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Ga_6N_6团簇结构性质的理论计算研究 被引量：12
1
作者 郝静安 郑浩平 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期1044-1049,共6页
在密度泛函理论的基础上 ,对Ga6 N6 团簇进行了第一性原理、全电子、从头计算 ,得到了 10种可能的三维空间结构及其电子结构 .其中最稳定结构的一对GaN原子的平均结合能为 9 748eV ,因此是可能存在的 .但与他人计算的Ga3N3 和Ga5 N5 相... 在密度泛函理论的基础上 ,对Ga6 N6 团簇进行了第一性原理、全电子、从头计算 ,得到了 10种可能的三维空间结构及其电子结构 .其中最稳定结构的一对GaN原子的平均结合能为 9 748eV ,因此是可能存在的 .但与他人计算的Ga3N3 和Ga5 N5 相比 ,Ga6 N6 团簇可能不属于“幻数”团簇 .最稳定结构的Ga6 N6 团簇的费米面是部分占有的 ,能量为EF=-5 2 972eV ,因此具有“金属性” ,但没有自旋磁矩 .我们还计算了该结构的Ga6 N6 团簇的亲和势、电离能和电子跃迁能 .这将有助于对GanNn 展开更多
关键词 氮化镓 团簇 密度泛函理论 第一性原理 电子结构 平均结合能 费米面 自旋磁矩 电子跃迁能 宽能隙半导体
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