热超声倒装键合过程中的非线性动力学行为 被引量：11

1

作者 韩雷 钟掘 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期2056-2063,共8页

在作为微器件电气互连主要手段的热超声键合工艺中,微细键合区域内金属变形/变性/互连所需的能量,来自于超声波功率源通过换能系统所施加的微幅压剪动载.对热超声倒装键合过程的研究说明,PZT换能系统在热超声倒装键合工艺过程中的非线... 在作为微器件电气互连主要手段的热超声键合工艺中,微细键合区域内金属变形/变性/互连所需的能量,来自于超声波功率源通过换能系统所施加的微幅压剪动载.对热超声倒装键合过程的研究说明,PZT换能系统在热超声倒装键合工艺过程中的非线性动力学行为,如换能系统启动后的初值敏感性和不确定性,键合工具与换能杆之间的不稳定动力耦合,倒装芯片运动的奇异相轨线等,是深入研究键合机理以及提高工艺可靠性的重要关键. 展开更多

关键词 热超声键合 PZT换能系统 非线性动力学 倒装芯片 封装互连

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第三代半导体互连材料与低温烧结纳米铜材的研究进展 被引量：1

2

作者 柯鑫 谢炳卿 +5 位作者 王忠 张敬国 王建伟 李占荣 贺会军 汪礼敏 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期17-31,共15页

半导体材料是现代科技发展和产业革新的核心,随着高频、高压、高温、高功率等工况的日趋严峻及“双碳”目标的需要,以新型碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等为代表的第三代半导体材料逐步进入工业应用。半导体产业的贯通以及市场规模的快速扩... 半导体材料是现代科技发展和产业革新的核心,随着高频、高压、高温、高功率等工况的日趋严峻及“双碳”目标的需要,以新型碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等为代表的第三代半导体材料逐步进入工业应用。半导体产业的贯通以及市场规模的快速扩大,导致摩尔定律正逐渐达到极限,先进封装互连将成为半导体行业关注的焦点。第三代半导体封装互连材料有高温焊料、瞬态液相键合材料、导电胶、低温烧结纳米Ag/Cu等几个发展方向,其中纳米Cu因其优异的导电导热性、低温烧结特性和良好的可加工性成为一种封装互连的新型方案,具有低成本、高可靠性和可扩展性,近年来从材料研究向产业链终端应用贯通的趋势非常明显。本文首先介绍了半导体材料的发展概况并总结了第三代半导体封装互连材料类别;然后结合近期研究成果进一步围绕纳米Cu低温烧结在封装互连等电子领域中的应用进行重点阐述,主要包括纳米铜粉的粒度、形貌、表面处理和烧结工艺对纳米铜烧结体导电性能和剪切性能的影响;最后总结了目前纳米铜在应用转化中面临的困境和亟待解决的难点,并展望了未来的发展方向,以期为低温烧结纳米铜领域的研究提供参考。 展开更多

关键词 半导体 封装互连 低温烧结 纳米铜 综述

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基于低温烧结银的封装互连方法研究进展 被引量：3

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作者 梅云辉 鲁鑫焱 +1 位作者 杜昆 张博雯 《机车电传动》 北大核心 2021年第5期21-27,共7页

随着电子电力技术的进步,功率器件朝着高功率密度、高集成度的方向不断发展。互连层作为功率模块热量传输的关键通道,对实现功率模块高温可靠应用具有重要影响。低温烧结银具有工艺温度低、互连强度高、工作温度高、导电性强、导热性强... 随着电子电力技术的进步,功率器件朝着高功率密度、高集成度的方向不断发展。互连层作为功率模块热量传输的关键通道,对实现功率模块高温可靠应用具有重要影响。低温烧结银具有工艺温度低、互连强度高、工作温度高、导电性强、导热性强等优异特性,已成为封装互连材料的研究热点。但烧结驱动力需求高、烧结致密度低和"热-机械"应力高等诸多缺陷限制了低温烧结银技术在大面积封装互连领域的广泛应用。文章从材料和工艺角度对现有研究方法和成果进行了归纳总结和比较分析,并在此基础上提出了低温烧结银封装互连技术的研究重点和发展方向,对拓展低温烧结银技术的应用具有重要意义。 展开更多

