临时键合技术在晶圆级封装工艺运用的研究 被引量：2

1

作者 钱柯 《电子世界》 2020年第8期21-22,共2页

随着消费类电子产品,诸如手机,智能穿戴产品趋向轻巧、多功能、低功耗和长续航发展,晶圆级芯片封装的发展朝向大尺寸、多芯片堆叠和超薄三个方向发展。大尺寸芯片运用在CMOS影像芯片,能够支持更高像素,通过堆栈电子器件的三维集成电路(3... 随着消费类电子产品,诸如手机,智能穿戴产品趋向轻巧、多功能、低功耗和长续航发展,晶圆级芯片封装的发展朝向大尺寸、多芯片堆叠和超薄三个方向发展。大尺寸芯片运用在CMOS影像芯片,能够支持更高像素,通过堆栈电子器件的三维集成电路(3D-ICs)能够缩小封装面积,并增加系统的容量和功能。超薄技术带来的是能够堆叠更多芯片,并且能够很好的控制封装模组的厚度,进而控制整个产品的厚度,另外能够压缩更多的空间给电池,以提升产品的续航能力。 展开更多

关键词 三维集成电路 智能穿戴 消费类电子产品 晶圆级封装 续航能力 堆栈 封装面积 芯片封装

下载PDF 职称材料

日本东丽推出支持微细倒装芯片封装和三维封装的薄膜

2

作者 郑冬冬 《半导体信息》 2011年第2期40-41,共2页

东丽宣布开发出了用于以智能手机等便携式电子产品为中心广泛采用的倒装芯片封装和三维封装的薄膜,将于2011年1月正式销售。上述用途过去采用的是底部填充树脂。此次的薄膜与底部填充树脂相比,具有可支持10μm以下的狭缝、能够简化封装... 东丽宣布开发出了用于以智能手机等便携式电子产品为中心广泛采用的倒装芯片封装和三维封装的薄膜,将于2011年1月正式销售。上述用途过去采用的是底部填充树脂。此次的薄膜与底部填充树脂相比,具有可支持10μm以下的狭缝、能够简化封装工艺和降低成本等优点。该公司表示。 展开更多

关键词 倒装芯片 日本东丽 电子产品 填充树脂 封装工艺 封装面积 降低成本 粘片 凸点 半导体封装

原文传递

Cree光通量能够超过1000 lm的小型白色LED

3

作者 章从福 《半导体信息》 2010年第3期4-5,共2页

美国Cree开始投产白色LED"Xlamp MPL EasyWhit",该产品在输入功率为11.3 W时,光通量最小为900 lm。输入功率最大为22 W时,光通量超过1000lm。封装面积为13.15 mm×12.15 mm。Cree称,作为光通量可超过1000

关键词 CREE LM 封装面积 封装尺寸 色温 公司计划 光效率 发光光谱 ARROW 偏差问题

原文传递

台湾Solidlite发表高功率白色LED 采用硅封装实现小尺寸

4

作者 朱莉莉 《半导体信息》 2007年第5期5-6,共2页

关键词 Solidlite 发光层 色温 荧光体 封装面积 封装结构 凹部 硅晶圆 白色光 镜面反射

原文传递

德国英飞凌谈功率元器件市场:“SiC市场将会增长”

5

作者 赵佶 《半导体信息》 2012年第4期40-41,共2页

随着降低环境负荷的要求日益提高,功率元器件市场在不断增长。而且,为了进一步减少电力损失,以SiC等新一代材料取代现行Si的动向也日益活跃。日前,记者就蓬勃发展的功率元器件市场,采访了曾在德国英飞凌大幅提高了该业务的业绩并负责该... 随着降低环境负荷的要求日益提高,功率元器件市场在不断增长。而且,为了进一步减少电力损失,以SiC等新一代材料取代现行Si的动向也日益活跃。日前,记者就蓬勃发展的功率元器件市场,采访了曾在德国英飞凌大幅提高了该业务的业绩并负责该公司战略发展、 展开更多

