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基于电容换流的限流型高压直流断路器 被引量:13
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作者 黄亚峰 周银 +2 位作者 严干贵 王淳民 韩江波 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第8期3098-3108,共11页
针对现有直流断路器存在的分断故障电流峰值高、通态损耗大、成本高以及机械开关电弧等问题,提出一种基于电容换流的限流型高压直流断路器(current-limiting high-voltage DC circuit breaker based on capacitor commutation,CC&CL... 针对现有直流断路器存在的分断故障电流峰值高、通态损耗大、成本高以及机械开关电弧等问题,提出一种基于电容换流的限流型高压直流断路器(current-limiting high-voltage DC circuit breaker based on capacitor commutation,CC&CL-HDCCB)拓扑。正常运行时系统电流仅流过机械开关,导通损耗小;当进行故障开断操作时,投入电容进行充电,利用较高的电容电压提供电力电子器件的导通电压,使故障电流从机械开关支路转移,可用于高电压等级工况;换流支路与限流支路共同作用避免了故障电流的自然上升过程,有效降低了故障电流峰值。对断路器故障处理过程中的机械开关耐压和各支路电流等方面进行分析,给出了合理的元件参数和运行方式。最后利用PSCAD/EMTDC软件进行仿真验证,与相关断路器就故障电流峰值、避雷器吸能、电容电压等方面进行对比分析,验证了所提结构的合理性和经济性。 展开更多
关键词 直流断路器 电容换流 通电 故障限流 机械开关 抑制起弧
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氮化镓功率器件的稳态结-壳热阻测量
2
作者 赵浩 鲁金科 +2 位作者 朱一荻 周子牛 杜伟兮 《电气传动》 2024年第7期28-31,49,共5页
器件结-壳热阻一直是功率器件备受关注的热参数,同时也是衡量功率器件散热性能的标准。为防止器件过热损坏应考虑其散热性能,因此器件热阻的精确测量尤为重要。器件热阻测量的难点在于器件的结温测量,因为在不破坏器件封装的情况下很难... 器件结-壳热阻一直是功率器件备受关注的热参数,同时也是衡量功率器件散热性能的标准。为防止器件过热损坏应考虑其散热性能,因此器件热阻的精确测量尤为重要。器件热阻测量的难点在于器件的结温测量,因为在不破坏器件封装的情况下很难直接测量结温。通过实验发现:小电流下的导通电压作温敏电参数时,导通电压与温度有良好的线性度,可用于结温测量。最后在结温已知的情况下,基于热阻公式即可完成热阻测量。 展开更多
关键词 GAN器件 通电 结温 热阻
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高速公路通信、监控、收费系统的综合防雷技术 被引量:6
3
作者 刘寿先 《广东气象》 2001年第z1期33-37,共5页
  概述   当今社会电子计算机技术、微波通信技术日益发展,各类电子设备大量应用,雷击电感应到附近的导体中形成过电压,可高达几千伏,对微电子设备的危害极大.LEMP的主要侵入通道有电源线路、各类信号传输线路、天馈路线和进入系...   概述   当今社会电子计算机技术、微波通信技术日益发展,各类电子设备大量应用,雷击电感应到附近的导体中形成过电压,可高达几千伏,对微电子设备的危害极大.LEMP的主要侵入通道有电源线路、各类信号传输线路、天馈路线和进入系统的管、缆、桥架等导体侵入设备系统,造成电子设备失效或永久性损坏.因此,雷击电磁脉冲的防护是在入侵通道上将雷电流泄放入地,从而达到保护电子设备的目的.其主要方法是采用隔离、等位、钳位、均压、滤波、屏蔽、过压过流保护、接地等方法将雷电过电压、过电流及雷击电磁脉冲消除在设备外围,从而有效地保护各类设备.目前主要采用气体放电管、放电间隙、高频二极管、压敏电阻、瞬态二极管、晶闸管、高低通滤波器等元件根据不同频率、功率、传输速率、阻抗、驻波、插损、带宽、电压、电流等要求,组合成电源线、天馈线、信号线系列电涌保护器(SPD)安装在微电子设备的外连线路中,地线按共用接地原则接入系统的地线,才不至于造成地电位反击.只要设计合理、安装合格,电涌保护器就能有效的防御雷电.   …… 展开更多
