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题名石墨烯材料、器件与电路的研究现状
被引量：2
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作者
王宗成
王淑华
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2015年第10期613-619,628,共8页
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文摘
简单介绍了石墨烯优异的电学特性及主要国家的发展规划。详细论述了石墨烯材料制备技术的发展现状,如SiC外延法和CVD法的优缺点和目前的技术水平,其中SiC外延法生长的石墨烯尺寸达4英寸(1英寸=2.54 cm),迁移率高;CVD法生长的石墨烯尺寸达30英寸以上,质量好,基本能满足石墨烯器件和电路的应用需求。从RF器件和电路、数字逻辑器件和电路以及THz器件和电路几个方面重点阐述了石墨烯电子器件和电路的最新研究进展,目前石墨烯RF晶体管在栅长分别为67和140 nm时,截止频率fT分别为427和300 GHz,而石墨烯逻辑器件在带隙研究的推动下,导通关断电流比(Ion/Ioff)已达到107。最后,从石墨烯材料制备和电子器件与电路方面对其发展方向进行了总结。
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关键词
石墨烯
SiC外延生长
化学气相沉积(CVD)法
射频(rf)器件
逻辑器件
太赫兹(THz)器件
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Keywords
graphene
SiC epitaxial growth
chemical vapor deposition（CVD）method
radio frequency（rf）device
logic device
terahertz（THz）device
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分类号
TN3
[电子电信—物理电子学]
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