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题名人工智能芯片先进封装技术
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作者
田文超
谢昊伦
陈源明
赵静榕
张国光
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机构
西安电子科技大学机电工程学院
西安电子科技大学杭州研究院
上海轩田工业设备有限公司
佛山市蓝箭电子股份有限公司
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出处
《电子与封装》
2024年第1期17-29,共13页
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文摘
随着人工智能(AI)和集成电路的飞速发展,人工智能芯片逐渐成为全球科技竞争的焦点。在后摩尔时代,AI芯片的算力提升和功耗降低越来越依靠具有硅通孔、微凸点、异构集成、Chiplet等技术特点的先进封装技术。从AI芯片的分类与特点出发,对国内外典型先进封装技术进行分类与总结,在此基础上,对先进封装结构可靠性以及封装散热等方面面临的挑战进行总结并提出相应解决措施。面向AI应用,对先进封装技术的未来发展进行展望。
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关键词
人工智能芯片
先进封装
可靠性
封装散热
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Keywords
artificial intelligence chips
advanced packaging
reliability
packaging heat dissipation
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分类号
TN305.94
[电子电信—物理电子学]
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题名高压大功率芯片封装的散热研究与仿真分析
被引量：5
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作者
杨勋勇
杨发顺
胡锐
陈潇
马奎
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机构
贵州大学大数据与信息工程学院
贵州振华风光半导体有限公司
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出处
《电子测量技术》
2019年第10期43-47,共5页
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基金
国家自然科学基金项目(61464002、61664004)
贵州省重大科技专项(黔科合重大专项字[2015]6006)
+1 种基金
贵州省科技计划项目(黔科合平台人才[2017]5788号)
贵州省功率元器件可靠性重点实验室开放基金(KFJJ201504)项目资助
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文摘
以工作电压为70V、输出电流为9A的高压大功率芯片TO-3封装结构为例,首先基于热分析软件FloTHERM建立三维封装模型,并对该封装模型的热特性进行了仿真分析。其次,针对不同基板材料、不同封装外壳材料等情况开展对比分析研究。最后研究封装体的温度随粘结层厚度、功率以及基板厚度的变化,得到一个散热较优的封装方案。仿真验证结果表明,基板材料和封装外壳的热导率越高,其散热效果越好,随着粘结层厚度以及芯片功率的增加,芯片的温度逐渐升高,随着基板厚度的增加,芯片温度降低,当基板材料为铜、封装外壳为BeO,粘结层为AuSn20时,散热效果最佳。
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关键词
封装散热
高压大功率芯片
散热效率
Flo
THREM
TO-3封装
热导率
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Keywords
package heat dissipation
high voltage and high power chip
heat dissipation efficiency
Flo THREM
TO- 3package
thermal conductivity
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分类号
TN406
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名Si基埋置型GaAs芯片封装技术及其热分析
被引量：3
- 3
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作者
赵敏
周健
孙浩
伍滨和
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机构
东华大学理学院
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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出处
《电子器件》
CAS
北大核心
2020年第3期477-481,共5页
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基金
中科院联合基金项目(6141A01100101)。
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文摘
传统贴置型芯片封装集成度低、散热效果差,为提高GaAs芯片的封装集成度与散热效果,基于MEMS异质集成技术提出一种毫米波硅埋置型三维封装模型结构,借助COMSOL软件开展热学仿真优化,得到芯片温度与封装基板厚度、底座厚度、涂覆银浆厚度、硅通孔(TSV)距离芯片中心位置及个数的变化规律,获得芯片埋置的热学最优化工艺参数。最终确定的模型集成度高、体积小、散热效果好,封装体积仅为20 mm×10 mm×1 mm,可以实现三维堆叠,芯片工作温度要比传统贴片封装模型降低13.64℃,符合芯片正常工作的温度需求。
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关键词
封装散热
GaAs芯片
Si基埋置型
TSV通孔
热学仿真
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Keywords
package heat dissipation
GaAs chip
Si-based embedded type
through-silicon via
thermal simulation
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分类号
TN305.94
[电子电信—物理电子学]
TN43
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题名大功率LED散热技术研究