关键词 等电位 SPD 响应时间 电涌保护器 浪涌保护器 综合防雷技术 微电子设备 通电 雷电防护 共用接地系统 建筑物防雷设计规范 金属管道 直流供电线路 避雷针 防雷设计 水平接地体 人工垂直接地体 收费系统
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碳化硅MOSFET与硅MOSFET的应用对比分析 被引量:5
4
作者 陈之勃 陈永真 《电源学报》 CSCD 北大核心 2018年第1期95-98,共4页
碳化硅MOSFET具有导通电压低、开关速度极快、驱动能力要求相对低等特点,是替代高压硅MOSFET的理想器件之一。将额定电压、电流相同的碳化硅MOSFET和高性能硅MOSFET应用于反激式变换器中进行对比测试,实验结果表明,在相同的驱动条件和... 碳化硅MOSFET具有导通电压低、开关速度极快、驱动能力要求相对低等特点,是替代高压硅MOSFET的理想器件之一。将额定电压、电流相同的碳化硅MOSFET和高性能硅MOSFET应用于反激式变换器中进行对比测试,实验结果表明,在相同的驱动条件和负载条件下,碳化硅MOSFET的开关速度明显快于硅MOSFET;在12 V驱动电平条件下,直接采用碳化硅MOSFET替代硅MOSFET使得变换器的效率明显提升;采用20 V栅极驱动电平,效果更加明显。 展开更多
关键词 碳化硅 MOSFET 通电 开关速度 器件损耗
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沟槽式FS-IGBT各部分对其性能的影响研究 被引量:4
5
作者 张满红 邹其峰 《现代电子技术》 北大核心 2018年第14期5-9,共5页
沟槽式FS-IGBT是当前IGBT中最为先进的结构,它结合PT-IGBT和NPT-IGBT各自的优点,具有较薄的N-区以及FS场截止层,能够使导通压降更低并且可以有效减少关断时间和关断损耗。主要通过仿真软件Sentaurus TCAD对FS-IGBT进行工艺与电学特性仿... 沟槽式FS-IGBT是当前IGBT中最为先进的结构,它结合PT-IGBT和NPT-IGBT各自的优点,具有较薄的N-区以及FS场截止层,能够使导通压降更低并且可以有效减少关断时间和关断损耗。主要通过仿真软件Sentaurus TCAD对FS-IGBT进行工艺与电学特性仿真,通过改变不同部分的参数,如栅极的长宽,N型漂移区的厚度,P-base区的注入剂量及能量等,研究对其性能的影响。结果表明栅极的长宽和漂移区厚度的增加会使BV变大,场截止层电阻率的增加会使导通电压变小,阈值电压会随着P-base区的注入剂量及能量的变大而变大。通过仿真结果得到了结构参数对器件性能的影响,为FS-IGBT的设计提供参考。 展开更多
关键词 FS-IGBT Sentaurus TCAD 结构仿真 电学特性 性能影响 通电
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室温Zn粉直接制备ZnO纳米颗粒薄膜及其机理研究 被引量:3
6
作者 刘超 王树林 +3 位作者 蹇敦亮 朱钰方 赵立峰 杨全富 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期1629-1634,共6页
首次在室温条件下超声方法直接将金属Zn制备ZnO纳米颗粒薄膜。利用滚压振动磨机械研磨的Zn粉作为原料,采用独特的油相水相混合溶液作为分散液,超声分散打破软团聚使金属Zn纳米颗粒水解得到了分散性较好的纳米粒子,并且可以利用该纳米粒... 首次在室温条件下超声方法直接将金属Zn制备ZnO纳米颗粒薄膜。利用滚压振动磨机械研磨的Zn粉作为原料,采用独特的油相水相混合溶液作为分散液,超声分散打破软团聚使金属Zn纳米颗粒水解得到了分散性较好的纳米粒子,并且可以利用该纳米粒子简单地制备出均匀致密的ZnO纳米粒子薄膜。利用X射线粉末衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)对产物进行了表征。结果表明,采用该方法可制得具有密排六方结构的ZnO纳米颗粒,并且该产物分散较好。原子力显微镜(AFM)、静电力显微镜(EFM)表明利用该纳米粒子制备的薄膜致密均匀,EFM显示纳米粒子表面电学性质有较大差异。探针台I-V测试显示不同原料Zn粉制备出的ZnO纳米颗粒薄膜可以获得不同导通电压从而获得不同的整流效果。该方法在室温条件下由Zn粉制备出ZnO纳米颗粒和薄膜,为制备不同维度ZnO纳米结构提供了新思路,同时也为制备、改善整流器件提供了创新和经济的途径。 展开更多
