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GaAs/Si/AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究 被引量:2
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作者 李永平 田强 +3 位作者 牛智川 杨锡震 吴正龙 王亚非 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期474-477,共4页
用MBE生长设备制备了GaAs/Si/AlAs异质结 ,通过CV法研究了异质结的带阶和GaAs层在不同温度下生长对 0 .5分子层Si夹层的影响 。
关键词 GaAs/Si/AlAs异质结 生长温度 Si夹层 CV测量 实验研究 导带 异质结器件 热扩散 半导体 空间分布
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