W,占空比20%~50%,波形上升时间约15ns的非对称方波波形。 展开更多
关键词 TMS320F2812 高场非对称波形离子迁移谱 信号发生器 PWM 高场非对称方波 射频电压
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细长管内表面镀Cu过程中的空心阴极辉光电 被引量:1
3
作者 高凯晨 刘仕远 +1 位作者 巩春志 田修波 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期264-271,共8页
为了在细长管内壁获得质地均匀的Cu膜层,采用射频耦合直流空心阴极放电的方法,研究在长度200 mm、内径6~12mm的细长管内沉积Cu薄膜时的放电情况。通过探究改变耦合直流电压、射频电压、中频电压以及管内径和测量管内轴向不同位置带来的... 为了在细长管内壁获得质地均匀的Cu膜层,采用射频耦合直流空心阴极放电的方法,研究在长度200 mm、内径6~12mm的细长管内沉积Cu薄膜时的放电情况。通过探究改变耦合直流电压、射频电压、中频电压以及管内径和测量管内轴向不同位置带来的放电影响情况,获得最佳的放电参数。研究发现,耦合直流电压越高、射频功率越高,则放电过程中的Ar^(*)、Ar^(+)、Cu^(+)活性粒子数量越多;增大中频电压,Ar^(*)和Cu^(+)光谱峰值强度呈现“V”字形,即先降低后升高,Ar^(+)光谱峰值强度在0~40 V时处于稳定的状态,在40 V开始上升,并且在60 V之后快速上升;管内径10 mm时放电效果最佳,在内径为6 mm到10 mm的管内Ar^(*)、Ar^(+)、Cu^(+)粒子数目增多,当内径到达12 mm,三种活性粒子迅速减少。通过对200 mm长、10 mm内径管内不同轴向位置的测量,发现细长管中部(100 mm)放电强度高于管口(10 mm)和管尾(190 mm)。 展开更多
关键词 细长管空心阴极 耦合直流电压 射频电压 中频电压 管内径
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IBA CYCLONE 10/5回旋加速器故障分析与体会 被引量:1
4
作者 张峰 吴克宁 +1 位作者 陈宇导 吴春兴 《中国医疗设备》 2014年第2期146-147,142,共3页
目的分析回旋加速器在beam on(运行状态)过程中出现的两个典型故障的原因,总结排查和解决故障的经验。方法根据故障检测软件提示初步判断故障范围,针对故障1,在beam on时,检测与分析射频电压与高频发射机停止的关系;针对故障2在Beam on... 目的分析回旋加速器在beam on(运行状态)过程中出现的两个典型故障的原因,总结排查和解决故障的经验。方法根据故障检测软件提示初步判断故障范围,针对故障1,在beam on时,检测与分析射频电压与高频发射机停止的关系;针对故障2在Beam on时SOURCE(离子源系统)无法启动,分析output selected(输出靶位选择)错误信息的原因,分别采取相应处理对策。结果故障1为二级水冷系统工作异常所致射频电压不稳定,可造成其过流保护而导致高频发射机停止工作,通过屏蔽水流短路点后,该密封冷却水循环装置的故障得以排除。故障2是由电源故障导致SOURCE无法启动,更换电源即解决。结论根据故障检测提示寻找故障原因,针对性检测和维修,可有效地解决故障,提高工作效率。 展开更多
关键词 回旋加速器 射频电压 电源故障
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SiC光学材料的电弧增强等离子体加工方法 被引量:1
5
作者 史宝鲁 戴一帆 +1 位作者 解旭辉 周林 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期34-38,共5页
Si C光学材料具有高化学稳定性,其在普通的等离子体加工中难以获得较高的加工效率。在等离子体加工实验中,发现提高等离子体的自身射频电压可增强等离子体与Si C材料之间的电弧放电作用,而借助电弧的增强作用可提高Si C材料的加工效率,... Si C光学材料具有高化学稳定性,其在普通的等离子体加工中难以获得较高的加工效率。在等离子体加工实验中,发现提高等离子体的自身射频电压可增强等离子体与Si C材料之间的电弧放电作用,而借助电弧的增强作用可提高Si C材料的加工效率,因此提出电弧增强等离子体加工方法。为研究电弧的形成原理,使用自制的探针分别测量了普通电感耦合等离子体和电弧增强等离子体的电压。分别使用传统方法和电弧增强方法对S-Si C进行直线扫描加工实验,证明了电弧增强等离子体加工方法具有更高的加工效率。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体 射频电压 电弧等离子体 碳化硅
