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部分完美晶体器件工艺的改进和pn结反向电流的降低 被引量:1
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作者 郑国祥 周寿通 +2 位作者 屈逢源 邬建根 郑凯 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1991年第4期307-312,共6页
为降低pn结反向电流可在器件制作工艺中采用一系列完美晶体器件工艺(PCDT).在实施过程中,作者对吸除工艺,应力补偿工艺等作了改进,进一步降低了反向电流.
关键词 导体器件 工艺 PN结 反向电流
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铜基引线框架材料的研究与发展 被引量:92
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作者 马莒生 黄福祥 +3 位作者 黄乐 耿志挺 宁洪龙 韩振宇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期1-4,共4页
引线框架材料是半导体元器件和集成电路封装的主要材料之一,其主要功能为电路连接、散热、机械支撑等。随着IC向高密度、小型化、大功率、低成本方向发展,集成电路I/O数目增多、引脚间距减小,对引线框架材料提出了高强度、高导... 引线框架材料是半导体元器件和集成电路封装的主要材料之一,其主要功能为电路连接、散热、机械支撑等。随着IC向高密度、小型化、大功率、低成本方向发展,集成电路I/O数目增多、引脚间距减小,对引线框架材料提出了高强度、高导电、高导热等多方面性能上的要求。由于拥有良好的导电导热性能,铜合金已成为主要的引线框架材料。本文对电子封装铜合金引线框架材料的性能要求、国内外研究与发展等进行了综述。 展开更多
关键词 引线框架材料 铜合金 电子封装 导体器件 集成电路
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化学机械抛光(CMP)技术的发展、应用及存在问题 被引量:53
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作者 雷红 雒建斌 马俊杰 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期73-76,共4页
在亚微米半导体制造中 ,器件互连结构的平坦化正越来越广泛采用化学机械抛光 (CMP)技术 ,这几乎是目前唯一的可以提供在整个硅圆晶片上全面平坦化的工艺技术。本文综述了化学机械抛光的基本工作原理。
关键词 化学机械抛光 设备 研浆 平面化技术 导体器件
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发光二极管材料与器件的历史、现状和展望 被引量:42
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作者 方志烈 《物理》 CAS 北大核心 2003年第5期295-301,共7页
文章介绍了发光二极管材料和器件的研究、开发的历史 ,概述了发光二极管技术的发展现状和进展 .通过与其他类型光源的比较 ,向读者展示了发光二极管未来的重要地位和光明前景 .发光二极管的最近的成就是实现了有色光方面的成功应用 .高... 文章介绍了发光二极管材料和器件的研究、开发的历史 ,概述了发光二极管技术的发展现状和进展 .通过与其他类型光源的比较 ,向读者展示了发光二极管未来的重要地位和光明前景 .发光二极管的最近的成就是实现了有色光方面的成功应用 .高功率白色发光二极管已开始应用于便携式和特殊照明 .而在通用的照明领域要成功地应用发光二极管 。 展开更多
关键词 发光二极管 固体光源 导体照明 导体材料 导体器件 技术发展 显示技术
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感应加热电源的发展 被引量:23
5
作者 俞勇祥 陈辉明 《金属热处理》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期28-29,共2页
回顾了感应加热电源的应用、技术发展动态及今后电源发展趋势 ,包括新的功率半导体器件及电路拓扑技术对电源技术发展的影响。
关键词 感应加热电源 逆变器 功率半导体器件 电路拓扑
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半导体器件热特性的电学法测量与分析 被引量:53
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作者 冯士维 谢雪松 +3 位作者 吕长志 张小玲 何焱 沈光地 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期358-364,共7页