关键词 英飞凌 SIC 封装面积 塔尔 环境负荷 阿瓦 制造成本 光伏发电系统 能源问题 光电转换效率

原文传递

业界首款单芯片32K×32K时隙交换(TSI)交换芯片

6

作者 章从福 《半导体信息》 2003年第5期17-18,共2页

通信集成电路供应商IDT(Integrated Device Technology, Inc.)发布业界首款具有最高密度的32 K×32 K时隙交换(TSI)交换芯片。新产品承袭了IDT现有TSI交换芯片的优越性能,可提供一系列先进功能,使器件可作用于速度不同的各种器件,... 通信集成电路供应商IDT(Integrated Device Technology, Inc.)发布业界首款具有最高密度的32 K×32 K时隙交换(TSI)交换芯片。新产品承袭了IDT现有TSI交换芯片的优越性能,可提供一系列先进功能,使器件可作用于速度不同的各种器件,如数字信号处理器(DSPs)、成帧器、交换器等。新产品还包括使设置更加简便的组群存储器编程功能。与某些同类竞争产品不同,新款大容量TSI交换芯片可支持可变延迟模式。 展开更多

关键词 TSI 时隙交换 首款 成帧 同类竞争 数字信号处理器 组群 编程功能 封装面积 竟争对手

原文传递

首次“外销”,三菱电机将提供SiC模块样品

7

作者 郑冬冬 《半导体信息》 2012年第4期6-7,共2页

三菱电机日前发布了5款使用SiC功率元件的功率模块新产品,将从2012年7月31日陆续开始样品供货。三菱电机此前已在该公司的空调产品的逆变器电路,以及铁路车辆逆变器装置使用的功率模块上使用了SiC功率元件。此次公开对外销售SiC功率模块... 三菱电机日前发布了5款使用SiC功率元件的功率模块新产品,将从2012年7月31日陆续开始样品供货。三菱电机此前已在该公司的空调产品的逆变器电路,以及铁路车辆逆变器装置使用的功率模块上使用了SiC功率元件。此次公开对外销售SiC功率模块"还属首次"。这5款新产品中,有3款为耐压600V的家电用产品,有2款是耐压1200V的工业设备用产品。在家电用产品中,有2款的晶体管采用Si功率元件、二极管采用SiC肖特基势垒二极管(SBD)。其中一款是配备控制电路及保护电路等的、名为"DIPIPM"的功率模块。与三菱电机以往只使用Si制元件的产品相比。 展开更多

关键词 三菱电机 SIC 功率元件 功率模块 逆变器 封装面积 保护电路 端子排 控制电路 功率因数校正

原文传递

CSP——内存的新装 内存封装技术步步高

8

作者 月影 《电脑采购》 2002年第15期12-12,1,共2页

内存封装技术从DIP封装到BGA封装再到如今的CSP封装,已经历经好几代的变迁,技术指标一代比一代先进,本期“技术通报”就带你一起去看看小小内存的发展历程,全面接触内存最新的CSP封装技术。

关键词 CSP 技术通报 技术指标 数据存取 倒装焊 移动计算 球栅阵列 封装面积 成电路 ULSI

下载PDF 职称材料

罗姆“全球首次”开始量产SiC制功率晶体管

9

作者 章从福 《半导体信息》 2011年第1期7-8,共2页

罗姆宣布已开发完成使用SiC的DMOSFET(double-diffusion metal-oxidesemiconductorFET),并已开始量产。计划从2010年12月开始量产供货定制产品,2011年夏季供货通用产品。计划此后花1年左右的时间在耐压为600 V～1200 V、电流为5 A～20 ... 罗姆宣布已开发完成使用SiC的DMOSFET(double-diffusion metal-oxidesemiconductorFET),并已开始量产。计划从2010年12月开始量产供货定制产品,2011年夏季供货通用产品。计划此后花1年左右的时间在耐压为600 V～1200 V、电流为5 A～20 A的范围内充实产品。罗姆过去一直积极致力于SiC的元件开发。2010年4月已开始量产SiC制肖特基势垒二极管(SBD)。罗姆表示,此次通过开发自主的工艺技术和筛选法。 展开更多

关键词 功率晶体管 SIC 罗姆 通用产品 定制产品 导通电阻 产品阵容 封装面积 工艺技术 筛选法

原文传递

三洋半导体开发出薄型ECM用FET

10

作者 刘广荣 《半导体信息》 2008年第5期8-8,共1页

关键词 ECM FET 薄型化 封装面积 中国电子报 便携终端 场效应晶体管 合型 生产计划 特性比

原文传递

Wolfspeed针对雷达应用发布新型氮化镓HEMT

11

作者 科信 《半导体信息》 2015年第5期22-22,共1页

9月6-11号在法国巴黎举办的欧洲微波会议周(EuMW 2015)上,美国CREE公司的子公司Wolfspeed of Raleigh,展示了最新的雷达应用产品,包括行业内目前最高功率的C波段和S波段的氮化镓HEMT(型号CGHV59350,CGHV31500F),和50V通用多功能氮化镓HE... 9月6-11号在法国巴黎举办的欧洲微波会议周(EuMW 2015)上,美国CREE公司的子公司Wolfspeed of Raleigh,展示了最新的雷达应用产品,包括行业内目前最高功率的C波段和S波段的氮化镓HEMT(型号CGHV59350,CGHV31500F),和50V通用多功能氮化镓HEMT(型号:HEMTCGHV40030,CGHV40100and CGHV40050) 展开更多