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等离子硅刻蚀及其工艺参数的多尺度优化 被引量:1
6
作者 阎军 杨明强 严培 《计算机辅助工程》 2014年第5期84-87,共4页
用CFD-ACE+和CFD-TOPO分别对容性耦合等离子体反应腔室放电和等离子硅刻蚀过程进行仿真,讨论不同射频电压和腔室条件对等离子体特性的影响.结果表明:随着射频电压的升高,离子的通量增大;在低射频电压时,离子通量随腔室压强的升高而减小... 用CFD-ACE+和CFD-TOPO分别对容性耦合等离子体反应腔室放电和等离子硅刻蚀过程进行仿真,讨论不同射频电压和腔室条件对等离子体特性的影响.结果表明:随着射频电压的升高,离子的通量增大;在低射频电压时,离子通量随腔室压强的升高而减小,而在高射频电压时趋势则相反.用Kriging模型对影响刻蚀形貌的参数(腔室压强和射频电压)进行优化,结果表明该优化方法可以为工艺条件相近的刻蚀机设备的设计提供参考. 展开更多
关键词 硅刻蚀 容性耦合等离子体 射频电压 腔室压强 KRIGING模型 优化
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3GH_z射频电压基准技术改造
7
作者 阎景莲 甄真 《现代计量测试》 1995年第4期28-33,共6页
本文介绍了3GHz射频电压基准技术改造的结果。由于对电桥、高频座、新型测热元件以及有关设备进行了部分改造,使该基准满足了如下技术指标:0.1~2V,10~3000MHz,±(0.25~0.7)%
关键词 电压基准 射频电压
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非对称波形射频电压对FAIMS的影响分析
8
作者 徐利梅 吴福民 +1 位作者 钟其水 杨敏 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期944-948,共5页
研究了射频电压的大小、占空比的改变对高场不对称波形离子迁移谱(FAIMS)热量的影响。随着射频电压增大,FAIMS的迁移管产生的热量绝对值增大;占空比越大,FAIMS迁移管产生的热量绝对值越小。研究结果表明,射频电压的变化会导致FAIMS系统... 研究了射频电压的大小、占空比的改变对高场不对称波形离子迁移谱(FAIMS)热量的影响。随着射频电压增大,FAIMS的迁移管产生的热量绝对值增大;占空比越大,FAIMS迁移管产生的热量绝对值越小。研究结果表明,射频电压的变化会导致FAIMS系统产生温度差而传递热量,从而影响FAIMS的可靠性和稳定性。通过理论分析及仿真可知,当占空比为0.1且射频电压为2 700 V时,系统工作所产生的温度对FAIMS的影响最小,为便携式FAIMS的设计提供了重要的参考数据。 展开更多
关键词 高场非对称波形离子迁移谱 射频电压 可靠性 稳定性 温度
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高频电路辐射干扰快速分析与预估方法 被引量:24
9
作者 赵阳 罗永超 +4 位作者 颜伟 赵波 李世锦 陆婋泉 邱晓晖 《电波科学学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第3期466-471,共6页
针对高频电路辐射干扰测量时间长,实验配置成本较高的问题,提出一种基于射频电压和射频电流参数测量的高频电路电磁辐射干扰快速分析与预估方法。给出了相应的理论分析和实验系统设计。实验表明:电路射频参数测量与近场及电波暗室测量... 针对高频电路辐射干扰测量时间长,实验配置成本较高的问题,提出一种基于射频电压和射频电流参数测量的高频电路电磁辐射干扰快速分析与预估方法。给出了相应的理论分析和实验系统设计。实验表明:电路射频参数测量与近场及电波暗室测量结果吻合较好,说明基于射频电压探头测量可有效实现对电磁兼容措施改进前后高频电路的辐射干扰快速分析,另基于射频电流探头测量亦可实现对电路电磁辐射场的快速估计。该方法简单快速,对高频电路设计和性能改进有一定参考价值。 展开更多
关键词 电磁兼容 电磁辐射 高频电路 射频电压测量 射频电流测量
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方波射频电压幅值对微型高场非对称波形离子迁移谱传感器芯片性能的影响 被引量:9
10
