O434.1 2000053033X射线反射式波带片衍射图形的深度误差效应=Erroreffect in depth of diffraction pattern of X-rayreflection zone plate[刊,中]/乐孜纯,潘守甫(吉林大学原子与分子物理研究所.吉林,长春(130012))//微细加工技术.—1...O434.1 2000053033X射线反射式波带片衍射图形的深度误差效应=Erroreffect in depth of diffraction pattern of X-rayreflection zone plate[刊,中]/乐孜纯,潘守甫(吉林大学原子与分子物理研究所.吉林,长春(130012))//微细加工技术.—1999,(2).展开更多
O484.1 2002032055Ge薄层异质结构的同步辐射X射线反射法研究=Study of Ge thin heterostructures by synchrotronradiation X-ray reflection[刊,中]/郑文莉,贾全杰,姜晓明(中科院高能物理所.北京(100039)),蒋最敏(复旦大学应用表面物...O484.1 2002032055Ge薄层异质结构的同步辐射X射线反射法研究=Study of Ge thin heterostructures by synchrotronradiation X-ray reflection[刊,中]/郑文莉,贾全杰,姜晓明(中科院高能物理所.北京(100039)),蒋最敏(复旦大学应用表面物理国家重点实验室.上海(200433))//高能物理与核物理.-2001,25(12).-1231-1237用X射线反射方法研究了分子束外延生长的Si中Ge薄层异质结构的Ge原子分布特性。根据X射线反射理论Parratt数值计算方法对实验反射曲线的模拟,得到不同厚度的Ge薄层异质结构样品中Ge原子的深度分布为非对称指数形式,且分布形式与Ge原子层的厚度无关。讨论了不同结构参数对样品低角反射曲线的影响。图3表2参12(李瑞琴)O484.1 2002032056掺氨对类金刚石薄膜场发射的影响=Effect of nitrogenaddition on field emission of diamond-likecarbon films[刊,中]/马会中。展开更多
Y2000-62067-260 0012449应用掠入射 X 射线反射率和光致发光对量子阱结构构成剖面定量分析=Quantitative analysis of composi-tion profiles in quantum well structures using grazing inci-dence X-ray reflectivity and photolumin...Y2000-62067-260 0012449应用掠入射 X 射线反射率和光致发光对量子阱结构构成剖面定量分析=Quantitative analysis of composi-tion profiles in quantum well structures using grazing inci-dence X-ray reflectivity and photoluminescence[会,英]/Moon,Y.& Yoon,E.//1998 IEEE International Con-ference on Optoelectronic and Microelectronic Materialsand Devices.—260～263(EC)展开更多
文摘O434.1 2000053033X射线反射式波带片衍射图形的深度误差效应=Erroreffect in depth of diffraction pattern of X-rayreflection zone plate[刊,中]/乐孜纯,潘守甫(吉林大学原子与分子物理研究所.吉林,长春(130012))//微细加工技术.—1999,(2).
文摘O723 95021325磨抛工艺中HgCdTe晶片的表面损伤=Surfacedamage of HgCdTe wafers in lapping andpolishing[刊,中]/姚英,蔡毅,欧明娣,梁宏林,朱惜辰(昆明物理所.云南,昆明(650223))//红外技术.—1994,16(5).
文摘O484.1 2002032055Ge薄层异质结构的同步辐射X射线反射法研究=Study of Ge thin heterostructures by synchrotronradiation X-ray reflection[刊,中]/郑文莉,贾全杰,姜晓明(中科院高能物理所.北京(100039)),蒋最敏(复旦大学应用表面物理国家重点实验室.上海(200433))//高能物理与核物理.-2001,25(12).-1231-1237用X射线反射方法研究了分子束外延生长的Si中Ge薄层异质结构的Ge原子分布特性。根据X射线反射理论Parratt数值计算方法对实验反射曲线的模拟,得到不同厚度的Ge薄层异质结构样品中Ge原子的深度分布为非对称指数形式,且分布形式与Ge原子层的厚度无关。讨论了不同结构参数对样品低角反射曲线的影响。图3表2参12(李瑞琴)O484.1 2002032056掺氨对类金刚石薄膜场发射的影响=Effect of nitrogenaddition on field emission of diamond-likecarbon films[刊,中]/马会中。
文摘Y2000-62067-260 0012449应用掠入射 X 射线反射率和光致发光对量子阱结构构成剖面定量分析=Quantitative analysis of composi-tion profiles in quantum well structures using grazing inci-dence X-ray reflectivity and photoluminescence[会,英]/Moon,Y.& Yoon,E.//1998 IEEE International Con-ference on Optoelectronic and Microelectronic Materialsand Devices.—260～263(EC)