关键词 低温烧结银 封装互连 烧结驱动力 烧结致密度 热-机械应力

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电力电子集成综述 被引量：2

4

作者 张卫平 李志 +1 位作者 孙哲峰 雷禹周 《电源世界》 2008年第2期21-24,共4页

本文阐述了集成技术对于电力电子技术发展的重要意义以及电力电子集成的概念和分类,总结了当前电力电子集成技术的研究内容和最新进展情况。

关键词 电力电子 集成技术 封装互连 电磁兼容性设计 模块热管理

原文传递

基于非等径双球堆积模型和蒙特卡罗仿真模拟的纳米铜烧结互连机理分析 被引量：2

5

作者 蒋大伟 樊嘉杰 +2 位作者 胡栋 樊学军 张国旗 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第3期7-13,I0001,I0002,共9页

为了满足第三代半导体低温封装、高温服役的要求,纳米金属颗粒烧结封装互连逐渐替代传统钎料回流焊工艺,而高致密度烧结是实现高可靠性封装的必要条件之一.为了研究纳米铜颗粒烧结互连机理,首先通过非等径双球三维密集堆积模型构建理论... 为了满足第三代半导体低温封装、高温服役的要求,纳米金属颗粒烧结封装互连逐渐替代传统钎料回流焊工艺,而高致密度烧结是实现高可靠性封装的必要条件之一.为了研究纳米铜颗粒烧结互连机理,首先通过非等径双球三维密集堆积模型构建理论颗粒配比与堆积孔隙率之间的关系,然后采用蒙特卡罗仿真模拟不同粒径比的双球模型颗粒烧结过程,最后通过纳米铜混合烧结试验来验证理论推算和仿真模拟结果.结果表明,根据3种三维密集堆积模型估算,孔隙率最低时的颗粒粒径比在10∶1~5∶1之间;仿真模拟结果显示,粒径比为5∶1时的双球模型收缩率最大;选择250和50 nm两种粒径纳米铜进行混合烧结试验,证实烧结致密度最佳条件时的颗粒质量比为8∶1,与理论计算结果相符.由此可见,该方法可以为纳米铜烧结在第三代半导体封装互连中的应用和工艺优化提供了理论支持. 展开更多

关键词 第三代半导体 封装互连 纳米铜烧结 蒙特卡罗仿真模拟 致密性

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面阵列CSP仿真的可靠性预测

6

作者 李桂云 《电子电路与贴装》 2003年第7期60-62,共3页

随着SMT技术的发展，集成电路封装互连，尤其是球栅阵列和面阵列CSO的互连可靠性成为人们关注的重点。其关系到这些互连技术的推广应用。本文通过一系列的模拟实验，获取一些关键数据，从而开发出分析IC封装互连可靠性的新方法。并采用... 随着SMT技术的发展，集成电路封装互连，尤其是球栅阵列和面阵列CSO的互连可靠性成为人们关注的重点。其关系到这些互连技术的推广应用。本文通过一系列的模拟实验，获取一些关键数据，从而开发出分析IC封装互连可靠性的新方法。并采用SRS软件作为预测可靠性的工具。创建和分析IC封装互连的新方法可为当今高性能产品提供可靠的需求。具有球栅阵列(BGA)特征的较新型的元件封装与面阵列互连组合形成了一类应用技术，这种技术能够容纳更多引线数，占用的板子空间小，而且还实现了宽间隙下的互连。对面阵列引线性能的调研已成为人们密切关注的领域，并对此展开了一系列的研究。必须考虑为下一代封装开发可靠的、低应力互连的方法。由于BGA不同于传统的组装方法，不存在将柔性引线弯曲连接的工艺步骤，显然，迫切期望为面阵列封装开发依附引线。因此，而为新BGA在开发一类小型化的IC封装以满足这种迫切需求。我们将其统称为芯片级封装(CSP)。已开发出这些小型化封装可使许多与倒装芯片技术相关的性能优势尽可能地满足广大用户的要求，而不需要用户来处理和组装未被保护的裸芯片。为获得引线柔性或释放应力，需要采用一种综合策略。首先，有必要说明可能会影响现代焊接的组件的合理应用的许多设计特性。 展开更多

