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美国物理学会1997年3月会议述评
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作者 谢希德 《国际学术动态》 1997年第9期23-31,共9页
美国物理学会1997年3月会议于17~21日在堪萨斯市召开。会议收到论文摘要4 520篇,共分30多个组同时进行学术交流。下面介绍会议重要内容。1 宽能隙的半导体材料1.1 GaN和相关的氮化物材料由于GaN和有关氮化物量子阱发光二极管已是较成... 美国物理学会1997年3月会议于17~21日在堪萨斯市召开。会议收到论文摘要4 520篇,共分30多个组同时进行学术交流。下面介绍会议重要内容。1 宽能隙的半导体材料1.1 GaN和相关的氮化物材料由于GaN和有关氮化物量子阱发光二极管已是较成熟的产品以及激光二极管的发展,这些材料的生长、量子阱和异质结的各种性质的研究,材料中的杂质、缺陷以及光学性质的研究普遍受到重视。日本Nichia化学工业有限公司Shuji Nakamura成功地制成连续波工作的In-GaN多重量子阱结构的蓝色激光二极管。这个激光器可在室温工作,寿命达35小时。阈值电流和电压分别为80毫安和5.5伏。 展开更多
关键词 物理学 半导体材料 氮化物材料
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Ga_6N_6团簇结构性质的理论计算研究 被引量:12
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作者 郝静安 郑浩平 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期1044-1049,共6页
在密度泛函理论的基础上 ,对Ga6 N6 团簇进行了第一性原理、全电子、从头计算 ,得到了 10种可能的三维空间结构及其电子结构 .其中最稳定结构的一对GaN原子的平均结合能为 9 748eV ,因此是可能存在的 .但与他人计算的Ga3N3 和Ga5 N5 相... 在密度泛函理论的基础上 ,对Ga6 N6 团簇进行了第一性原理、全电子、从头计算 ,得到了 10种可能的三维空间结构及其电子结构 .其中最稳定结构的一对GaN原子的平均结合能为 9 748eV ,因此是可能存在的 .但与他人计算的Ga3N3 和Ga5 N5 相比 ,Ga6 N6 团簇可能不属于“幻数”团簇 .最稳定结构的Ga6 N6 团簇的费米面是部分占有的 ,能量为EF=-5 2 972eV ,因此具有“金属性” ,但没有自旋磁矩 .我们还计算了该结构的Ga6 N6 团簇的亲和势、电离能和电子跃迁能 .这将有助于对GanNn 展开更多
关键词 氮化镓 团簇 密度泛函理论 第一性原理 电子结构 平均结合 费米面 自旋磁矩 电子跃迁 半导体
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