作者 李华 唐飞 +6 位作者 王晓浩 张亮 杨吉 王帆 徐初隆 吝涛 丁力 《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1678-1682,共5页
基于微机电系统技术(Micro electro mechanical system,MEMS),研制了微型高场非对称波形离子迁移谱(High-field asymmetric waveform ion mobility spectrometry,FAIMS)传感器芯片。芯片采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀和两次硅-玻璃键... 基于微机电系统技术(Micro electro mechanical system,MEMS),研制了微型高场非对称波形离子迁移谱(High-field asymmetric waveform ion mobility spectrometry,FAIMS)传感器芯片。芯片采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀和两次硅-玻璃键合工艺加工,尺寸为18.8mm×12.4mm×1.2mm,其中迁移区尺寸为10mm×5mm×0.2mm。设计了高场非对称方波电源,可输出最大频率2MHz,电压峰-峰值1000V,占空比20%~50%连续可调的方波射频电压。以乙醇为实验样品,分析了方波射频电压幅值对FAIMS传感器芯片性能的影响。实验表明,随着电压幅值的增加,FAIMS分辨率提高,灵敏度下降,补偿电压绝对值增大,且芯片对乙醇的检出限可达8.9mg/m3。 展开更多
关键词 微机电系统 高场非对称波形离子迁移谱 方波射频电压
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一种新型射频电压表校准仪的研究与设计
11
作者 刘亦旸 李勇 +2 位作者 陈硕 贾超 崔孝海 《计量科学与技术》 2024年第10期51-57,共7页
射频电压测量在科研和工业领域有着十分重要的应用,射频电压表校准仪在国家计量系统的各级计量站中被大量使用,承担了相当多的校准任务。介绍了一款新研制的智能仪器射频电压表校准仪,具有频带宽、动态范围高、准确度高、自动测试等优势... 射频电压测量在科研和工业领域有着十分重要的应用,射频电压表校准仪在国家计量系统的各级计量站中被大量使用,承担了相当多的校准任务。介绍了一款新研制的智能仪器射频电压表校准仪,具有频带宽、动态范围高、准确度高、自动测试等优势,同时具有基本误差校准和频率附加误差校准功能,可以对各种类型的射频电压表进行自动或半自动校准并可自动生成校准证书。校准仪的设计分为两方面,分别是硬件和软件的设计与实现。硬件设计中针对基本误差的校准,设计了标准交流电压源,主要由交流电压发生器模块、电压放大模块,闭环反馈模块组成,得到高准确度的输出;针对频率附加误差的校准,设计了新型传感器的芯片和结构,可以更准确、简便地进行直流电压定标。软件设计主要包括测控模块、数据处理模块和显示模块,能够自动读取数值进行反馈调节、切换量程或频率、显示数值以及进行后续数据处理。介绍的射频电压表校准仪的设计处于国内领先水平,为国内校准仪的创新作出贡献,减少对国外仪器仪表的依赖,满足国内射频电压表检定、校准需求。 展开更多
关键词 计量学 射频电压 薄膜热变电阻 射频 A/D D/A
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新型八电极线性离子阱的理论模拟研究 被引量:3
12
作者 姚如娇 何洋 +6 位作者 张礼朋 庞骏德 朱勇勇 丁正知 曹康丽 李晓旭 肖育 《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期1814-1820,共7页
线性离子阱是目前质谱领域的研究热点之一。为了进一步提升线性离子阱的分析性能以扩大其应用范围,本研究提出一种新型八电极线性离子阱(Octa-electrode linear ion trap,Oe LIT),由8个完全相同的柱状电极和2个端盖电极组成。采用斜边... 线性离子阱是目前质谱领域的研究热点之一。为了进一步提升线性离子阱的分析性能以扩大其应用范围,本研究提出一种新型八电极线性离子阱(Octa-electrode linear ion trap,Oe LIT),由8个完全相同的柱状电极和2个端盖电极组成。采用斜边电极结构为例进行研究,配合特定的不平衡射频RF电压施加方式,探究其质量分析性能并实现离子单向出射。利用模拟软件PAN33和AXSIM分析射频电压差Δ和内部电场的关系,得到模拟质谱峰。结果表明,当射频电压差Δ=40%时,斜边八电极线性离子阱获得的质量分辨率最优,m/z 610的离子对应的质量分辨率最高可达3660,与类似结构的三角形电极线性离子阱(Te LIT)的分析结果相比,质量分辨率提高了40%。当Δ=30%时,离子单向出射效率最高可达91%。 展开更多