关键词 集成电路 封装互连 球栅阵列 可靠性预测 仿真 芯片级封装 BGA

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电力电子的集成综述

7

作者 张卫平 李志 +1 位作者 孙哲峰 雷禹周 《磁性元件与电源》 2015年第2期113-116,135,共5页

本文阐述了集成技术对于电力电子技术发展的重要意义以及电力电子集成的分类和概念，总结了当前电力电子集成技术的研究内容和最新进展情况。

关键词 电力电子 集成技术 封装互连 EMC设计 模块热管理

原文传递

Ag-In复合焊膏的高温抗电化学迁移行为

8

作者 张博雯 王微 +3 位作者 冯浩男 赵志远 鲁鑫焱 梅云辉 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期63-69,I0007,共8页

低温烧结纳米银焊膏具有优越的热、电和力学性能,成为宽禁带半导体器件封装互连的关键材料之一,高服役温度下,烧结银的氧化和分解会引起电化学迁移的发生,可能导致电子器件的短路失效.在纳米银焊膏中添加氧亲和力更高的铟颗粒,采用竞争... 低温烧结纳米银焊膏具有优越的热、电和力学性能,成为宽禁带半导体器件封装互连的关键材料之一,高服役温度下,烧结银的氧化和分解会引起电化学迁移的发生,可能导致电子器件的短路失效.在纳米银焊膏中添加氧亲和力更高的铟颗粒,采用竞争氧化的思路可以抑制烧结银的电化学迁移.与烧结纳米铟焊膏(382 min)相比,烧结Ag-3In和Ag-5In(质量分数,%)焊膏的电化学迁移寿命提高至779和804 min,提高约1倍;分析了铟粉对烧结银在高温干燥环境中电化学迁移失效的抑制机理.服役过程中,铟颗粒优先于银颗粒与氧气发生反应生成In_(2)O_(3),从而抑制了烧结银的氧化、分解和离子化过程,显著提高了烧结银的电化学迁移失效时间,与此同时,与烧结银焊膏相比,烧结Ag-1In与Ag-3In(质量分数,%)焊膏的抗剪强度分别提升了30.92%和32.37%.结果表明,纳米铟粉的引入可以显著提高烧结银的电化学迁移寿命. 展开更多

关键词 电化学迁移 纳米银焊膏 抗电迁移Ag-In焊膏 封装互连可靠性

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芯片制造的电化学处理技术 被引量：3

9

作者 Madhav Datta 《电子工业专用设备》 2005年第2期63-69,共7页

电化学处理技术的性价比优势在芯片制造上是一个范例转移。Cu芯片金属化的双大马士革处理和面阵列芯片封装互连的C4(倒装)技术使电化学技术置于最复杂的制造工艺技术之间。这些工艺技术被集成到用于芯片制造的300mm晶圆处理中。新材... 电化学处理技术的性价比优势在芯片制造上是一个范例转移。Cu芯片金属化的双大马士革处理和面阵列芯片封装互连的C4(倒装)技术使电化学技术置于最复杂的制造工艺技术之间。这些工艺技术被集成到用于芯片制造的300mm晶圆处理中。新材料和工艺的持续发展来满足微处理器件不断增加性能和小型化的趋势。电迁移问题和集成超低k电介质材料与Cu镀层的新抛光方法是芯片制造中的一个关键问题。发展一个适用成本低的无铅C4芯片封装互连是微电子工业的主要目标,微电子工业正作努力在几年里市场化无铅产品。 展开更多

关键词 芯片制作 微处理器 电化学处理技术 C U镀层 倒装技术 双大马士革电镀 面阵列芯片封装互连

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新一代铜基材PCB互连技术——阶梯式互连技术简介

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作者 张洪文 《印制电路资讯》 2006年第2期11-14,共4页

介绍了阶梯式封装互连技术的原理、做法、优点及应用前景。

关键词 印制电路 阶梯式封装(互连)技术

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新一代铜基材PCB互连技术——阶梯式互连技术简介

11

作者 张洪文 《覆铜板资讯》 2006年第2期33-36,共4页

介绍了阶梯式封装互连技术的原理、做法、优点及应用前景。

关键词 印制电路 阶梯式封装(互连)技术

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新一代铜基材PCB互连技术阶梯式互连技术简介

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作者 张洪文（编译） 《电子电路与贴装》 2006年第3期69-72,共4页

介绍了阶梯式封装互连技术的原理、做法、优点及应用前景。

关键词 印制电路 阶梯式封装(互连)技术

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