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非晶硅薄膜金属诱导晶化的实时监测系统与晶化效果测量
1
作者
曾祥斌
曾令驰
王慧娟
《物理实验》
2008年第7期8-11,共4页
设计了用于测量非晶硅薄膜诱导晶化的电阻值的实验装置,通过实时电阻测量方法实现了金属诱导晶化制备多晶硅薄膜的实时监控.结果表明薄膜的电阻值在高温下随晶化时间呈指数衰减,且具有很强的温度依赖关系.采用晶粒边界势垒模型解释了阻...
设计了用于测量非晶硅薄膜诱导晶化的电阻值的实验装置,通过实时电阻测量方法实现了金属诱导晶化制备多晶硅薄膜的实时监控.结果表明薄膜的电阻值在高温下随晶化时间呈指数衰减,且具有很强的温度依赖关系.采用晶粒边界势垒模型解释了阻值衰减行为,分析计算了样品的阻值衰减规律.应用拉曼光谱分析检测实时电阻测量的可靠性,结果表明实时电阻测量方法可以用于金属诱导晶化动力学的研究.
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关键词
多晶硅薄膜
金属诱导晶化
实时
电阻
测量
下载PDF
职称材料
金属诱导晶化的实时电阻测量与监控
2
作者
曾祥斌
孙小卫
+1 位作者
李俊峰
齐国钧
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第z1期1182-1185,共4页
采用实时电阻测量方法实现了金属镍诱导晶化制备多晶硅薄膜的实时监控,实验中使用了两种样品,一种采用电场增强侧向晶化;另一种采用金属诱导侧向晶化.结果表明薄膜电阻值在高温下随晶化时间呈指数衰减,且具有很强的温度依赖关系.采用晶...
采用实时电阻测量方法实现了金属镍诱导晶化制备多晶硅薄膜的实时监控,实验中使用了两种样品,一种采用电场增强侧向晶化;另一种采用金属诱导侧向晶化.结果表明薄膜电阻值在高温下随晶化时间呈指数衰减,且具有很强的温度依赖关系.采用晶粒边界势垒模型解释了阻值衰减行为,分析计算了两种样品的阻值衰减规律.电场增强方式的时间常数比非电场增强方式小,表明加电场有促进晶化的作用.实时电阻测量方法可以用于金属诱导晶化动力学的研究,是一种简单实用的实时监控手段.
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关键词
多晶硅薄膜
金属诱导晶化
实时
电阻
测量
薄膜晶体管
下载PDF
职称材料
题名
非晶硅薄膜金属诱导晶化的实时监测系统与晶化效果测量
1
作者
曾祥斌
曾令驰
王慧娟
机构
华中科技大学电子科学与技术系
华中科技大学附属高级中学
出处
《物理实验》
2008年第7期8-11,共4页
基金
国家"863"计划项目(No2006AA05Z406)
广东省产学研项目(No2006D90404017)
文摘
设计了用于测量非晶硅薄膜诱导晶化的电阻值的实验装置,通过实时电阻测量方法实现了金属诱导晶化制备多晶硅薄膜的实时监控.结果表明薄膜的电阻值在高温下随晶化时间呈指数衰减,且具有很强的温度依赖关系.采用晶粒边界势垒模型解释了阻值衰减行为,分析计算了样品的阻值衰减规律.应用拉曼光谱分析检测实时电阻测量的可靠性,结果表明实时电阻测量方法可以用于金属诱导晶化动力学的研究.
关键词
多晶硅薄膜
金属诱导晶化
实时
电阻
测量
Keywords
polycrystalline silicon thin films
MILC
real-time resistance measurement
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
金属诱导晶化的实时电阻测量与监控
2
作者
曾祥斌
孙小卫
李俊峰
齐国钧
机构
华中科技大学
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第z1期1182-1185,共4页
文摘
采用实时电阻测量方法实现了金属镍诱导晶化制备多晶硅薄膜的实时监控,实验中使用了两种样品,一种采用电场增强侧向晶化;另一种采用金属诱导侧向晶化.结果表明薄膜电阻值在高温下随晶化时间呈指数衰减,且具有很强的温度依赖关系.采用晶粒边界势垒模型解释了阻值衰减行为,分析计算了两种样品的阻值衰减规律.电场增强方式的时间常数比非电场增强方式小,表明加电场有促进晶化的作用.实时电阻测量方法可以用于金属诱导晶化动力学的研究,是一种简单实用的实时监控手段.
关键词
多晶硅薄膜
金属诱导晶化
实时
电阻
测量
薄膜晶体管
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
非晶硅薄膜金属诱导晶化的实时监测系统与晶化效果测量
曾祥斌
曾令驰
王慧娟
《物理实验》
2008
0
下载PDF
职称材料
2
金属诱导晶化的实时电阻测量与监控
曾祥斌
孙小卫
李俊峰
齐国钧
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
下载PDF
职称材料
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参考文献
引证文献
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