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作者
王飞
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机构
上海铁路经济开发有限公司
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出处
《资源节约与环保》
2017年第11期36-37,共2页
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文摘
近年来,铁路站场大功率LED照明灯具,具有节能环保、寿命长和发光速度快等特点被广泛使用。但是大功率LED光源中80%以上的的电能其实是转化成热量。而仅靠芯片封装设计不足以使LED的热量都发散出去,所以对大功率LED灯散热器的研究具有非常重要的意义。本文通过理论设计和实验,将大功率LED在环境温度为22℃条件下,将LED的结温从80℃降至50℃以下。
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关键词
大功率LED
照明系统
散热技术
封装散热
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分类号
TM923.34
[电气工程—电力电子与电力传动]
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题名共漏极双功率MOSFET封装研究
被引量：1
- 5
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作者
毕向东
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机构
广东省粤晶高科股份有限公司
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出处
《电子与封装》
2011年第6期8-10,22,共4页
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文摘
针对适用于锂电池保护电路特点要求的共漏极功率MOSFET的封装结构进行了研发和展望。从传统的TSSOP-8发展到替代改进型SOT-26,一直到芯片级尺寸的微型封装外形,其封装效率越来越高,接近100%。同时,在微互连和封装结构的改进方面,逐渐向短引线或焊球无引线、平坦式引脚、超薄型封装和漏极焊盘散热片暴露的方向发展,增强了封装的电性能和热性能。
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关键词
共漏极双功率MOSFET
导通电阻
封装效率
微互连
封装散热结构
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Keywords
common drain dural power MOSFET
RDS（ON）
packaging efficiency
micro interconnection
packaging
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分类号
TN305.94
[电子电信—物理电子学]
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题名电子元器件封装与散热的优化设计
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作者
白升旺
张琦
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机构
陕西恒太电子科技有限公司
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出处
《电子制作》
2024年第7期91-93,共3页
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文摘
本论文探讨了在现代电子器件设计和制造中,封装与散热的关键优化策略。通过选择封装形式和材料,重建引脚布局,封装密封的方法优化封装设计,从而保护内部元件免受外部环境的影响,提高产品的寿命和可靠性;通过安装散热附加结构和设计液体冷却结构的方法优化散热设计,从而有效地管理和排除产生的热量的,使电子元器件的温度保持在适宜的工作温度范围内。这一研究对电子元器件设计和制造领域具有重要的指导意义,期望可以推动电子产品的发展和应用范围的扩展。
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关键词
电子元器件
封装与散热
优化设计
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分类号
TN60
[电子电信—电路与系统]
TK124
[动力工程及工程热物理—工程热物理]
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题名一种大功率的LED模组设计
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作者
钟弘毅
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机构
广州广日电气设备有限公司
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出处
《中国高新技术企业》
2014年第18期9-12,共4页
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文摘
由于LED在工作的时候会产生大量热量,而随着LED不断朝着模组化、智能化的方向发展,大功率LED模组的设计问题成为了行业的研究重点。文章从封装结构散热和辅助散热两方面对目前的LED热管理技术进行了综述,并提出了一种适用于大功率LED模组的热设计方案。通过模拟分析发现,该模组设计方案能充分匹配当前灯珠的散热要求,而且会使每流明的成本有较大幅度地下降。
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关键词
LED模组
大功率
FLOEFD模拟
封装结构散热
辅助散热
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分类号
TN312.8
[电子电信—物理电子学]
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题名iP2002：集成功率模块
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出处
《世界电子元器件》
2003年第6期10-10,共1页
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关键词
iP2002
功率模块
国际整流器公司
封装散热性能
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分类号
TM46
[电气工程—电器]
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