关键词 金属Zn ZnO纳米颗粒 超声分散 油相水相分散体系 团聚 表面电势 通电
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电子技术教学法浅谈 被引量:2
7
作者 王正文 《设计艺术研究》 1997年第3期116-113,共2页
除了教师对所教内容的熟练程度、表达能力外,讲课方法对教学质量影响很大,本文介绍了学习优秀教师的长处,在作者的教学实践中行之有效的几种教学方法。
关键词 技术教学法 中电阻 发射结 LC电路 串联电路 单结管 通电 零电位 并联电路 假设法
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超声辅助滚压振动磨制备氧化锌纳米颗粒薄膜及其性能 被引量:1
8
作者 包保山 李生娟 +1 位作者 陈洪亮 王树林 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期264-266,共3页
以商业锌粉为原料,采用超声化学法制备ZnO纳米颗粒薄膜,主要步骤为:滚压振动研磨锌粉;超声分散制备ZnO分散液;分别以聚乙烯醇、硅溶胶为成膜助剂和粘结剂,制备纳米ZnO薄膜。对比研究了60°C和90°C下所得纳米ZnO薄膜的结构、表... 以商业锌粉为原料,采用超声化学法制备ZnO纳米颗粒薄膜,主要步骤为:滚压振动研磨锌粉;超声分散制备ZnO分散液;分别以聚乙烯醇、硅溶胶为成膜助剂和粘结剂,制备纳米ZnO薄膜。对比研究了60°C和90°C下所得纳米ZnO薄膜的结构、表面形貌和电学性能。结果表明,所得氧化锌为六角纤锌矿结构,无杂质存在。60°C干燥所得ZnO薄膜表面较90°C干燥所得薄膜更为细致、均匀。60°C和90°C干燥所得薄膜的导通电压分别为1.2 V和4.0 V。 展开更多
关键词 氧化锌 纳米颗粒 超声化学 振动磨 薄膜 通电
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ZnO/Ag纳米复合材料的制备及电学性能研究 被引量:1
9
作者 陈洪亮 王树林 +1 位作者 包保山 刘超 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期7035-7038,共4页
在室温下,利用超声活化法将机械研磨13h的Zn粉在V(水)∶V(环己烷)=19∶1的分散体系中合成ZnO纳米颗粒悬浮液,然后通过光还原AgNO3制备出ZnO/Ag纳米复合材料。并用X射线粉末衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)对ZnO/Ag复合颗粒表征,用扫... 在室温下,利用超声活化法将机械研磨13h的Zn粉在V(水)∶V(环己烷)=19∶1的分散体系中合成ZnO纳米颗粒悬浮液,然后通过光还原AgNO3制备出ZnO/Ag纳米复合材料。并用X射线粉末衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)对ZnO/Ag复合颗粒表征,用扫描电子显微镜(SEM)和探针台I-V测试仪对ZnO/Ag复合薄膜表征和电学性能测试,通过XRD和TEM得出,超声合成的ZnO具有六方纤锌矿结构,长约20nm的短棒状;经光还原沉积在其表面的纳米Ag呈现面心立方结构,直径约为5nm。通过SEM和I-V伏安特性曲线得出,干燥温度对复合结构有较大影响,60℃干燥的复合薄膜比较致密均匀,导通电压大约2V左右,在100℃时开始转变为有氧化锌附着的枝状银网状复合物,导通电压在0.02V左右,通过控制干燥温度可改变复合薄膜中ZnO和Ag的结合方式以及相应的电学性能。 展开更多
关键词 超声活化法 光还原 ZNO AG 结合方式 通电
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基于ACPL-32JT输出电源电压偏差的解决方案研究
10
作者 丁祥根 钱如峰 《电气传动》 2022年第4期74-80,共7页