利用电学法测量器件的温升、热阻及进行瞬态热响应分析是器件热特性分析的有力工具.本文利用电学法测量了GaAsMESFET在等功率下,加热响应曲线随电压的变化,并通过红外热像仪测量其温度分布,结果表明电学法测得的平均温度... 利用电学法测量器件的温升、热阻及进行瞬态热响应分析是器件热特性分析的有力工具.本文利用电学法测量了GaAsMESFET在等功率下,加热响应曲线随电压的变化,并通过红外热像仪测量其温度分布,结果表明电学法测得的平均温度与温度分布有很大关系.理论计算也表明了这一点.在等功率条件下,电学平均温度随着温度分布趋于均匀而减少.该方法可用来判断器件的热不均匀性. 展开更多
关键词 导体器件 热特性 电学法 测量
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电力电子集成技术的现状及发展方向 被引量:40
7
作者 王兆安 杨旭 王晓宝 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2003年第5期90-94,共5页
综述了电力电子集成技术目前的基本概念、研究的意义和现状等;列举了当前主要的研究机构和研究内容;分析了未来的发展方向。
关键词 电力电子技术 封装 电力半导体器件 集成技术
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溅射靶材的制备与应用 被引量:44
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作者 杨邦朝 崔红玲 《真空》 CAS 北大核心 2001年第3期11-15,共5页
在信息产业不少基础产品的制造过程中 ,需使用多种溅射靶材 ,本文简介溅射靶材的制造及主要应用情况。
关键词 溅射 靶材 薄膜 制备 应用 信息存储工业 导体器件 电子器件 LCD
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一种新颖的用于消除PWM逆变器输出共模电压的有源滤波器 被引量:41
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作者 姜艳姝 徐殿国 +1 位作者 陈希有 马洪飞 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2002年第10期125-129,共5页
pWM逆变器在应用中会产生共模电压, 共模电压在IGBT的高速开关期间产生充放电电流。此电流通过电机内部的寄生电容产生流入地线的漏电流。漏电流过大将对电源产生电磁干扰,还会使电机轴承过早毁坏,从而影响系统运行的可靠性。文中提出... pWM逆变器在应用中会产生共模电压, 共模电压在IGBT的高速开关期间产生充放电电流。此电流通过电机内部的寄生电容产生流入地线的漏电流。漏电流过大将对电源产生电磁干扰,还会使电机轴承过早毁坏,从而影响系统运行的可靠性。文中提出了一种新颖的可以有效消除脉冲宽度调制(PWM)逆变器产生的共模电压的有源滤波器。这个有源滤波器由一个单相逆变器和一个五绕组共模变压器组成,可以产生与PWM逆变器输出的电压幅值相等,相位相反的共模电压,通过五绕组共模变压器叠加到逆变器输出中,从而有效消除感应电机端的共模电压。这种有源滤波器结构简单,控制容易。文中通过理论分析,仿真和实验结果证明了这种结构的有效性。 展开更多
关键词 PWM逆变器 共模电压 有源滤波器 电力半导体器件
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离线式PWM开关电源传导电磁干扰的分析研究 被引量:36
10
作者 和军平 姜建国 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2003年第6期91-95,共5页
该文利用分析和测量相结合的方式,详细研究了一台离线式PWM开关电源的传导电磁干扰(EMI)特性。在分析各个器件作用的基础上,得出了反映典型电磁干扰发射时,传导干扰发射量、干扰源和干扰传播通道关系的线性化方程,进而提出了测量典型传... 该文利用分析和测量相结合的方式,详细研究了一台离线式PWM开关电源的传导电磁干扰(EMI)特性。在分析各个器件作用的基础上,得出了反映典型电磁干扰发射时,传导干扰发射量、干扰源和干扰传播通道关系的线性化方程,进而提出了测量典型传导干扰耦合通道特性的新方法,并进行了验证。利用测得的传导干扰耦合通道特性,具体分析了PWM开关电源高频功率开关器件中dv/dt、di/dt对传导干扰发射的作用。根据变换器主要的杂散参数和共模干扰的基本传播途径,可得出低阶的等效共模传导干扰模型,以指导电源滤波器的设计。 展开更多
关键词 离线式PWM开关电源 电磁干扰 电力电子变换器 电磁兼容性 导体器件 耦合通道
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1500V船用新型直流断路器的研究 被引量:41
