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靶基距对反应溅射AlN薄膜微结构和性能的影响 被引量：2
1
作者 王进 李翠平 +3 位作者 杨保和 张庚宇 尹涛涛 苏林 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期1519-1524,共6页
采用射频(RF)磁控反应溅射法在Si基底上制备了氮化铝(AlN)薄膜,利用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和纳米力学测试系统研究靶基距对AlN薄膜取向性、微结构、形貌和力学性能的影响。结果表明,靶基距较大时,... 采用射频(RF)磁控反应溅射法在Si基底上制备了氮化铝(AlN)薄膜,利用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和纳米力学测试系统研究靶基距对AlN薄膜取向性、微结构、形貌和力学性能的影响。结果表明,靶基距较大时,形成的AlN薄膜为非晶态,薄膜表面较疏松;随着靶基距的减少,AlN薄膜变为多晶态,且具有(100)择优取向;随着靶基距的进一步减少,薄膜结晶质量变好,晶粒变大,薄膜变得更致密,择优取向也由(100)逐渐向(002)转变;靶基距较小时,AlN压电薄膜与基底结合得更牢固,而压电薄膜与基底结合的紧密程度对多层膜声表面波(SAW)器件性能优劣的影响至关重要。 展开更多
关键词 氮化铝(AlN)薄膜 靶基距 射频(rf)磁控 择优取向
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基底温度对射频磁控溅射PI基ITO薄膜的影响 被引量：1
2
作者 刘祖一 徐文正 +5 位作者 杨旭 汪邓兵 丁正钰 张海峰 许召辉 凤权 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第6期965-970,共6页
采用射频(RF)磁控溅射法在柔性耐高温聚酰亚胺(PI)薄膜上沉积了氧化铟锡(ITO)薄膜,研究了基底温度对ITO薄膜性能的影响。运用四探针测试仪研究了基底温度对ITO薄膜方块电阻及电阻率的影响,并用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)研... 采用射频(RF)磁控溅射法在柔性耐高温聚酰亚胺(PI)薄膜上沉积了氧化铟锡(ITO)薄膜,研究了基底温度对ITO薄膜性能的影响。运用四探针测试仪研究了基底温度对ITO薄膜方块电阻及电阻率的影响,并用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)研究了基底温度对ITO薄膜表面形貌及结晶度的影响。采用X射线光电子能谱仪(XPS)、附着力测试仪分析电学性能最优的样品化学组成与附着力。研究结果表明,ITO薄膜方块电阻及电阻率随基底温度上升先下降后上升,在基底温度为250℃时,ITO薄膜方块电阻为14.1Ω/□,电阻率为1.9×10^(-4)Ω·cm,基膜附着力好,薄膜结晶度高,(222)晶面存在择优取向。 展开更多
关键词 射频(rf)磁控溅射 柔性材料 基底温度 氧化铟锡(ITO)薄膜 柔性导电
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氧氩流量比对RF溅射ZnO：Mg薄膜结构及光学性能的影响 被引量：4
3
作者 自兴发 叶青 +1 位作者 刘瑞明 何永泰 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期883-888,共6页
利用射频（RF）磁控溅射技术,采用单质Zn靶和MgO陶瓷靶共溅射,在O2和Ar气的混合气氛下制备了Mg掺杂ZnO（ZnO：Mg）薄膜,并通过改变O2和Ar的流量比O2/Ar,研究了对ZnO：Mg薄膜的物相结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明,室温下O2/Ar... 利用射频（RF）磁控溅射技术,采用单质Zn靶和MgO陶瓷靶共溅射,在O2和Ar气的混合气氛下制备了Mg掺杂ZnO（ZnO：Mg）薄膜,并通过改变O2和Ar的流量比O2/Ar,研究了对ZnO：Mg薄膜的物相结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明,室温下O2/Ar在1∶1~3∶1范围内制备的薄膜均为单相的ZnO（002）薄膜,薄膜具有三维（3D）的结核生长模式;沉积的ZnO：Mg薄膜在N2氛下200℃退火处理后,O2/Ar为3∶1制备的薄膜在380~1200nm光谱范围内具有较高的透过率,可见光区平均透过率约为85%、最大透过率达90%;薄膜的光学带隙Eg为3.51eV,Mg掺杂对ZnO薄膜的光学带隙具有较为明显的调制作用;采用极值包络线法计算表明,薄膜在589.3nm处的折射率为1.963,膜厚约285nm。 展开更多
关键词 射频(rf)磁控溅射 ZnO:Mg薄膜 透射光谱 光学带隙
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磁控溅射工作压强对β-Ga2O_(3)薄膜特性的影响
4
作者 段方 胡锐 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第12期2059-2064,共6页