针对ACPL-32JT隔离光耦驱动芯片高集成度所带来的驱动隔离电源输出电压偏差大、不可调的问题,对其实际应用的电路参数进行了修正。通过对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)门极驱动导通电压的测试验证,证明了修正后的电路能够有效地解决输出电... 针对ACPL-32JT隔离光耦驱动芯片高集成度所带来的驱动隔离电源输出电压偏差大、不可调的问题,对其实际应用的电路参数进行了修正。通过对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)门极驱动导通电压的测试验证,证明了修正后的电路能够有效地解决输出电压偏差大的问题,使电机控制器在批量生产过程中的稳定性与可靠性得到了有效的保障。 展开更多
关键词 驱动芯片 绝缘栅双极型晶体管 通电 门极驱动
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Laser tuned field emission of the carbon nanotube arrays grown on an optical fiber 被引量:1
11
作者 WEI XianQi LI Xin +1 位作者 LIU WeiHua WANG XiaoLi 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2014年第10期1936-1940,共5页
Laser was coupled into an optical fiber,on which covered a layer of well-aligned carbon nanotubes(CNTs)serving as cathode,to tune the field emission of the cathode.CNT arrays as field emission cathode were synthesized... Laser was coupled into an optical fiber,on which covered a layer of well-aligned carbon nanotubes(CNTs)serving as cathode,to tune the field emission of the cathode.CNT arrays as field emission cathode were synthesized by chemical vapor deposition(CVD)on a naked fiber core.When the laser was coupled into the fiber,the turn-on voltage(Vto at a current density of 1 mA cm?2)decreased from 1.0 to 0.9 kV and the emission current density increased from 0.83 mA cm?2(at a 1 kV bias voltage)to3.04 mA cm?2 on 40μm diameter fiber.A photon absorption mechanism is attributed to the field emission improvement.The estimated effective work function of CNT arrays on the optical fiber decrease from 4.89 to 4.29 eV.The results show the possibility of constructing a waveguide type laser modulated field emission cathode. 展开更多
关键词 LASER field emission carbon nanotubes optical fiber
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100 A级同步流整流器
12
作者 陈之勃 邹颖 申彩英 《辽宁工业大学学报(自然科学版)》 2017年第5期284-287,共4页