关键词 氮化镓 HEMT Wolfspeed 雷达应用 封装尺寸 行波管 宽带放大器 雷达系统 封装面积 竞

原文传递

美国Cree公司最新MMIC研制成果

12

作者 孙再吉 《半导体信息》 2010年第5期9-9,共1页

关键词 研制成果 CREE MMIC 功率增益 封装面积 工作电压

原文传递

CSP封装内存“浮出水面”

13

作者 岳阳 《电脑采购》 2003年第14期1-1,共1页

目前,内存市场“跌”声阵阵,一片肃杀气象,伴随着Intel发布DDR400标准芯片组Springdale日程的临近,DDR400内存出现了热销的情况。市场中内存的封装形式多为TSOP和BGA两种,近期,CSP封装内存也终于揭去面纱,准备同老前辈TSOP、BGA封装拼... 目前,内存市场“跌”声阵阵,一片肃杀气象,伴随着Intel发布DDR400标准芯片组Springdale日程的临近,DDR400内存出现了热销的情况。市场中内存的封装形式多为TSOP和BGA两种,近期,CSP封装内存也终于揭去面纱,准备同老前辈TSOP、BGA封装拼杀一番。廉颇老矣TSOP TSOP(Thin Small Outline Package)芯片封装是传统的封装方式,使用至今已经有20多年的历史了,可谓芯片封装的常青树。但随着集成技术的进步,设备的改进,芯片集成度不断提高,TSOP已经无法满足对集成电路封装的严格要求。逐渐成熟BGA BGA(Ball Grid Array)——球栅阵列封装。此技术也就刚刚出现几年的光景,也未被厂商大量采用。BGA拥有诸多优于TSOP的特点,组装成品率提高;虽然它的功耗增加,但BGA能用可控塌陷芯片法焊接,从而可以改善它的电热性能;厚度和重量都较以前的封装技术有所减少;寄生参数减小,信号传输延迟小。使用频率大大提高:组装可用共面焊接,可靠性高。不过BGA封装仍然存在着占用基板面积较大的问题。后起之秀CSP CSP(Chip Scale Package),即芯片级封装的意思。作为新一代的芯片封装技术,它在BGA、TSOP的基础上性能又有了新的提升。CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1∶1.14,已经相当接近1∶1的理想情况。 展开更多

关键词 CSP 芯片封装 芯片集成度 芯片级封装 寄生参数 球栅阵列 封装形式 封装面积 封装方式 芯片面积

下载PDF 职称材料

村田计划将增产10倍带焊球的GaAs IC

14

作者 章从福 《半导体信息》 2006年第6期20-20,共1页

关键词 焊球 GAAS IC 封装面积 削减成本 内部使用 高频开关 薄型化 原产品

原文传递

全新CSP封装 富豪小金龙256MB DDR466内存

15

作者 唐达鹏 《电脑采购》 2003年第32期11-11,共1页

在电脑世界里,速度、容量总是没有极限的。CPU的运行频率不断提升,硬盘的存储空间越来越大,对于硬件的发烧友和那些高端用户来说,这可是求之不得的。那么,对于内存来说又是怎样的呢?你是不是不久前还认为DDR400速度、性能已经是高不可攀... 在电脑世界里,速度、容量总是没有极限的。CPU的运行频率不断提升,硬盘的存储空间越来越大,对于硬件的发烧友和那些高端用户来说,这可是求之不得的。那么,对于内存来说又是怎样的呢?你是不是不久前还认为DDR400速度、性能已经是高不可攀了,呵呵,现在市场上已经有很多品牌的DDR433、DDR466的内存产品了,而且DDR500规格的内存也已经问世了。我们现在就拿到了一款由北京富豪电子科技有限公司推出的富豪DDR466内存,目前还没有哪一款CPU和主板芯片组完全支持DDR466规格的内存,不过通过我们的测试还是可以了解到这款富豪DDR466内存使用性能的提升。 展开更多

