导电聚吡咯是在电化学聚合过程中聚吡咯部分转移电子给电极,然后嵌入对离子的产物.现有的实验事实证明,在导电聚吡咯的厚度方向对阴离子的浓度分布非常均匀,这些实验结果是从横截面的电子探针法取得,但对100 A 以内表面层中对阴离子浓...导电聚吡咯是在电化学聚合过程中聚吡咯部分转移电子给电极,然后嵌入对离子的产物.现有的实验事实证明,在导电聚吡咯的厚度方向对阴离子的浓度分布非常均匀,这些实验结果是从横截面的电子探针法取得,但对100 A 以内表面层中对阴离子浓度的分布是否均匀是不清楚的.本工作试图用X射线光电子能谱的电子起飞角依赖性来得到在几十 A 表面层内的对阴离子浓度分布.展开更多
文摘导电聚吡咯是在电化学聚合过程中聚吡咯部分转移电子给电极,然后嵌入对离子的产物.现有的实验事实证明,在导电聚吡咯的厚度方向对阴离子的浓度分布非常均匀,这些实验结果是从横截面的电子探针法取得,但对100 A 以内表面层中对阴离子浓度的分布是否均匀是不清楚的.本工作试图用X射线光电子能谱的电子起飞角依赖性来得到在几十 A 表面层内的对阴离子浓度分布.