分析了大电流整流电路因整流器引起的散热困难问题和正向电压引起的效率下降问题。提出了采用MOSFET作为整流器件来降低整流器正向电压的可能性。分析了MOSFET工作在整流状态下需要低导通电阻、大电流承受能力和低热阻的特点和目前商用... 分析了大电流整流电路因整流器引起的散热困难问题和正向电压引起的效率下降问题。提出了采用MOSFET作为整流器件来降低整流器正向电压的可能性。分析了MOSFET工作在整流状态下需要低导通电阻、大电流承受能力和低热阻的特点和目前商用低压MOSFET最新水平。分析了工作在整流器状态的MOSFET导通电阻对导通电压的影响,提出采用极低导通电阻作为100 A级整流器的MOSFET所需要满足的主要参数。最后,通过实验验证了本文提出的方法及理论。 展开更多
关键词 同步整流器 MOSFET 极低通电 通电
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振达牌“一拖二”电子镇流器原理与维修
13
作者 韩军春 宋海红 《家电检修技术》 2007年第1期58-59,共2页
交流电220V经四个二极管D1-D4整流、电容C1、C2滤波后,再其两端产生300V左右的直流电压。该电压一部分通过电阻R2和电容C4给三极管BG1供电,同时另一部分电压经电阻R1给电容C3充电,当电容C3上的电压超过(32±4V)。达到触发二极... 交流电220V经四个二极管D1-D4整流、电容C1、C2滤波后,再其两端产生300V左右的直流电压。该电压一部分通过电阻R2和电容C4给三极管BG1供电,同时另一部分电压经电阻R1给电容C3充电,当电容C3上的电压超过(32±4V)。达到触发二极管DB3的转折电压时,触发二极管DB3雪崩导通,三极管B62的基极就有了导通电压,使其饱和导通。在交变电流通过耦合变压器B1-3后,由于耦合变压器B1-3的各绕组同名端的作用,其第一绕组B1-1感应的电压使BG1由截止进入导通状态;同时第二绕组B1-2感应的电压使三极管BG2由导通变为截止。由于两个三极管BG1、BG2的轮流导通和截止,在储能电感L1两端产生很高的电胝,击活灯管内壁荧光粉,促使灯管发光。电阻R1、电容C3和触发二极管DB3组成锯齿波形成启动电路;三极管BG1、BG2和耦合变压器B1-3及其他阻容元件组成高频振荡电路。电感L1和电容C5、电感L2和电容C6组成串联谐振电路。 展开更多
关键词 电子镇流器 触发二极管 耦合变 直流电 通电 维修 原理 储能电感
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强流电子加速器中气体开关与真空二极管的光学特性
14
作者 殷毅 钟辉煌 +3 位作者 杨志龙 杨杰 刘金亮 张军 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期2969-2972,共4页
利用光纤传感器与光电二极管相结合的方法,对强流电子加速器中气体火花开关以及真空二极管的发光特性进行了研究,对影响光电二极管测量的因素进行了理论计算与模拟研究。在气体开关导通电压1.7 MV,二极管电压1.07 MV,电流18 kA时,进行... 利用光纤传感器与光电二极管相结合的方法,对强流电子加速器中气体火花开关以及真空二极管的发光特性进行了研究,对影响光电二极管测量的因素进行了理论计算与模拟研究。在气体开关导通电压1.7 MV,二极管电压1.07 MV,电流18 kA时,进行了多次实验,得到了发光特性与击穿电压、电流的关系。同时,对利用光学检测方法测量主开关或真空二极管电压、电流大小得可行性进行了分析。 展开更多
关键词 强流 电子加速器 气体开关 真空二极管 光学特性 high power 光电二极管 发光特性 气体火花开关 管电 电流 光纤传感器 模拟研究 理论计算 检测方法 击穿电 通电 测量 主开关 实验
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二极管正向伏安特性曲线的讨论——与北工电教小组商榷
15
作者 杜荫荷 《连云港职业技术学院学报》 1988年第1期65-67,共3页
北京工业学院电视教育小组所编《半导体电路基础》(以下简称北工基础)一书,是我常翻阅参考的书籍之一,许多地方给了我不少帮助。但在二极管伏安特性曲线的讲述上,我觉得有些不妥。如书中谈道:“当外加正向电压逐渐增大至接近|V_D|,甚至... 北京工业学院电视教育小组所编《半导体电路基础》(以下简称北工基础)一书,是我常翻阅参考的书籍之一,许多地方给了我不少帮助。但在二极管伏安特性曲线的讲述上,我觉得有些不妥。如书中谈道:“当外加正向电压逐渐增大至接近|V_D|,甚至超过|V_D|时,P—N结正向电阻已显著变小,所以正向电流将随着正向电压的增大而急速上升,如图1—21所示曲线AB,A’B’段的情况。”(第一册第25页第2段)。 展开更多
