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基于Levenberg-Marquardt算法的碳化硅MOSFET建模研究
1
作者
赵奕昕
刘守城
+2 位作者
颜伟
祝志博
居铭
《南京师范大学学报（工程技术版）》
CAS
2022年第3期30-37,共8页
为了更快速准确地对碳化硅MOSFET功率器件进行开关行为预测与分析,需要建立其静态和动态行为模型.静态模型包括不同温度下的转移特性曲线和输出特性曲线,以及寄生非线性电容曲线等.提出了一种基于EKV公式改进的曲线拟合公式和一种新的...
为了更快速准确地对碳化硅MOSFET功率器件进行开关行为预测与分析,需要建立其静态和动态行为模型.静态模型包括不同温度下的转移特性曲线和输出特性曲线,以及寄生非线性电容曲线等.提出了一种基于EKV公式改进的曲线拟合公式和一种新的非线性电容拟合公式,利用Levenberg-Marquardt算法进行参数拟合,建模速度快,模型误差小.动态模型在考虑封装寄生电感和寄生非线性电容等非理想条件下,分别建立器件导通和关断过程每一个阶段的栅源极电压、漏源极电压、肖特基二极管电压、栅极电流和漏极电流的电路微分方程组,再以每一个阶段结束时的状态变量作为下一个阶段的初始条件.采用4阶龙格库塔法求解上述微分方程组的数值解,并与LTspice仿真波形进行对比分析.结果表明,上述建模方法能较好地描述器件的动态行为特性.
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关键词
碳化硅MOSFET
静态特性建模
动态行为模型
寄生
非线性
电容
LEVENBERG-MARQUARDT算法
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职称材料
题名
基于Levenberg-Marquardt算法的碳化硅MOSFET建模研究
1
作者
赵奕昕
刘守城
颜伟
祝志博
居铭
机构
南京师范大学南瑞电气与自动化学院
南京师范大学江苏省电气装备与电磁兼容工程实验室
出处
《南京师范大学学报（工程技术版）》
CAS
2022年第3期30-37,共8页
基金
国家自然科学基金项目(52107005)。
文摘
为了更快速准确地对碳化硅MOSFET功率器件进行开关行为预测与分析,需要建立其静态和动态行为模型.静态模型包括不同温度下的转移特性曲线和输出特性曲线,以及寄生非线性电容曲线等.提出了一种基于EKV公式改进的曲线拟合公式和一种新的非线性电容拟合公式,利用Levenberg-Marquardt算法进行参数拟合,建模速度快,模型误差小.动态模型在考虑封装寄生电感和寄生非线性电容等非理想条件下,分别建立器件导通和关断过程每一个阶段的栅源极电压、漏源极电压、肖特基二极管电压、栅极电流和漏极电流的电路微分方程组,再以每一个阶段结束时的状态变量作为下一个阶段的初始条件.采用4阶龙格库塔法求解上述微分方程组的数值解,并与LTspice仿真波形进行对比分析.结果表明,上述建模方法能较好地描述器件的动态行为特性.
关键词
碳化硅MOSFET
静态特性建模
动态行为模型
寄生
非线性
电容
LEVENBERG-MARQUARDT算法
Keywords
Silicon Carbide MOSFET
static characteristic modeling
dynamic behavior model
parasitic nonlinear capacitance
Levenberg-Marquardt algorithm
分类号
TM23 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
基于Levenberg-Marquardt算法的碳化硅MOSFET建模研究
赵奕昕
刘守城
颜伟
祝志博
居铭
《南京师范大学学报（工程技术版）》
CAS
2022
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