关键词 B DDR466 CSP 主板芯片组 运行频率 高端用户 存储空间 设计初衷 外包装 封装面积 制造工艺流程

下载PDF 职称材料

英特尔公司开发出65 nm工艺技术

16

作者 陈裕权 《半导体信息》 2005年第2期22-22,共1页

英特尔公司用65 nm工艺制造出全功能70 Mbit静态随机存取存储器 (SRAM)芯片,在1块110 mm2面积的芯片上晶体管数超过了5亿只。这些晶体管的栅长为35 nm,比该公司先前采用的90 nm技术小30%。每一SRAM胞有6 只晶体管,所占封装面积为0.57μm2。

关键词 NM 封装面积 随机存取存储器 工艺技术 栅长 俄勒 晶圆制造 半导体器件 希尔

原文传递

罗姆发布第二代SiC制MOSFET,可抑制通电劣化现象

17

作者 赵佶 《半导体信息》 2012年第4期11-11,共1页

罗姆日前发布了耐压为1200V的第二代SiC制MOSFET产品。特点是与该公司第一代产品相比提高了可靠性、降低了单位面积的导通电阻,以及备有将SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和SiC制MOSFET集成在同一封装内的新产品。可靠性方面,第二代产品可... 罗姆日前发布了耐压为1200V的第二代SiC制MOSFET产品。特点是与该公司第一代产品相比提高了可靠性、降低了单位面积的导通电阻,以及备有将SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和SiC制MOSFET集成在同一封装内的新产品。可靠性方面,第二代产品可抑制在MOSFET内寄生的体二极管通电时产生的导通电阻上升等特性劣化现象,单位面积的导通电阻比第一代产品降低约30%。 展开更多

关键词 导通电阻 第一代产品 单位面积 SIC 罗姆 封装形式 正向电压 封装面积 电流值

原文传递

内存装出新意来——浅谈内存封装技术

18

《电脑采购》 2002年第5期24-24,共1页

如今计算机的“心”奔腾不止,以百兆为单位的高速提升让我们不得不感叹CPU技术的成熟和完善。不过,光有一颗速急力猛的芯好像还远远不够,为了让计算机真正快速地跑起来,整个内外系统都需要齐齐跟进,而内存则一向是一个关注焦点。作为计... 如今计算机的“心”奔腾不止,以百兆为单位的高速提升让我们不得不感叹CPU技术的成熟和完善。不过,光有一颗速急力猛的芯好像还远远不够,为了让计算机真正快速地跑起来,整个内外系统都需要齐齐跟进,而内存则一向是一个关注焦点。作为计算机的“运作机舱”,内存的性能直接影响计算机的整体表现,重要性是不言而喻的。与CPU一样,内存的制造工艺同样对其性能高低具有决定意义,而在内存制造工艺流程上的最后一步也是最关键一步就是内存的封装技长。内存封装,“品质”外衣我们所使用的每一条内存,其实是由数量庞大的集成电路组合而成,只不过这些电路,都是需要最后打包完成,这类将集成电路打包的技术就是所谓的封装技术。 展开更多

关键词 制造工艺流程 倒装焊 球栅阵列 封装面积 主板芯片组 双列直插封装 寄生参数 笔记本电脑 直插式 气合

下载PDF 职称材料

丰田合成开发新型白色LED

19

《现代材料动态》 2004年第10期19-19,共1页

关键词 白色发光二极管 丰田公司 封装面积 封装厚度

原文传递

台积电技术优势之一在于FoWLP封装

20

《电子工业专用设备》 2016年第7期50-50,共1页

据韩媒报导,苹果（Apple）决定将iPhone 7行动应用处理器（AP）A10交由台积电代工,关键在于台积电拥有后段制程竞争力。台积电具备扇出型晶圆级封装（Fan-out WLP;FoWLP）技术,将其称为整合型扇型封装（Intgrated Fan Out;InFO）。FoWL... 据韩媒报导,苹果（Apple）决定将iPhone 7行动应用处理器（AP）A10交由台积电代工,关键在于台积电拥有后段制程竞争力。台积电具备扇出型晶圆级封装（Fan-out WLP;FoWLP）技术,将其称为整合型扇型封装（Intgrated Fan Out;InFO）。FoWLP封装在技术上最大特点是无需使用印刷电路板（PCB）,加上I/O Port能弹性扩充、封装面积较小等优点,能大幅降低生产成本,且性能更佳提升。 展开更多

关键词 印刷电路板 晶圆级封装 应用处理器 封装面积 整合型 FoWLP 摩尔定律 APPLE 技术优势 扇出

下载PDF 职称材料