作为新兴的第三代半导体材料,β-Ga_(2)O_(3)高质量薄膜是制备高效Ga_(2)O_(3)基器件的基础,β-Ga_(2)O_(3)薄膜的制备、表征及光电特性的研究具有深刻的意义。通过分析研究磁控溅射工作压强变化对薄膜性能和形貌的影响,为制备更高质量... 作为新兴的第三代半导体材料,β-Ga_(2)O_(3)高质量薄膜是制备高效Ga_(2)O_(3)基器件的基础,β-Ga_(2)O_(3)薄膜的制备、表征及光电特性的研究具有深刻的意义。通过分析研究磁控溅射工作压强变化对薄膜性能和形貌的影响,为制备更高质量的薄膜提供了一种新的方法。基于射频磁控溅射方法,在单晶c面蓝宝石(Al_(2)O_(3))衬底上沉积生长Ga_(2)O_(3)薄膜,并进行900℃、90min的氮气退火处理,以得到β-Ga_(2)O_(3)薄膜。沉积过程不改变其他实验参数,仅改变工作压强,研究工作压强对β-Ga_(2)O_(3)薄膜特性的影响。X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)表征结果显示,β-Ga_(2)O_(3)薄膜具有不同取向的衍射峰,沿着■晶向择优生长,薄膜呈多晶状态。适当增大工作压强可使β-Ga_(2)O_(3)薄膜内氧空位缺陷有效减少,从而提高薄膜结晶质量。但工作压强过高会增大Ar^(+)与靶材镓、氧原子团撞击概率,靶材原子团能量也将消耗,致使薄膜的结晶性能降低、生长速率下降。此外,工作压强对β-Ga_(2)O_(3)薄膜光学吸收特性的影响较大,总体而言,增大工作压强可提高β-Ga_(2)O_(3)薄膜紫外吸收特性。 展开更多
关键词 Ga2O_(3) 射频(rf)磁控溅射 工作压强 结晶质量 紫外吸收特性
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射频磁控溅射ITO薄膜对TOPCon太阳电池光电性能的影响
5
作者 郭永刚 王冬冬 +3 位作者 陈丹 石惠君 张敏 李得银 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2022年第1期19-24,83,共7页
通过射频(RF)磁控溅射分别在光学玻璃基底上和多晶硅薄膜层上沉积了氧化铟锡(ITO)薄膜,采用Hall效应测试仪测试了ITO薄膜的电阻率和载流子浓度等参数,研究溅射功率和溅射时间等参数对ITO薄膜的光电特性影响。测试多晶Si对称结构沉积ITO... 通过射频(RF)磁控溅射分别在光学玻璃基底上和多晶硅薄膜层上沉积了氧化铟锡(ITO)薄膜,采用Hall效应测试仪测试了ITO薄膜的电阻率和载流子浓度等参数,研究溅射功率和溅射时间等参数对ITO薄膜的光电特性影响。测试多晶Si对称结构沉积ITO薄膜前后及退火后的隐开路电压和反向饱和电流密度等参数,研究ITO薄膜对n型晶硅太阳电池钝化接触的影响。研究结果表明:在纯氩气氛围下、溅射功率为200 W、溅射时间为15 min、转速为10 r/min、工作气压为1 Pa,在250℃退火10 min条件下,ITO薄膜光电性能最佳,退火后的电阻率为2.863×10^(-4)Ω·cm,退火后的隐开路电压为721 mV,n型隧道氧化物钝化接触(TOPCon)太阳电池平均光电转换效率为23.6%。 展开更多
关键词 隧道氧化物钝化接触(TOPCon)太阳电池 射频(rf)磁控溅射 氧化铟锡(ITO)薄膜 多晶Si 退火
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多步磁控溅射法制备ZnO薄膜 被引量：1
6
作者 马季 朱兴文 +1 位作者 徐琼 张芳 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2010年第4期631-633,共3页
实验采用射频磁控溅射法,通过多次短时沉积和热处理工艺,以玻璃为衬底在不同射频功率下制备了ZnO薄膜,探讨了射频功率对薄膜结构、光及电性能等方面的影响。结果表明,在低于300 W的功率下,采用多步法制备的薄膜表面平整致密,晶粒均匀,... 实验采用射频磁控溅射法,通过多次短时沉积和热处理工艺,以玻璃为衬底在不同射频功率下制备了ZnO薄膜,探讨了射频功率对薄膜结构、光及电性能等方面的影响。结果表明,在低于300 W的功率下,采用多步法制备的薄膜表面平整致密,晶粒均匀,具有良好的c轴定向。且薄膜的可见光透过率在80%以上,电阻率达到1010Ω.cm。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 多步法 射频(rf)磁控溅射法 c轴定向
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六方氮化硼薄膜制备及其压电响应的研究
7
作者 孙连婕 陈希明 +2 位作者 杨保和 郭燕 吴小国 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期518-522,共5页
采用射频(RF)磁控溅射的方法,通过改变工艺参数在n型Si(100)片上制备六方氮化硼(h-BN)薄膜。通过傅立叶红外(FTIR)光谱仪,X射线衍射(XRD)仪进行结构表征,原子力显微镜(AFM)进行表面形貌和压电性能表征。测试结果表明,在射频功率为300 W... 采用射频(RF)磁控溅射的方法,通过改变工艺参数在n型Si(100)片上制备六方氮化硼(h-BN)薄膜。通过傅立叶红外(FTIR)光谱仪,X射线衍射(XRD)仪进行结构表征,原子力显微镜(AFM)进行表面形貌和压电性能表征。测试结果表明,在射频功率为300 W、衬底温度为500℃、工作压强在0.8Pa、N2与Ar流量比为4∶20和衬底偏压在-200V时制备的六方BN薄膜具有高纯度、高c-轴择优取向,颗粒均匀致密,粗糙度为2.26nm,具有压电性并且压电响应均匀,符合高频声表面波器件基片高声速、优压电性要求。薄膜压电性测试研究表明,AFM的PFM测试方法适用于纳米结构半导体薄膜的压电性及其压电响应分布特性的表征。 展开更多
关键词 六方氮化硼(h-BN) 射频(rf)磁控溅射 傅立叶红外(FTIR)光谱仪 原子力显微镜(AFM) 压电薄膜
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