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作者 董恩源 丛吉远 +1 位作者 邹积岩 杜广波 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2004年第5期153-156,共4页
介绍了几种典型的直流断路器的结构及其工作原理,在此基础上提出了一种新型结构的直流断路器,它应用电流转移原理,实现对直流电弧的强迫过零;采用电子操动来实现对故障的实时监测与断路器控制;采用单机构,实现了主电路分闸与转移电流的... 介绍了几种典型的直流断路器的结构及其工作原理,在此基础上提出了一种新型结构的直流断路器,它应用电流转移原理,实现对直流电弧的强迫过零;采用电子操动来实现对故障的实时监测与断路器控制;采用单机构,实现了主电路分闸与转移电流的投入同步操作,不但使分闸速度有所提高,同时满足了在要求开距下投入电流,投入时间准确。文中对此新型断路器系统进行了电路仿真,最后进行了实验,实验结果与理论分析一致,表明新型结构动作准确、迅速、可行。 展开更多
关键词 直流断路器 导体元件 电子操动 电流转移原理 导体器件
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Si和SiC功率器件结温提取技术现状及展望 被引量:37
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作者 王莉娜 邓洁 +1 位作者 杨军一 李武华 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第4期703-716,共14页
对功率半导体器件结温的在线准确提取是实现器件智能控制、性能评估、主动热管理、健康状态评估及优化器件寿命等的重要基础。本文梳理了现有基于温敏参数的Si(硅)和SiC(碳化硅)功率器件结温提取方法的机理和主要特点,从灵敏度、测量频... 对功率半导体器件结温的在线准确提取是实现器件智能控制、性能评估、主动热管理、健康状态评估及优化器件寿命等的重要基础。本文梳理了现有基于温敏参数的Si(硅)和SiC(碳化硅)功率器件结温提取方法的机理和主要特点,从灵敏度、测量频率、侵入性和线性度等指标对已有方法进行了性能评估。在此基础上,结合SiC JFET(结型场效应晶体管)器件的温度特性,提出一种新颖的基于栅-源极间寄生PN结击穿电压的SiC JFET器件非侵入性在线结温提取方法,仿真结果证明了所提出方法的正确性和有效性。 展开更多
关键词 功率半导体器件 碳化硅 结温提取 温敏参数
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宽带隙半导体材料SiC研究进展及其应用 被引量:21
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作者 王玉霞 何海平 汤洪高 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期372-381,共10页
SiC是第 3代宽带隙半导体的核心材料之一 ,具有极为优良的物理化学性能 ,应用前景十分广阔 .本文综合介绍SiC的基本特性 ,材料的生长技术 (包括体单晶生长和薄膜外延生长技术 ) ,SiC基器件的研发现状 ,应用领域及发展前景 .同时还介绍... SiC是第 3代宽带隙半导体的核心材料之一 ,具有极为优良的物理化学性能 ,应用前景十分广阔 .本文综合介绍SiC的基本特性 ,材料的生长技术 (包括体单晶生长和薄膜外延生长技术 ) ,SiC基器件的研发现状 ,应用领域及发展前景 .同时还介绍了作者用脉冲激光淀积法在Si衬底上制备出单晶 4H 展开更多
关键词 宽带隙半导体材料 SIC 应用 碳化硅 体单晶生长 薄膜 导体器件
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高精度PID温度控制器 被引量:22
14
作者 江孝国 王婉丽 祁双喜 《电子与自动化》 2000年第5期13-15,共3页
介绍一种高精度的、采用 PID控制原理的温度控制器 ,给出了实验结果。这种控制器适用于小功率半导体器件的工作温度控制 ,其控制精度可达± 0 .0 5℃。
关键词 比例积分微分控制 温度控制器 导体器件
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三维热传导型半导体问题的差分方法和分析 被引量:33
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作者 袁益让 《中国科学(A辑)》 CSCD 1996年第11期973-978,共6页
对2类边值问题提出特征差分格式,利用粗细网块组合、乘积型叁二次插值,处理边界的时间变步长方法、变分形式、先验估计理论和技巧,得到了最佳阶I^2误差估计.
