期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到5篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
基础三维无源元件的单片高集成度自卷曲技术
1
作者 黄文 桑磊 +4 位作者 黄高山 顾昌展 张勇 沈瞿欢 毕秀文 《中国基础科学》 2024年第4期17-24,共8页
在射频前端芯片中,无源元件占据大量面积,这成为芯片小型化的瓶颈。为了应对这一挑战,介绍一种基于传统平面半导体工艺的单片自卷曲技术。该技术利用薄膜应力实现了基础无源元件对三维空间的充分利用,从而显著减少了基础无源元件在芯片... 在射频前端芯片中,无源元件占据大量面积,这成为芯片小型化的瓶颈。为了应对这一挑战,介绍一种基于传统平面半导体工艺的单片自卷曲技术。该技术利用薄膜应力实现了基础无源元件对三维空间的充分利用,从而显著减少了基础无源元件在芯片中所占的面积,相比传统的二维平面器件更具优势。通过全面介绍这一技术的原理、表征以及集成应用等,展示了其在推动射频前端芯片向高集成度和小型化方向发展的潜力。 展开更多
关键词 自卷曲技术 射频前端芯片 基础三维无源元件 高集成度和小型化
原文传递
2.4 GHz频段射频前端高线性度SiGe低噪声放大器设计 被引量：1
2
作者 傅海鹏 史昕宇 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期77-83,共7页
为满足高性能射频前端接收部分对高线性度的需求,基于SiGe BiCMOS工艺设计并实现了一款工作在2.4 GHz频段的高线性度低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA).该放大器采用Cascode结构在增益与噪声之间取得平衡,在Cascode结构输入和输出... 为满足高性能射频前端接收部分对高线性度的需求,基于SiGe BiCMOS工艺设计并实现了一款工作在2.4 GHz频段的高线性度低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA).该放大器采用Cascode结构在增益与噪声之间取得平衡,在Cascode结构输入和输出间并联反馈电容,实现输入端噪声与增益的同时匹配.设计了一种改进的动态偏置有源电流镜以提升输入1 dB压缩点及输入三阶交调点的线性度指标.为满足应用需求,LNA与射频开关及电源模块集成组成低噪声射频前端接收芯片进行流片加工测试.测试结果表明:在工作频率2.4~2.5GHz内,整个接收芯片增益为14.6~15.2 dB,S_(11)、S_(11)<-9.8 dB,NF<2.1 dB,2.45 GHz输入1 dB压缩点为-2.7 dBm,输入三阶交调点为+12 dBm.芯片面积为1.23 mm×0.91 mm.该测试结果与仿真结果表现出较好的一致性,所设计的LNA展现出了较好的线性度表现. 展开更多
关键词 低噪声放大器 线性度 射频前端芯片 BICMOS工艺
下载PDF
基于TH71221的无源声表面波传感信号读取器 被引量：1
3
作者 毛臻 张诚 《电子设计工程》 2021年第18期58-62,共5页
针对无源声表面波传感读取器信号处理软件算法影响参数多、分立元件硬件设计复杂等问题,通过Matlab对传感信号进行模拟和仿真,确定了算法涉及的关键参数,从硬件系统实现角度进一步对射频链路关键器件进行分析、比较并选型。设计了以两... 针对无源声表面波传感读取器信号处理软件算法影响参数多、分立元件硬件设计复杂等问题,通过Matlab对传感信号进行模拟和仿真,确定了算法涉及的关键参数,从硬件系统实现角度进一步对射频链路关键器件进行分析、比较并选型。设计了以两颗高集成度射频芯片TH71221分别作为收发前端的系统架构,并据此实现了读取器的总体电路设计。与基于分立器件实现的系统相比,该读取器具有成本低、尺寸小,易于实现的特点。 展开更多
关键词 无源声表面波 传感器 射频前端芯片 传感信号读取器 TH71221 TMS320F28335
下载PDF
基于SiGe BiCMOS工艺的802.11ac系统射频前端芯片设计 被引量：1
4
作者 陈亮 朱彦青 陈悦鹏 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期408-413,共6页
基于0.35μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款工作在5.15～5.85GHz的用于802.11ac系统的高集成射频前端芯片。芯片集成低噪声放大器、开关、功率放大器以及电源管理电路、功能控制电路、静电放电(Electrostatic discharge,ESD)保护电路。芯... 基于0.35μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款工作在5.15～5.85GHz的用于802.11ac系统的高集成射频前端芯片。芯片集成低噪声放大器、开关、功率放大器以及电源管理电路、功能控制电路、静电放电(Electrostatic discharge,ESD)保护电路。芯片面积为1.56mm×1.56mm,封装采用尺寸为2.5mm×2.5mm×0.5mm的16管脚QFN封装形式。芯片电源电压为5V,控制电压为3.3V。测试结果表明,发射通路的直流电流为120mA,增益为29dB,输出P-1为27dBm,当输出功率为18dBm时误差向量幅度为-34dB;接收通路的直流电流为6mA,增益为12.5dB,噪声系数为2.4dB,输出P-1为10dBm。同时,芯片集成功率检测功能可用于实现发射系统的动态增益控制。ESD测试结果显示,各端口的ESD保护能力大于1 500V(HBM模式)。 展开更多
关键词 射频前端芯片 802.11ac标准 误差向量幅度
下载PDF
LTE时代手机芯片厂商竞争分析与趋势展望
5
作者 王朝晖 程贵锋 《移动通信》 2014年第19期84-88,共5页
基于芯片产业整体关系视图简要介绍了手机芯片行业的产业格局、上下游关系和竞合趋势。聚焦LTE手机的主芯片、基带芯片与射频芯片等关键细分芯片领域,总体分析了竞争格局与发展状况,逐一剖析了LTE时代主要芯片厂商的产品布局、市场策略... 基于芯片产业整体关系视图简要介绍了手机芯片行业的产业格局、上下游关系和竞合趋势。聚焦LTE手机的主芯片、基带芯片与射频芯片等关键细分芯片领域,总体分析了竞争格局与发展状况,逐一剖析了LTE时代主要芯片厂商的产品布局、市场策略和发展前景。最后对影响芯片领域竞争走向的关键因素进行了分析与展望。 展开更多
关键词 LTE 手机芯片 市场竞争格局 主芯片 基带芯片 射频前端芯片
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部