关键词 八电极线性离子阱 不平衡射频电压 电场分析 质量分辨率 离子单向出射
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射频电压检定装置的组建
13
作者 覃忠良 陈秀宏 《通信与电视》 1993年第2期71-75,共5页
关键词 电子仪器 射频电压 测量
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强化了对ESD和RF防范能力的半导体桥的发展
14
作者 DavidB.Novotney 叶欣 《火工情报》 2002年第2期74-81,共8页
用半导体桥做成的起爆器在起爆爆炸材料方面有着固有的优势;全发火能量低,不发火性能好,作用时间快,对静电放电和射频辐射钝感。如果在SCB模件上增加某些元器件或改变一下结构,那么它的这些固有特性还可得以加强,从而减少由ESD,R... 用半导体桥做成的起爆器在起爆爆炸材料方面有着固有的优势;全发火能量低,不发火性能好,作用时间快,对静电放电和射频辐射钝感。如果在SCB模件上增加某些元器件或改变一下结构,那么它的这些固有特性还可得以加强,从而减少由ESD,RF以及杂散电势引发的危害事故。本文讨论了两种由Ensign-Bickford公司和SCB技术公司(SCBTechnologies)共同研发的以SCB为基本组件的装置。集成有齐纳二极管(zener diode)的SCB起爆器,可实现极低的发火电流(小于0.3mJ),同时又对标准的ESD脉冲钝感。文章还对专为用于油气井作业的射频电压保护(Radio Frequency Voltage Protect,RFVP)雷管的鉴定试验数据进行了讨论。结果表明,这种装置对RF和杂散电势的防范能力要优于常规电爆雷管(electroexplosive detonators)。 展开更多
关键词 起爆器 射频电压保护 杂散电势 ESD RF 半导体桥
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射频同轴连接器耐射频高电位电压测试
15
作者 张志谦 《机电元件》 2014年第2期52-54,共3页
从上世纪八十年代开始,我国等同采用美军标编制了国军标和国家标准。在这些标准中,关于射频同轴连接器的"耐射频高电位电压"的测量作了明确的规定。但虽经多家单位对这一测量技术进行了技术研究,对于这一项目的测量方法和手... 从上世纪八十年代开始,我国等同采用美军标编制了国军标和国家标准。在这些标准中,关于射频同轴连接器的"耐射频高电位电压"的测量作了明确的规定。但虽经多家单位对这一测量技术进行了技术研究,对于这一项目的测量方法和手段始终没有得到有效的解决。西安精为电子技术有限公司"SNY-2耐射频高电位电压测试仪"研制成功,将终结这一测量项目无仪器可用的尴尬历史,并对这项测量时被测连接器流过的电流进行讨论。 展开更多
关键词 射频同轴连接器 射频高电位电压 射频高电位电压测试仪
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射频微小电压电位计的改进
16
作者 韩达生 《青岛大学学报(工程技术版)》 CAS 2000年第4期53-56,共4页
介绍了一种改进的新型射频微电位计。它是一种行之有效的射频电压工作标准。改进后的电位计具有良好的频率特性及防共扼干扰的能力,能适应各种阻抗系统的需要。
关键词 圆盘电阻 连接 射频微小电压电位计
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Stability Measurement of DC Power Supply for SSC RF Transmitter
17
《近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报:英文版》 2000年第1期87-87,共1页
关键词 HIRFL-SSC 射频电源电压 稳定性测试
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家庭影院用功率放大器部分产品质量国家监督抽查结果
18
《现代家电》 1999年第2期49-49,共1页
关键词 功率放大器 国家监督抽查 家庭影院 产品质量 骚扰功率 不合格 射频干扰电压 注入电源 佛山市 正常工作条件
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