关键词 热传导 瞬态问题 边值问题 导体器件 差分法
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SiC半导体材料及其器件应用 被引量:13
16
作者 杨克武 潘静 杨银堂 《半导体情报》 2000年第2期13-15,29,共4页
分析了 Si C材料的结构类型和基本特性 ,介绍了 Si C单晶材料的生长技术及器件工艺技术 ,简要讨论了 Si C器件的主要应用领域和优势。
关键词 导体材料 导体器件 碳化硅
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SiC材料及器件的应用发展前景 被引量:32
17
作者 王守国 张岩 《自然杂志》 北大核心 2011年第1期42-45,53,共5页
SiC材料是第三代半导体材料,由于可用于军事领域,国外限制该产品的出口。作者首先阐述了SiC材料的基本特性,介绍了SiC晶体的生长技术及晶体供应商,尤其是国内SiC晶体材料的研制现状,最后评述SiC器件的应用领域和市场前景,并指出中国应建... SiC材料是第三代半导体材料,由于可用于军事领域,国外限制该产品的出口。作者首先阐述了SiC材料的基本特性,介绍了SiC晶体的生长技术及晶体供应商,尤其是国内SiC晶体材料的研制现状,最后评述SiC器件的应用领域和市场前景,并指出中国应建立SiC材料及器件研制和应用的产业链。 展开更多
关键词 SIC 导体器件 材料 晶片 工艺
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大功率电力电子装置冷却系统的原理与应用 被引量:32
18
作者 陈建业 《国际电力》 2002年第4期48-52,共5页
大功率电力电子器件在工作过程中将产生很大的热量,因此其冷却问题是关系到装置性能和可靠性的一个至关重要的问题。文中详细讨论国内外现在广泛采用的几种不同类型冷却系统的结构、原理和优缺点。国内外的经验表明,封闭式循环水冷却系... 大功率电力电子器件在工作过程中将产生很大的热量,因此其冷却问题是关系到装置性能和可靠性的一个至关重要的问题。文中详细讨论国内外现在广泛采用的几种不同类型冷却系统的结构、原理和优缺点。国内外的经验表明,封闭式循环水冷却系统是目前高压大功率电力电子装置冷却方式中优势最为明显、应用前景最好的一种。 展开更多
关键词 大功率电力电子装置 冷却系统 功率半导体器件 灵活交流输电
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用改进的Van der Pauw法测定方形微区的方块电阻 被引量:23
19
作者 孙以材 张林在 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期530-539,共10页
借助于显微镜放大8×10倍,用目视法将四探针针尖分别控制在样品的面积为100μm×100μm的方形微区的内切圆外四个角区内,利用改进的Van der Pauw法能测定它的方块电阻。测量不受探针游移的影响,无需用测定探针的精确几何位置来... 借助于显微镜放大8×10倍,用目视法将四探针针尖分别控制在样品的面积为100μm×100μm的方形微区的内切圆外四个角区内,利用改进的Van der Pauw法能测定它的方块电阻。测量不受探针游移的影响,无需用测定探针的精确几何位置来进行边缘效应修正。本文利用有限元法对此结论给予证明,并通过金微触点的方块电阻测定得到证实。 展开更多
关键词 导体器件 方块电阻 探针 有限元
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宽禁带半导体器件研究现状与展望 被引量:31
20
作者 朱梓悦 秦海鸿 +2 位作者 董耀文 严仰光 徐华娟 《电气工程学报》 2016年第1期1-11,共11页
电力电子器件是电力电子技术的重要基础。由于传统的硅电力电子器件的性能已经逼近其材料极限,很难再大幅提升硅基电力电子装置的性能。以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体器件比硅器件具有更优的器件性能,成为电力电子器件新的研究... 电力电子器件是电力电子技术的重要基础。由于传统的硅电力电子器件的性能已经逼近其材料极限,很难再大幅提升硅基电力电子装置的性能。以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体器件比硅器件具有更优的器件性能,成为电力电子器件新的研究发展方向。本文对碳化硅和氮化镓电力电子器件的商业化产品水平和实验室研究现状进行了综述和探讨,并对宽禁带半导体器件在未来功率器件市场中的应用前景进行了预测及展望。 展开更多
关键词 宽禁带半导体器件 碳化硅 氮化镓
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