关键词 二极管 外加电 通电 电位差 伏安特性曲线 正向电 死区电 小组
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用万用表判断LC正弦波振荡器
16
作者 刘兆祥 于洪沫 《通化师范学院学报》 2004年第4期42-43,共2页
根据LC正弦波振荡器的起振原理。
关键词 万用表 LC正弦波振荡器 通电 工作原理 模拟起动
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低成本蔬菜大棚温度计的制作
17
作者 汪仁里 《电子制作》 2008年第6期68-70,共3页
本文介绍的蔬菜大棚温度计不用特殊的温度传感器,不用单片机,显示直观,设定超温报警低温报警简单方便,成本不超过20元。经过适当改动还可以作温/湿度同时显示。这种蔬菜大棚的温度计很有实用价值。 一、温度-电压转换原理 硅二... 本文介绍的蔬菜大棚温度计不用特殊的温度传感器,不用单片机,显示直观,设定超温报警低温报警简单方便,成本不超过20元。经过适当改动还可以作温/湿度同时显示。这种蔬菜大棚的温度计很有实用价值。 一、温度-电压转换原理 硅二极管有正向导通电压随温度上升而下降的特性,在恒定电流偏置情况下,变化率约为-2mV℃,也就是说负温度系数。由于恒流源制作复杂,往往用电阻与硅二极管串联接一个固定电压,形成分压电路。 展开更多
关键词 蔬菜大棚 大棚温度 低成本 制作 超温报警 通电 硅二极管 温度传感器
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一种汽车发电机主动整流器
18
作者 邹颖 申彩英 《辽宁工业大学学报(自然科学版)》 2017年第3期146-148,共3页
分析了大电流状态下将出现的问题,寻找解决方法。提出了采用MOSFET作为整流器件来降低整流器正向电压的可能性。分析了MOSFET工作在整流状态下需要工作在输出特性的第三象限以及MOSFET输出特性第三象限的特点。分析了工作在整流器状态的... 分析了大电流状态下将出现的问题,寻找解决方法。提出了采用MOSFET作为整流器件来降低整流器正向电压的可能性。分析了MOSFET工作在整流状态下需要工作在输出特性的第三象限以及MOSFET输出特性第三象限的特点。分析了工作在整流器状态的MOSFET导通电阻对导通电压的影响,提出采用极低导通电阻作为100 A级整流器需要的MOSFET要求的参数。最后,通过实验验证了提出的方法及理论。 展开更多
关键词 汽车发电机 MOSFET 主动整流器 通电
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功率半导体应用专栏(连载) (十)低导通电压的肖特基二极管通常都是最佳选择吗?
19
作者 Andrens Lindemann 《电源世界》 2004年第10期72-73,共2页
根据热离子发射模型,纯肖特基势垒存在一个正向压降,并随着势垒高度的减小而减小,而反向恢复电流则随着势垒高度的减少呈指数上升。因此,势垒的高度需要优化,从而减少在特定场合中正向和反向功率耗散之和。
关键词 肖特基二极管 功率半 通电 功率损耗
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可以测量LED的新型数字万用表
20
《今日电子》 2009年第11期68-68,共1页
18B是一款专门针对中国LED客户检测的需求所研发出的可以测量发光二极管LED的新型数字万用表。18B的最大特色在于其创新的智能、直观、安全的测量发光二极管的功能——只需要插入/触碰被测LED一次,即可以判断发光二极管好坏,提示其... 18B是一款专门针对中国LED客户检测的需求所研发出的可以测量发光二极管LED的新型数字万用表。18B的最大特色在于其创新的智能、直观、安全的测量发光二极管的功能——只需要插入/触碰被测LED一次,即可以判断发光二极管好坏,提示其正负管脚以及测量其正向导通电压。 展开更多
关键词 数字万用表 LED 测量 发光二极管 通电
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