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GaAs/Si/AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究
被引量:
2
1
作者
李永平
田强
+3 位作者
牛智川
杨锡震
吴正龙
王亚非
《北京师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期474-477,共4页
用MBE生长设备制备了GaAs/Si/AlAs异质结 ,通过CV法研究了异质结的带阶和GaAs层在不同温度下生长对 0 .5分子层Si夹层的影响 。
关键词
GaAs/Si/AlAs异质结
生长温度
Si夹层
CV测量
实验研究
导带
带
阶
异质结器件
热扩散
半导体
空间分布
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职称材料
题名
GaAs/Si/AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究
被引量:
2
1
作者
李永平
田强
牛智川
杨锡震
吴正龙
王亚非
机构
北京师范大学物理学系
中国科学院半导体所超晶格国家重点实验室
北京师范大学分析测试中心
出处
《北京师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期474-477,共4页
基金
教育部高等学校骨干教师资助计划项目
文摘
用MBE生长设备制备了GaAs/Si/AlAs异质结 ,通过CV法研究了异质结的带阶和GaAs层在不同温度下生长对 0 .5分子层Si夹层的影响 。
关键词
GaAs/Si/AlAs异质结
生长温度
Si夹层
CV测量
实验研究
导带
带
阶
异质结器件
热扩散
半导体
空间分布
Keywords
GaAs/AlAs heterojunction
Si interlayer
CV measurement
conduction band discontinuity
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs/Si/AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究
李永平
田强
牛智川
杨锡震
吴正龙
王亚非
《北京师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2002
2
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